引起了電子雪崩,，粒界層迅速變成低阻抗，電流迅速增加,，泄漏了能量,，抑制了過(guò)電壓，從而使晶閘管得到保護(hù),。浪涌過(guò)后,，粒界層又恢復(fù)為高阻態(tài)。壓敏電阻的特性主要由下面幾個(gè)參數(shù)來(lái)表示,。標(biāo)稱電壓：當(dāng)參考?jí)好綦娮柚绷?mA電流流動(dòng),，它兩端的電壓值。通流數(shù)據(jù)容量：是用前沿8微秒,、波寬20微秒的波形進(jìn)行沖擊以及電流,，每隔5分鐘沖擊1次，共沖擊10次,，標(biāo)稱工作電壓發(fā)生變化在-10［%］以內(nèi)的大經(jīng)濟(jì)沖擊產(chǎn)生電流值來(lái)表示,。因?yàn)槠髽I(yè)正常的壓敏電阻粒界層只有通過(guò)一定程度大小的放電容量和放電次數(shù)，標(biāo)稱電壓值不會(huì)隨著研究放電次數(shù)不斷增多而下降,，而且也隨著不同放電產(chǎn)生電流幅值的增大而下降,，當(dāng)大到某一部分電流時(shí)，標(biāo)稱電壓下降到0,，壓敏電阻可以出現(xiàn)穿孔,，甚至炸裂,；因此我們必須進(jìn)行限定通流數(shù)據(jù)容量。漏電流：將標(biāo)稱直流電壓的一半加到壓敏電阻上測(cè)量的電流,。由于壓敏電阻的通流容量大,，殘壓低，抑制過(guò)電壓能力強(qiáng),；平時(shí)漏電流小,，放電后不會(huì)有續(xù)流，元件的標(biāo)稱電壓等級(jí)多,，便于用戶選擇,；伏安特性是對(duì)稱的，可用于交,、直流或正負(fù)浪涌,；因此用途較廣。過(guò)電流保護(hù)由于半導(dǎo)體器件體積小,、熱容量小,，特別像晶閘管這類高電壓大電流的功率器件，結(jié)溫必須受到嚴(yán)格的控制,。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管,。海南優(yōu)勢(shì)晶閘管模塊貨源充足

認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅,。1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化。晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，形成三個(gè)PN結(jié),，分別稱：陽(yáng)極，陰極和控制極,。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過(guò)程中,，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接，組成晶閘管的主電路,。晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。工作過(guò)程加正向電壓且門(mén)極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導(dǎo)通,，這是晶閘管的閘流特性，即可控特性,。若晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí),，不管門(mén)極承受何種電壓，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。晶閘管在導(dǎo)通情況下,，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷。晶閘管的種類1．雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,，其他兩個(gè)極稱為主電極Tl和T2,。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽(yáng)極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導(dǎo)通。它無(wú)所謂陽(yáng)極和陰極,，不管觸發(fā)信號(hào)的極性如何,，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導(dǎo)通。這個(gè)特點(diǎn)是普通晶閘管所沒(méi)有的,。2．快速晶閘管人們?cè)谄胀ňчl管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進(jìn)措施,。海南優(yōu)勢(shì)晶閘管模塊貨源充足1957年美國(guó)通用電器公司開(kāi)發(fā)出世界上第1晶閘管產(chǎn)品，并于1958年使其商業(yè)化,。

且在門(mén)極伏安特性的可靠觸發(fā)區(qū)域之內(nèi),；④應(yīng)有良好的抗干擾能力、溫度穩(wěn)定性及與主電路的電氣隔離,；⑤觸發(fā)脈沖型式應(yīng)有助于晶閘管元件的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致,。在高電壓大電流晶閘管串聯(lián)電路中，要求串聯(lián)的元件同一時(shí)刻導(dǎo)通,，宜采用強(qiáng)觸發(fā)的形式,。[1]晶閘管觸發(fā)方式主要有三種：①電磁觸發(fā)方式，將低電位觸發(fā)信號(hào)經(jīng)脈沖變壓器隔離后送到高電位晶閘管門(mén)極,。這種觸發(fā)方式成本較低,，技術(shù)比較成熟。但要解決多路脈沖變壓器的輸出一致問(wèn)題,，同時(shí)觸發(fā)時(shí)的電磁干擾較大,。②直接光觸發(fā)方式，將觸發(fā)脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)變?yōu)楣饷}沖,，直接觸發(fā)高位光控晶閘管,。這種觸發(fā)方式只適用于光控晶閘管，且該種晶閘管的成本較高,，不適宜采用,；③間接光觸發(fā)方式，利用光纖通信的方法,，將觸發(fā)電脈沖信號(hào)轉(zhuǎn)化為光脈沖信號(hào),，經(jīng)處理后耦合到光電接受回路，把光信號(hào)轉(zhuǎn)化為電信號(hào),。既可以克服電磁干擾,，又可以采用普通晶閘管,，降低了成本。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)當(dāng)需要耐壓很高的開(kāi)關(guān)時(shí),，單個(gè)晶閘管的耐壓有限,，單個(gè)晶閘管無(wú)法滿足耐壓需求，這時(shí)就需要將多個(gè)晶閘管串聯(lián)起來(lái)使用,，從而得到滿足條件的開(kāi)關(guān),。在器件的應(yīng)用中，由于各個(gè)元件的靜態(tài)伏安特性和動(dòng)態(tài)參數(shù)不同,。

晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,，又被稱做可控硅整流器，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅,；1957年美國(guó)通用電氣公司開(kāi)發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年將其商業(yè)化；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),，它有三個(gè)極：陽(yáng)極,，陰極和控制極；晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓,、大電流條件下工作，且其工作過(guò)程可以控制,、被廣泛應(yīng)用于可控整流,、交流調(diào)壓、無(wú)觸點(diǎn)電子開(kāi)關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,。工作原理晶閘管在工作過(guò)程中，它的陽(yáng)極（A）和陰極（K）與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路,，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接，組成晶閘管的控制電路,。晶閘管為半控型電力電子器件,，它的工作條件如下：1.晶閘管承受反向陽(yáng)極電壓時(shí)，不管門(mén)極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí)，在門(mén)極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。這時(shí)晶閘管處于正向?qū)顟B(tài)，這就是晶閘管的閘流特性,，即可控特性,。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,，只要有一定的正向陽(yáng)極電壓，不論門(mén)極電壓如何,，晶閘管保持導(dǎo)通,，即晶閘管導(dǎo)通后，門(mén)極失去作用,。門(mén)極只起觸發(fā)作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下，當(dāng)主回路電壓（或電流）減小到接近于零時(shí),，晶閘管關(guān)斷,。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài),。

故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘管處于正向阻斷狀態(tài),。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下，從門(mén)極G流入電流Ig,，由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高其電流放大系數(shù)a2，產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,，產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行,。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,，因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí),，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后，1-（a1+a2）≈0,，即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,，晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,，門(mén)極已失去作用,。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),。特性特性曲線晶閘管的陽(yáng)極電壓與陽(yáng)極電流的關(guān)系,，稱為晶閘管的伏安特性，如圖所示,。晶閘管的陽(yáng)極與陰極間加上正向電壓時(shí),，在晶閘管控制極開(kāi)路(Ig=0)情況下，開(kāi)始元件中有很小的電流(稱為正向漏電流)流過(guò),。普通晶閘管（SCR）靠門(mén)極正信號(hào)觸發(fā)之后,，撤掉信號(hào)亦能維持通態(tài)。重慶優(yōu)勢(shì)晶閘管模塊賣價(jià)

在使用過(guò)程中,，晶閘管對(duì)過(guò)電壓是很敏感的,。海南優(yōu)勢(shì)晶閘管模塊貨源充足

因此將引起各元件間電壓分配不均勻而導(dǎo)致發(fā)生損壞器件的事故。影響串聯(lián)運(yùn)行電壓分配不均勻的因素主要有以下幾個(gè)：1,、靜態(tài)伏安特性對(duì)靜態(tài)均壓的影響,。不同元件的伏安特性差異較大，串聯(lián)使用時(shí)會(huì)使電壓分配不均衡,。同時(shí),，半導(dǎo)體器件的伏安特性容易受溫度的影響，不同的結(jié)溫也會(huì)使均壓性能受到影響,。[1]2,、關(guān)斷電荷和開(kāi)通時(shí)間等動(dòng)態(tài)特性對(duì)動(dòng)態(tài)均壓的影響。晶閘管串聯(lián)運(yùn)行,，延遲時(shí)間不同,，門(mén)極觸發(fā)脈沖的大小不同，都會(huì)導(dǎo)致閥片的開(kāi)通適度不同,。閥片的開(kāi)通速度不同,，會(huì)引起動(dòng)態(tài)電壓的不均衡。同時(shí)關(guān)斷時(shí)間的差異也會(huì)造成各晶閘管不同時(shí)關(guān)斷的現(xiàn)象,。關(guān)斷電荷少,，則易關(guān)斷，關(guān)斷時(shí)間也短,，先關(guān)斷的元件必然承受**高的動(dòng)態(tài)電壓,。[1]晶閘管串聯(lián)技術(shù)的根本目的的是保證動(dòng)、靜態(tài)特性不同的晶閘管在串聯(lián)后能夠安全穩(wěn)定運(yùn)行且都得到充分的利用,。這就涉及到串聯(lián)晶閘管的元件保護(hù),、動(dòng)態(tài)和靜態(tài)均壓、觸發(fā)一致性,、反向恢復(fù)過(guò)電壓的抑制,、開(kāi)通關(guān)斷緩沖等一系列問(wèn)題。[1]主要參數(shù)/晶閘管編輯為了正確選用晶閘管元件，必須要了解它的主要參數(shù),，一般在產(chǎn)品的目錄上都給出了參數(shù)的平均值或極限值,，產(chǎn)品合格證上標(biāo)有元件的實(shí)測(cè)數(shù)據(jù),。,。海南優(yōu)勢(shì)晶閘管模塊貨源充足