下面分別介紹利用萬用表判定GTO電極,、檢查GTO的觸發(fā)能力和關(guān)斷能力,、估測關(guān)斷增益βoff的方法。判定GTO的電極將萬用表撥至R×1檔,,測量任意兩腳間的電阻,,*當(dāng)黑表筆接G極,紅表筆接K極時,,電阻呈低阻值,,對其它情況電阻值均為無窮大。由此可迅速判定G,、K極,,剩下的就是A極。(此處指的模擬表,,電子式萬用表紅表筆與電池正極相連,,模擬表紅表筆與電池負(fù)極相連)光控晶閘管晶閘管光控晶閘管(LightTriggeredThyristor——LTT),又稱光觸發(fā)晶閘管,。國內(nèi)也稱GK型光開關(guān)管,,是一種光敏器件。1.光控晶閘管的結(jié)構(gòu)通常晶閘管有三個電極:控制極G,、陽極A和陰極K。而光控晶閘管由于其控制信號來自光的照射,,沒有必要再引出控制極,,所以只有兩個電極(陽極A和陰極K)。但它的結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣,,是由四層PNPN器件構(gòu)成,。從外形上看,光控晶閘管亦有受光窗口,,還有兩條管腳和殼體,,酷似光電二極管。2.光控晶閘管的工作原理當(dāng)在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,,陰極加上負(fù)向電壓時,,控晶閘管可以等效成的電路,。可推算出下式:Ia=Il/[1-(a1+a2)]式中,,Il為光電二極管的光電流,;Ia為光控晶閘管陽極電流,即光控晶閘管的輸出電流,;a1,、a2分別為BGl、BG2的電流放大系數(shù),。由上式可知,。晶閘管工作條件為:加正向電壓且門極有觸發(fā)電流。重慶優(yōu)勢晶閘管模塊推薦廠家
1,、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負(fù)載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,,且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,建議您在選取模塊電流規(guī)格時應(yīng)留出適當(dāng)裕量,。推薦選擇如下:阻性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的2倍,。感性負(fù)載:模塊標(biāo)稱電流應(yīng)為負(fù)載額定電流的3倍。2,、導(dǎo)通角要求模塊在較小導(dǎo)通角時(即模塊高輸入電壓,、低輸出電壓)輸出較大電流,這樣會使模塊嚴(yán)重發(fā)熱甚至燒毀,。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,,不是有效值,所以,,盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標(biāo)稱值,,但有效值會超過模塊標(biāo)稱值的幾倍。因此,,要求模塊應(yīng)在較大導(dǎo)通角下(100度以上)工作,。3、控制電源要求(1)電壓為DC12V±≤30mV;輸出電流≥1A;(2)可以采用開關(guān)電源,,也可采用線性電源(即變壓器整流式穩(wěn)壓電源),。開關(guān)電源外殼應(yīng)帶屏蔽罩。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V,。(3)控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,,嚴(yán)禁反接。否則將燒壞模塊控制電路,。4,、使用環(huán)境要求(1)工作場所環(huán)境溫度范圍:-25℃~+45℃。(2)模塊周圍應(yīng)干燥,、通風(fēng),、遠(yuǎn)離熱源,、無塵、無腐蝕性液體或氣體,。5,、其它要求(1)當(dāng)模塊控制變壓器負(fù)載時,如果變壓器空載,。重慶優(yōu)勢晶閘管模塊推薦廠家因為它可以像閘門一樣控制電流,,所以稱之為“晶體閘流管”。
有三個不同電極,、陽極A,、陰極K和控制極G.可控硅在電路中能夠?qū)崿F(xiàn)交流電的無觸點(diǎn)控制,以小電流控制大電流,,并且不象繼電器那樣控制時有火花產(chǎn)生,,而且動作快、壽命長,、可靠性好,。在調(diào)速、調(diào)光,、調(diào)壓,、調(diào)溫以及其他各種控制電路中都有它的身影??煽毓璺譃閱蜗虻暮碗p向的,,符號也不同。單向可控硅有三個PN結(jié),,由外層的P極和N極引出兩個電極,,分別稱為陽極和陰極,由中間的P極引出一個控制極,。雙向可控硅有其獨(dú)特的特點(diǎn):當(dāng)陽極接合,,陽極接合或柵極的正向電壓,但沒有施加電壓時,,它不導(dǎo)通,,并且同時連接到陽極和柵極的正向電壓反向電壓時,它將被關(guān)上,。一旦開啟,控制電壓有它的作用失去了控制,,無論控制電壓極性怎么沒有了,,不管控制電壓,將保持在接通狀態(tài),。關(guān)斷,,只有在陽極電壓減小到一個臨界值,,或反之亦然。大多數(shù)雙向可控硅引腳按t1,、t2,、g順序從左到右排列(電極引腳向下,面向側(cè)面有字符),。當(dāng)施加到控制極g上的觸發(fā)脈沖的大小或時間改變時,,其傳導(dǎo)電流的大小可以改變。與單向可控硅的區(qū)別是,,雙向可控硅G極上觸發(fā)一個脈沖的極性可以改變時,,其導(dǎo)通方向就隨著不同極性的變化而改變,從而能夠進(jìn)行控制提供交流電系統(tǒng)負(fù)載,。
