改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A。2：大,；功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,?？煽毓梃b別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）,。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié),?？煽毓韬椭挥幸粋€(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ)。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅?？煽毓桦妷簻y(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢,？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的第1,、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二,、三四層組成另一只PNP型晶體管?？煽毓枰话阕龀陕菟ㄐ魏推桨逍?，有三個(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層組成,。安徽哪里有可控硅模塊推薦貨源

在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒(méi)有輸入觸發(fā)脈沖Ug，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí)，可控硅被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫(huà)出它的波形圖〔圖4(c)及(d)〕,，可以看到，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)時(shí)，負(fù)載RL上才有電壓UL輸常見(jiàn)可控硅出(波形圖上陰影部分),。Ug到來(lái)得早,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就早；Ug到來(lái)得晚,，可控硅導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過(guò)改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來(lái)的時(shí)間，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL(陰影部分的面積大小),。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°，稱為電角度,。這樣,，在U2的每個(gè)正半周，從零值開(kāi)始到觸發(fā)脈沖到來(lái)瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α,；在每個(gè)正半周內(nèi)可控硅導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯，α和θ都是用來(lái)表示可控硅在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的,。通過(guò)改變控制角α或?qū)ń铅?，改變?fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL，實(shí)現(xiàn)了可控整流,?？煽毓柙頍o(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)可控硅一個(gè)關(guān)鍵用途在于做為無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)。在自動(dòng)化設(shè)備中,用無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)代替通用繼電器已被逐步應(yīng)用,。其明顯特點(diǎn)是無(wú)噪音,壽命長(zhǎng),。可控硅原理產(chǎn)品特性編輯可控硅陽(yáng)極A1與第二陽(yáng)極A2間,，無(wú)論所加電壓極性是正向還是反向,。貴州哪里有可控硅模塊工廠直銷雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱TRIAC,。

4,、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,。可控硅工作原理在分析可控硅工作原理時(shí),，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個(gè)PNP管和NPN管構(gòu)成,，如下圖所示,。當(dāng)陽(yáng)極A端加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時(shí)由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號(hào),，使得BG2管有基極電流ib2通過(guò),，經(jīng)過(guò)BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2,。而ic2沿電路流至BG1的基極,，故有ib1=ic2，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后,，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2,。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大,，從而形成正向反饋使電流劇增,，進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通。由于在電路中形成了正反饋,，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無(wú)法關(guān)斷,，即使控制極G端的電流消失，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài),。

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門(mén)極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡(jiǎn)單地說(shuō)：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過(guò)整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅,。

雙向可控硅作用1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調(diào)壓或交流電子開(kāi)關(guān),。2,、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,，是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意,。3,、可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率,，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通,、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花、無(wú)噪音,；效率高,，成本低等等。雙向可控硅應(yīng)用現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場(chǎng)很多,，可控硅應(yīng)用在自動(dòng)控制領(lǐng)域,，機(jī)電領(lǐng)域，工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影,。許先生告訴記者,，他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單，可見(jiàn)可控硅在人們的生活中都有應(yīng)用,。更重要的是,，可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定,，比方說(shuō)用于家電產(chǎn)品中的電子開(kāi)關(guān),，可以說(shuō)是鮮少變化的。無(wú)論其他的元件怎么變化,，可控硅的變化是不大的,，這相對(duì)來(lái)說(shuō)，等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場(chǎng),，減少了投資的風(fēng)險(xiǎn),。過(guò)零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器（AC-SSR）的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路,、光電耦合器,、過(guò)零觸發(fā)電路、開(kāi)關(guān)電路（包括雙向晶閘管）,、保護(hù)電路（RC吸收網(wǎng)絡(luò)）,。當(dāng)加上輸入信號(hào)VI（一般為高電平）、并且交流負(fù)載電源電壓通過(guò)零點(diǎn)時(shí),。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通,。安徽哪里有可控硅模塊推薦貨源

雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的,。安徽哪里有可控硅模塊推薦貨源

雙向可控硅型號(hào),雙向可控硅是怎樣命名的雙向可控硅是怎樣命名的?雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”中文譯意“三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)”,。由此可見(jiàn)“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱。-------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)控制：Controlled(取個(gè)字母)整流器：Rectifier(取個(gè)字母)再由這三組英文名詞的早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,，如:BCR1AM-12、BCR8KM,、BCR08AM等等,。--------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)三端：Triode(取個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司、荷蘭飛利浦-Philips公司,，均以此來(lái)命名雙向可控硅.型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D,、BT134-600E、BT136-600E,、BT138-600E,、BT139-600E、,、等等,。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司，則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào),。安徽哪里有可控硅模塊推薦貨源