晶閘管一般指晶體閘流管晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡(jiǎn)稱,，又可稱做可控硅整流器,，以前被簡(jiǎn)稱為可控硅；1957年美國(guó)通用電器公司開發(fā)出世界上***晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化,；晶閘管是PNPN四層半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)，它有三個(gè)極：陽(yáng)極,，陰極和門極,；晶閘管工作條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流；其派生器件有：快速晶閘管,，雙向晶閘管,，逆導(dǎo)晶閘管，光控晶閘管等,。它是一種大功率開關(guān)型半導(dǎo)體器件,，在電路中用文字符號(hào)為“V”、“VT”表示（舊標(biāo)準(zhǔn)中用字母“SCR”表示）,。晶閘管具有硅整流器件的特性,，能在高電壓、大電流條件下工作,，且其工作過(guò)程可以控制,、被***應(yīng)用于可控整流、交流調(diào)壓,、無(wú)觸點(diǎn)電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中。中文名晶閘管外文名Thyristo目錄1種類2工作原理3工作條件4工作過(guò)程5注意事項(xiàng)6如何保護(hù)晶閘管晶體閘流管種類編輯（一）按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類晶閘管按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通晶閘管,、雙向晶閘管、逆導(dǎo)晶閘管,、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）,、BTG晶閘管、溫控晶閘管和光控晶閘管等多種,。,。 以拆解的IGBT模塊型號(hào)為：FF1400R17IP4為例。模塊外觀及等效電路如圖1所示,。中國(guó)臺(tái)灣好的IGBT模塊出廠價(jià)格

    不需要具體計(jì)算IAT,、IG之值，只要讀出二者所對(duì)應(yīng)的表針正向偏轉(zhuǎn)格數(shù),，即可迅速估測(cè)關(guān)斷增益值,。晶體閘流管注意事項(xiàng)編輯（1）在檢查大功率GTO器件時(shí)，建議在R×1檔外邊串聯(lián)一節(jié)′,，以提高測(cè)試電壓和測(cè)試電流,，使GTO可靠地導(dǎo)通。（2）要準(zhǔn)確測(cè)量GTO的關(guān)斷增益βoff,，必須有**測(cè)試設(shè)備,。但在業(yè)余條件下可用上述方法進(jìn)行估測(cè)。由于測(cè)試條件不同,，測(cè)量結(jié)果*供參考,，或作為相對(duì)比較的依據(jù)。逆導(dǎo)晶閘管RCT(Reverse-ConductingThyristir)亦稱反向?qū)ňчl管,。其特點(diǎn)是在晶閘管的陽(yáng)極與陰極之間反向并聯(lián)一只二極管,，使陽(yáng)極與陰極的發(fā)射結(jié)均呈短路狀態(tài)。由于這種特殊電路結(jié)構(gòu),，使之具有耐高壓,、耐高溫、關(guān)斷時(shí)間短,、通態(tài)電壓低等優(yōu)良性能,。例如，逆導(dǎo)晶閘管的關(guān)斷時(shí)間*幾微秒,，工作頻率達(dá)幾十千赫,，優(yōu)于快速晶閘管（FSCR）。該器件適用于開關(guān)電源,、UPS不間斷電源中,，一只RCT即可代替晶閘管和續(xù)流二極管各一只,，不*使用方便,，而且能簡(jiǎn)化電路設(shè)計(jì),。逆導(dǎo)晶閘管的符號(hào)、等效電路如圖1(a),、(b)所示,。其伏安特性見圖2。由圖顯見,，逆導(dǎo)晶閘管的伏安特性具有不對(duì)稱性,，正向特性與普通晶閘管SCR相同，而反向特性與硅整流管的正向特性相同（*坐標(biāo)位置不同）,。 中國(guó)臺(tái)灣好的IGBT模塊出廠價(jià)格由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,。

    不*使設(shè)備的體積重量增大，而且會(huì)降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲,。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點(diǎn)，以具有自關(guān)斷能力,，使用方便,，是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過(guò)巨型晶體管（GTR）,，只是工作頻紡比GTR低。GTO已達(dá)到3000A,、4500V的容量,。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強(qiáng)大的生命力?？申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,，其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號(hào),。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同，但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即外于深度飽和狀態(tài),，而GTO在導(dǎo)通后只能達(dá)到臨界飽和,，所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號(hào)即可關(guān)斷。GTO的一個(gè)重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,，βoff,，它等于陽(yáng)極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大,，說(shuō)明門極電流對(duì)陽(yáng)極電流的控制能力愈強(qiáng)。很顯然,，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。

