指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,，則表明可控硅良好,，且觸發(fā)電壓（或電流）小,。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開(kāi)G極,，指針立即退回∞位置,，則說(shuō)明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞,?？砂磮D2方法進(jìn)一步測(cè)量,，對(duì)于單向可控硅,，閉合開(kāi)關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮，斷開(kāi)K燈仍不息滅,，否則說(shuō)明可控硅損壞,。對(duì)于雙向可控硅，閉合開(kāi)關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮,，斷開(kāi)K，燈應(yīng)不息滅,。然后將電池反接,，重復(fù)上述步驟，均應(yīng)是同一結(jié)果,，才說(shuō)明是好的,。否則說(shuō)明該器件已損壞。左手665收藏時(shí)間：2016年2月6日18：40如何鑒別可控硅的三個(gè)極關(guān)鍵字：可控硅檢測(cè)方法鑒別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單,，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以。陽(yáng)極與陰極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上,，陽(yáng)極和控制極之間的正向和反向電阻在幾百千歐以上（它們之間有兩個(gè)P-N結(jié),，而且方向相反，因此陽(yáng)極和控制極正反向都不通）,?？刂茦O與陰極之間是一個(gè)P-N結(jié)，因此它的正向電阻大約在幾歐-幾百歐的范圍,，反向電阻比正向電阻要大,。可是控制極二極管特性是不太理想的,，反向不是完全呈阻斷狀態(tài)的,，可以有比較大的電流通過(guò)，因此,，有時(shí)測(cè)得控制極反向電阻比較小,，并不能說(shuō)明控制極特性不好。另外,。在使用過(guò)程中,，晶閘管對(duì)過(guò)電壓是很敏感的。新疆可控硅模塊銷(xiāo)售

E接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,?？煽毓柽@種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(小觸發(fā)電流)來(lái)控制導(dǎo)通(可控硅中通過(guò)大電流)的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以它具有開(kāi)關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,，此條件見(jiàn)表1表1可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài)條件說(shuō)明從關(guān)斷到導(dǎo)通1,、陽(yáng)極電位高于是陰極電位2,、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通1,、陽(yáng)極電位高于陰極電位2、陽(yáng)極電流大于維持電流兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷1,、陽(yáng)極電位低于陰極電位2,、陽(yáng)極電流小于維持電流任一條件即可應(yīng)用舉例：可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來(lái)有直流觸發(fā)電路,，交流觸發(fā)電路,，相位觸發(fā)電路等等。1,、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個(gè)電視機(jī)常用的過(guò)壓保護(hù)電路,，當(dāng)E+電壓過(guò)高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高，當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時(shí)DZ道通,，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,，使保險(xiǎn)絲RJ熔斷，從而起到過(guò)壓保護(hù)的作用,。2,、相位觸發(fā)電路：相位觸發(fā)電路實(shí)際上是交流觸發(fā)電路的一種，如圖3,。新疆可控硅模塊銷(xiāo)售按引腳和極性分類(lèi)：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。

4,、控制極觸發(fā)電流Ig1,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,?？煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r(shí)，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個(gè)PNP管和NPN管構(gòu)成,，如下圖所示,。當(dāng)陽(yáng)極A端加上正向電壓時(shí)，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),，此時(shí)由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號(hào),，使得BG2管有基極電流ib2通過(guò)，經(jīng)過(guò)BG2管的放大后,，其集電極電流為ic2=β2ib2,。而ic2沿電路流至BG1的基極，故有ib1=ic2,，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后,，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2。此電流又流回BG2的基極,，使得BG2的基極電流ib2增大,，從而形成正向反饋使電流劇增，進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通,。由于在電路中形成了正反饋,，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無(wú)法關(guān)斷，即使控制極G端的電流消失,，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài),。