當(dāng)選擇替代晶閘管,,無論什么參數(shù),不要有太多的左邊距,,它應(yīng)該是盡可能接近的取代晶閘管的參數(shù),,由于過度保證金不造成浪費(fèi),而且有時副作用,,即沒有觸發(fā),,或不敏感等。另外,,還要留意兩個晶閘管的外形要相同,,否則會給企業(yè)安裝管理工作發(fā)展帶來一些不利。晶閘管的工作原理的陽極A和陰極K,,其陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,,形成晶閘管的主電路,晶閘管的柵極G和陰極與控制晶閘管的裝置連接,,形成晶閘管的控制電路,。晶閘管的工作條件:1.當(dāng)晶閘管承受反向陽極電壓時,無論門極電壓是多少,,晶閘管都會被關(guān)閉,。2.當(dāng)所述晶閘管的陽極電壓是正向,在晶閘管的柵極電壓是正向傳導(dǎo)只的情況,。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,,只要有一定的正向影響陽極工作電壓,不論門極電壓以及如何,,晶閘管同時保持導(dǎo)通,,即晶閘管導(dǎo)通后,門極失去重要作用,。4.在晶閘管被導(dǎo)通,,當(dāng)所述主回路電壓(或電流)被減小到接近零,,晶閘管關(guān)斷。晶閘管的主要參數(shù)有反向最大電壓,,是指門極開路時,,允許加在陽極、陰極之間的比較大反向電壓,。
當(dāng)主回路電壓(或電流)減小到接近于零時,,晶閘管關(guān)斷。工作過程/晶閘管編輯概述晶閘管是四層三端器件,,它有J1,、J2、J3三個PN結(jié)圖1,,可以把它中間的NP分成兩部分,,構(gòu)成一個PNP型三極管和一個NPN型三極管的復(fù)合管,圖2晶閘管當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,,為使晶閘管導(dǎo)通,,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個晶體管的集電極電流同時就是另一個晶體管的基極電流,。因此,,兩個互相復(fù)合的晶體管電路,當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時,,就會形成強(qiáng)烈的正反饋,,造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,晶體管飽和導(dǎo)通,。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,;發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik;電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,,設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和:Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為:I=(Ic0+Iga2)/(1-(a1+a2))(1—1)式硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖3所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓,,而門極未受電壓的情況下,,式(1—1)中,Ig=0,(a1+a2)很小,。晶閘管的作用也越來越全,。重慶優(yōu)勢晶閘管模塊推薦廠家
晶閘管T在工作過程中,它的陽極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,,組成晶閘管的主電路,。重慶優(yōu)勢晶閘管模塊推薦廠家
[1]維持電流I:是指晶閘管維持導(dǎo)通所必需的**小電流,一般為幾十到幾百毫安。IH與結(jié)溫有關(guān),,結(jié)溫越高,則I越小,。擎住電流I:是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后,,能維持導(dǎo)通所需的**小電流。對同一晶閘管來說,,通常I約為I的2~4倍,。[1]浪涌電流I:浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復(fù)性**大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt:是指在額定結(jié)溫,、門極開路的情況下,,不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt:指在規(guī)定條件下,,晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率,。如果di/dt過大,在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi),,從而造成局部過熱而使晶閘管損壞,。[1]觸發(fā)技術(shù)晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖,使得晶閘管在需要時正常開通,。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點(diǎn)要求:①觸發(fā)脈沖的寬度應(yīng)足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導(dǎo)通,;②觸發(fā)脈沖應(yīng)有足夠的幅度,對一些溫度較低的場合,,脈沖電流的幅度應(yīng)增大為器件**大觸發(fā)電流的3~5倍,,脈沖的陡度也需要增加,一般需達(dá)1~2A/μs,;③所提供的觸發(fā)脈沖應(yīng)不超過晶閘管門極的電壓,、電流和功率定額。重慶優(yōu)勢晶閘管模塊推薦廠家