    這主要是因?yàn)槭褂胿ce退飽和檢測(cè)時(shí)，檢測(cè)盲區(qū)(1-8微秒)相對(duì)較長(zhǎng),，發(fā)射極電壓檢測(cè)閾值設(shè)置的相對(duì)較高,，使檢測(cè)效果并不理想。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：本實(shí)用新型的目的是提供一種ipm模塊短路檢測(cè)電路,，解決了現(xiàn)有ipm模塊退飽和短路檢測(cè)因檢測(cè)盲區(qū)時(shí)間長(zhǎng),，使ipm模塊發(fā)生損壞的問(wèn)題。本實(shí)用新型所采用的技術(shù)方案是,，一種ipm模塊短路檢測(cè)電路,，包括連接在ipm模塊發(fā)射極端子與柵極端子之間的低阻值電阻r、放大濾波電路,、保護(hù)電路和驅(qū)動(dòng)電路,，放大濾波電路采集放大電阻r的電流，保護(hù)電路將放大的電流信號(hào)轉(zhuǎn)換為電壓信號(hào)u,，并與閾值電壓uref進(jìn)行比較,，若u本實(shí)用新型的技術(shù)特征還在于，電阻r的阻值為～,。保護(hù)電路包括依次相連接的電阻r1,、高壓二極管d2、電阻r2,、限幅電路和比較器,，限幅電路包括二極管vd1和二極管vd2，所述限幅電路中二極管vd1輸入端分別接+15v電源和電阻r2,，二極管vd1輸出端與二極管vd2輸入端相連接,，二極管vd2輸出端接地，高壓二極管d2輸出端與二極管vd2輸入端相連接,，二極管vd1輸出端與比較器輸入端相連接,，所述放大濾波電路與電阻r1相連接。驅(qū)動(dòng)電路包括功率放大模塊,。放大濾波電路的放大倍數(shù)為20倍,。本實(shí)用新型的有益效果是,。 從晶閘管的電路符號(hào)〔圖2(b）〕可以看到，它和二極管一樣是一種單方向?qū)щ姷钠骷?/p>

    智能功率模塊(IPM)是IntelligentPowerModule的縮寫,，是一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件,，具有GTR(大功率晶體管)高電流密度、低飽和電壓和耐高壓的優(yōu)點(diǎn),以及MOSFET(場(chǎng)效應(yīng)晶體管)高輸入阻抗,、高開關(guān)頻率和低驅(qū)動(dòng)功率的優(yōu)點(diǎn),。而且IPM內(nèi)部集成了邏輯,、控制,、檢測(cè)和保護(hù)電路，使用起來(lái)方便,不*減小了系統(tǒng)的體積以及開發(fā)時(shí)間,，也**增強(qiáng)了系統(tǒng)的可靠性,，適應(yīng)了當(dāng)今功率器件的發(fā)展方向——模塊化、復(fù)合化和功率集成電路(PIC),，在電力電子領(lǐng)域得到了越來(lái)越***的應(yīng)用,。中文名智能功率模塊外文名IPM概念一種先進(jìn)的功率開關(guān)器件全稱IntelligentPowerModule目錄1IPM結(jié)構(gòu)2內(nèi)部功能機(jī)制3電路設(shè)計(jì)智能功率模塊IPM結(jié)構(gòu)編輯結(jié)構(gòu)概念I(lǐng)PM由高速、低功率的IGBT芯片和推薦的門級(jí)驅(qū)動(dòng)及保護(hù)電路構(gòu)成,，如圖1所示,。其中，IGBT是GTR和MOSFET的復(fù)合,，由MOSFET驅(qū)動(dòng)GTR,，因而IGBT具有兩者的優(yōu)點(diǎn)。IPM根據(jù)內(nèi)部功率電路配置的不同可分為四類:H型(內(nèi)部封裝一個(gè)IGBT),、D型(內(nèi)部封裝兩個(gè)IGBT),、C型(內(nèi)部封裝六個(gè)IGBT)和R型(內(nèi)部封裝七個(gè)IGBT)。小功率的IPM使用多層環(huán)氧絕緣系統(tǒng),，中大功率的IPM使用陶瓷絕緣,。IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，絕緣柵雙極型晶體管,。廣東質(zhì)量IGBT模塊代理品牌

IGBT功率模塊是以絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）構(gòu)成的功率模塊,。中國(guó)臺(tái)灣好的IGBT模塊出廠價(jià)格

    2、肖特基二極管模塊肖特基二極管A為正極,，以N型半導(dǎo)體B為負(fù)極利用二者接觸面上形成的勢(shì)壘具有整流特性而制成的金屬半導(dǎo)體器件,。特性是正向?qū)妷旱停聪蚧謴?fù)時(shí)間小,，正向整流大,，應(yīng)用在低壓大電流輸出場(chǎng)合做高頻整流。肖特基二極管模塊分50V肖特基二極管模塊,，100V肖特基二極管模塊,，150V肖特基二極管模塊,，200V肖特基二極模塊等。3,、整流器二極管模塊整流二極管模塊是利用二極管正向?qū)?，反向截止的原理，將交流電能轉(zhuǎn)變?yōu)橘|(zhì)量電能的半導(dǎo)體器件,。特性是耐高壓,，功率大，整流電流較大,，工作頻率較低,，主要用于各種低頻半波整流電路，或連成整流橋做全波整流,。整流管模塊一般是400-3000V的電壓,。4、光伏防反二極管模塊防反二極管也叫做防反充二極管,，就是防止方陣電流反沖,。在光伏匯流箱中選擇光伏防反二極管時(shí)，由于受到匯流箱IP65等級(jí)的限制,，一般選擇模塊式的會(huì)更簡(jiǎn)便,。選擇防反二極管模塊的主要條件為壓降低、熱阻小,、熱循環(huán)能力強(qiáng),。目前，市場(chǎng)上有光伏**防反二極管模塊與普通二極管模塊兩種類型可供選擇,。兩種模塊的區(qū)別在于：①光伏**防反二極管模塊具有壓降低（通態(tài)壓降）,，而普通二極管模塊通態(tài)壓降達(dá)到。壓降越低,，模塊的功耗越小,，散發(fā)的熱量相應(yīng)也減小。 中國(guó)臺(tái)灣好的IGBT模塊出廠價(jià)格