雙向可控硅作用1、雙向可控硅在電路中的作用是：用于交流調(diào)壓或交流電子開(kāi)關(guān),。2,、雙向可控硅”是在普通可控硅的基礎(chǔ)上發(fā)展而成的，它不僅能代替兩只反極性并聯(lián)的可控硅,，而且*需一個(gè)觸發(fā)電路,，是比較理想的交流開(kāi)關(guān)器件。其英文名稱(chēng)TRIAC即三端雙向交流開(kāi)關(guān)之意,。3,、可控硅的優(yōu)點(diǎn)很多，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,；反應(yīng)極快,，在微秒級(jí)內(nèi)開(kāi)通、關(guān)斷,；無(wú)觸點(diǎn)運(yùn)行,，無(wú)火花、無(wú)噪音,；效率高,，成本低等等。雙向可控硅應(yīng)用現(xiàn)在可控硅應(yīng)用市場(chǎng)很多,，可控硅應(yīng)用在自動(dòng)控制領(lǐng)域,，機(jī)電領(lǐng)域，工業(yè)電器及家電等方面都有可控硅的身影,。許先生告訴記者,，他目前的幾個(gè)大單中還有用于卷發(fā)產(chǎn)品的單，可見(jiàn)可控硅在人們的生活中都有應(yīng)用,。更重要的是,，可控硅應(yīng)用相當(dāng)穩(wěn)定，比方說(shuō)用于家電產(chǎn)品中的電子開(kāi)關(guān),，可以說(shuō)是鮮少變化的。無(wú)論其他的元件怎么變化,，可控硅的變化是不大的,，這相對(duì)來(lái)說(shuō)，等于擴(kuò)大的可控硅的應(yīng)用市場(chǎng),，減少了投資的風(fēng)險(xiǎn),。過(guò)零觸發(fā)型交流固態(tài)繼電器（AC-SSR）的內(nèi)部電路。主要包括輸入電路,、光電耦合器,、過(guò)零觸發(fā)電路、開(kāi)關(guān)電路（包括雙向晶閘管）,、保護(hù)電路（RC吸收網(wǎng)絡(luò)）,。當(dāng)加上輸入信號(hào)VI（一般為高電平）、并且交流負(fù)載電源電壓通過(guò)零點(diǎn)時(shí),。雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的。

可控硅概況可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱(chēng),，是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,，一般由兩晶閘管反向連接而成。它的功能不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)的快速接通或切斷,；實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,；將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn)。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè)、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè)、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。目前可控硅在自動(dòng)控制,、機(jī)電應(yīng)用、工業(yè)電氣及家電等方面都有的應(yīng)用,?？煽毓鑿耐庑紊蠀^(qū)分主要有螺旋式、平板式和平底式三種,。螺旋式應(yīng)用較多,。可控硅工作原理解析可控硅結(jié)構(gòu)原件可控硅有三個(gè)極----陽(yáng)極（A）,、陰極（C）和控制極（G）,，管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu)，共有三個(gè)PN結(jié),，與只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,。可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引入,，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。可控硅應(yīng)用時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓,，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓。目前已能制造出電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,?？煽毓枋强煽毓枵髟暮?jiǎn)稱(chēng),是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。新疆可控硅模塊銷(xiāo)售

雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。新疆可控硅模塊銷(xiāo)售

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門(mén)極觸發(fā)電流VGT=V------------門(mén)極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過(guò)電壓（換流過(guò)電壓,、空穴積蓄效應(yīng)過(guò)電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過(guò)電壓,。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過(guò)程中,，管子在反向作用下,，正向電流下降到零時(shí)，元件內(nèi)部殘存著載流子,。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,，使殘存的載流子迅速消失，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大,，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大,，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián)，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上,，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿,。這就是關(guān)斷過(guò)電壓（換相過(guò)電壓）。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍,。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路,。2．交流側(cè)過(guò)電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開(kāi)時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過(guò)程，會(huì)產(chǎn)生操作過(guò)電壓,。高壓合閘的瞬間,，由于初次級(jí)之間存在分布電容，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí),，出現(xiàn)瞬時(shí)過(guò)電壓。新疆可控硅模塊銷(xiāo)售