TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓,、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷,，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓,。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部,，在關(guān)斷過程中,，管子在反向作用下,，正向電流下降到零時(shí),，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,，使殘存的載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大,，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿,。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）,。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路,。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程,，會(huì)產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,，由于初次級(jí)之間存在分布電容,，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí)，出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓,?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同。廣東國(guó)產(chǎn)可控硅模塊批發(fā)價(jià)

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡(jiǎn)稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單,，沒有反向耐壓?jiǎn)栴}，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。中國(guó)澳門國(guó)產(chǎn)可控硅模塊貨源充足反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開通,、關(guān)斷；無觸點(diǎn)運(yùn)行,，無火花,、無噪音；效率高,，成本低等等,。

可控硅簡(jiǎn)介可控硅（SiliconControlledRecTIfier）簡(jiǎn)稱SCR，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管,。它具有體積小、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。可控硅特性1,、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào),，陽(yáng)極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。

我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二,、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,。可畫出圖1的等效電路圖,。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的,，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加到控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2)，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,，使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然，如果E極性反接,，BG1,、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作,。反過來。它具有體積小,、效率高,、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備。

允許通過陰極和陽(yáng)極的電流平均值,?？煽毓璺庋b形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92、TO-126,、TO-202AB,、TO-220、TO-220ABC,、TO-3P,、SOT-89、TO-251,、TO-252,、SOT-23、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d），只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過改變控制角α或?qū)ń铅?。額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。湖北可控硅模塊生產(chǎn)廠家

這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用。廣東國(guó)產(chǎn)可控硅模塊批發(fā)價(jià)

即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連,，其引出端稱T2極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。1、單,、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極,，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋）,，可能是A,、K或G、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2,、G極（對(duì)雙向可控硅）。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極,，剩下即為A極,。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極,，黑筆所接為T1極,，余下是T2極。2,、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極,，黑筆同時(shí)接通G,、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,，此時(shí)可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時(shí)斷開A極再接通，指針應(yīng)退回∞位置,，則表明可控硅良好,。對(duì)于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極,，黑筆同時(shí)接G,、T2極，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小,、廠家不同而異）。然后將兩筆對(duì)調(diào),，重復(fù)上述步驟測(cè)一次,。廣東國(guó)產(chǎn)可控硅模塊批發(fā)價(jià)