⑴視覺屏障作用玄關(guān)對的視線產(chǎn)生了一定的視覺屏障，不至于開門見廳,，讓人們一進(jìn)門就對客廳的情形一覽無余,。它注重人們戶內(nèi)行為的私密性及隱蔽性，保證了廳內(nèi)的安全性和距離感,，在客人來訪和家人出入時(shí),，能夠很好的解決干擾和心理安全問題，使人們出門入戶過程更加有序,。⑵較強(qiáng)的使用功能玄關(guān)在使用功能上,，可以用來作為簡單地接待客人、接受郵件,、換衣,、換鞋、擱包的地方,，也可設(shè)置放包及鑰匙等小物品的平臺,。⑶保溫作用玄4觸摸出門開關(guān)有什么特點(diǎn)只要碰到就能開燈，黑暗中方便開燈,；只要碰到就能開燈,黑暗中方便開燈;5多聯(lián)墻壁開關(guān)有哪些特點(diǎn)多聯(lián)墻壁開關(guān)采用lonworks工控電力載波技術(shù),利用家中的零火線電網(wǎng)來傳輸信號,安裝布線和傳統(tǒng)開關(guān)一致,不需要任何信號線通信線,對電工簡單說明后,即可完成安裝,無需專業(yè)技術(shù)工程人員專門安裝,。因此無需高額的安裝維護(hù)費(fèi)用。6房屋裝修電源控制開關(guān)有何規(guī)定高度離地130cm,，離門口15到20cm###亮就行7大門玄關(guān)有何講究1,、天花板宜高不宜低，太低會有壓迫感,，象征居住者難以出人頭地,，受人壓制。2,、墻壁間隔之間應(yīng)下實(shí)上虛,，面對大門的玄關(guān)下半部應(yīng)以磚墻或木板來進(jìn)行裝修，上半部裝修可以明亮的裝飾材料,，如磨砂玻璃,。可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽極電壓;(2)受正向門極電壓,。內(nèi)蒙古進(jìn)口可控硅模塊推薦廠家

陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值,。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí),，不能超過手冊給出的這個(gè)參數(shù)值。4,、控制極觸發(fā)電流Ig1,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號使其關(guān)斷的可控硅等等,。可控硅的分類一,、按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。二,、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。陜西國產(chǎn)可控硅模塊廠家現(xiàn)貨可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種,，螺旋式的應(yīng)用較多。

可控硅模塊通常被稱之為功率半導(dǎo)體模塊(semiconductormodule)。早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件?？煽毓枘K的優(yōu)點(diǎn)：體積小,、重量輕、結(jié)構(gòu)緊湊,、可靠性高,、外接線簡單、互換性好,、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化,，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),。可控硅模塊的分類可控硅模塊從X芯片上看,，可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,，從具體的用途上區(qū)分，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX),、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC)、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等,。可控硅工作原理可控硅是可控硅整流元件的簡稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,通常由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不只是整流,，還可以用作無觸點(diǎn)開關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的轉(zhuǎn)變，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。

E接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí)，可控硅也會導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。可控硅這種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開關(guān)特性,，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,，此條件見表1表1可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài)條件說明從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽極電位高于是陰極電位2,、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通1,、陽極電位高于陰極電位2,、陽極電流大于維持電流兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷1,、陽極電位低于陰極電位2、陽極電流小于維持電流任一條件即可應(yīng)用舉例：可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路,，概括起來有直流觸發(fā)電路,，交流觸發(fā)電路，相位觸發(fā)電路等等,。1,、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個(gè)電視機(jī)常用的過壓保護(hù)電路，當(dāng)E+電壓過高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高,，當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時(shí)DZ道通,，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路，使保險(xiǎn)絲RJ熔斷,，從而起到過壓保護(hù)的作用,。2、相位觸發(fā)電路：相位觸發(fā)電路實(shí)際上是交流觸發(fā)電路的一種,，如圖3,。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,。

我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二、三層看面是一只NPN型號晶體管,，而二,、三、四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二,、第三層為兩管交迭共用。可畫出圖1的等效電路圖,。當(dāng)在陽極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的,，對可控硅來說,，觸發(fā)信號加到控制極，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然,，如果E極性反接，BG1,、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí)，即使輸入觸發(fā)信號,，可控硅也不能工作,。反過來,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。內(nèi)蒙古進(jìn)口可控硅模塊推薦廠家

可控硅(SiliconControlledRectifier)簡稱SCR,，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管,。內(nèi)蒙古進(jìn)口可控硅模塊推薦廠家

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓,、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓,。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過程中,，管子在反向作用下,，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子,。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,，使殘存的載流子迅速消失，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢很大,，這個(gè)電勢與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）,。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍,。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程,，會產(chǎn)生操作過電壓,。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容,，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,，出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓。內(nèi)蒙古進(jìn)口可控硅模塊推薦廠家