晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大,。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時(shí)，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通,，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”。多次硬開通會(huì)損壞管子,。2．晶閘管加上正向陽極電壓后,，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通,。觸發(fā)電流不夠時(shí)，管子不會(huì)導(dǎo)通,，但此時(shí)正向漏電流隨著增大而明顯增大,。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài),，沒有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性,。是一種理想的無觸點(diǎn)功率開關(guān)元件,。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門極完全失去控制作用,。要關(guān)斷晶閘管,，必須使陽極電流《維持電流，對于電阻負(fù)載,，只要使管子陽極電壓降為零即可,。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷，通常在管子陽極電壓互降為零后,，加上一定時(shí)間的反向電壓,。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT,，門極觸發(fā)電壓UGT,，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時(shí)間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽極電流或電壓。國產(chǎn)可控硅模塊生產(chǎn)廠家

陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。4、控制極觸發(fā)電流Ig1,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓璧姆诸愐?、按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。二,、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅,。國產(chǎn)可控硅模塊生產(chǎn)廠家可控硅的特性主要是:1.陽極伏安特性曲線,，2.門極伏安特性區(qū)。

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài),。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下,，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí)，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后，門極已失去作用,。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),，由于a1和a1迅速下降,，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),?？煽毓柙碇饕猛揪庉嬁煽毓柙碚髌胀煽毓杌镜挠猛揪褪强煽卣鳌４蠹沂煜さ亩O管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成可控硅,，就可以構(gòu)成可控整流電路。我畫一個(gè)簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕,。

雙向可控硅型號(hào),雙向可控硅是怎樣命名的雙向可控硅是怎樣命名的?雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”,。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。-------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)控制：Controlled(取個(gè)字母)整流器：Rectifier(取個(gè)字母)再由這三組英文名詞的早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,，如:BCR1AM-12、BCR8KM,、BCR08AM等等,。--------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)三端：Triode(取個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”，也是對雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來命名雙向可控硅.型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D、BT134-600E,、BT136-600E,、BT138-600E、BT139-600E,、,、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅,；Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號(hào),。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>

措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,，就可以明顯減小這種過電壓,。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí)，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓,。變壓器空載且電源電壓過零時(shí),，初級(jí)拉閘，因變壓器激磁電流的突變,，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓,，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上,。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓,，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù),。3．直流側(cè)過電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開時(shí)或快熔斷時(shí)，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場能量會(huì)產(chǎn)生過電壓,，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過電壓,，但由于變壓器過載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大，還不能完全消除,。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù),。4．過電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅,，而是保護(hù)變壓器線圈,。5．電壓、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好,，很容易燒壞元件,。為了解決均流問題，過去加均流電抗器,，噪聲很大,，效果也不好，一只一只進(jìn)行對比,，擰螺絲松緊,，很盲目，效果差,，噪音大,，耗能。我們采用的辦法是：用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配,、編號(hào),，裝配時(shí)按其號(hào)碼順序裝配，很間單,。每一只元件上都刻有字,，以便下更換時(shí)參考。別可控硅三個(gè)極的方法很簡單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬用表測量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。國產(chǎn)可控硅模塊生產(chǎn)廠家

可控硅導(dǎo)通后,，當(dāng)陽極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷,。國產(chǎn)可控硅模塊生產(chǎn)廠家

允許通過陰極和陽極的電流平均值。可控硅封裝形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126,、TO-202AB、TO-220,、TO-220ABC、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252,、SOT-23,、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出,。Ug到來得早,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來得晚,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL,。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?。國產(chǎn)可控硅模塊生產(chǎn)廠家