通過上面對(duì)工作原理的分析可知,，可控硅只具有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，那么這兩種工作狀態(tài)之間如何進(jìn)行轉(zhuǎn)換呢,？狀態(tài)的轉(zhuǎn)換需要什么條件呢,？下圖將會(huì)告訴你答案?？煽毓柚饕獏?shù)⒈額定通態(tài)電流（IT）即大穩(wěn)定工作電流,，俗稱電流。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。⒉反向重復(fù)峰值電壓（VRRM）或斷態(tài)重復(fù)峰值電壓（VDRM）,，俗稱耐壓。常用可控硅的VRRM/VDRM一般為幾百伏到一千伏,。⒊控制極觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安,。4,，在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過陰極和陽極的電流平均值可控硅用途普通晶閘管基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管，就可以構(gòu)成可控整流電路,。以簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通,，只有在U2處于正半周，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通,。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,?？煽毓?SiliconControlledRectifier)簡稱SCR，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管,。甘肅優(yōu)勢(shì)可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質(zhì),。與變壓器,、電阻器相比，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理,，它是采用相位控制方法來實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的,。對(duì)于普通反向阻斷型可控硅，其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),，可控硅就導(dǎo)通,；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷,。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的,。在正弦波交流電過零后的某一時(shí)刻t1(或某一相位角wt1)，在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,，使可控硅導(dǎo)通,，根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束,。因此在正弦波的正半周(即0~p區(qū)間)中,，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角,，常用a表示,；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角,，常用j表示,。同理在正弦波交流電的負(fù)半周，對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅(對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言)在t2時(shí)刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖,，使其導(dǎo)通,。如此周而復(fù)始，對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通,，獲得相同的導(dǎo)通角,。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間(或相位)。安徽可控硅模塊批發(fā)價(jià)大,；**率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路,。像可調(diào)壓輸出直流電源等等。

陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí)，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。4,、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓璧姆诸愐?、按關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。二,、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅,。

可控硅可控硅簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管,。它具有體積小,、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡稱TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件,，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低，載流密度大,，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開關(guān)速度快,，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn),，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī)、變頻器,、開關(guān)電源,、照明電路、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,?？煽毓枰话阕龀陕菟ㄐ魏推桨逍危腥齻€(gè)電極，用硅半導(dǎo)體材料制成的管芯由PNPN四層組成,。

4,、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r(shí),，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個(gè)PNP管和NPN管構(gòu)成，如下圖所示,。當(dāng)陽極A端加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時(shí)由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號(hào),，使得BG2管有基極電流ib2通過,，經(jīng)過BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2,。而ic2沿電路流至BG1的基極,，故有ib1=ic2，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后,，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2,。此電流又流回BG2的基極，使得BG2的基極電流ib2增大,，從而形成正向反饋使電流劇增,，進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通。由于在電路中形成了正反饋,，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無法關(guān)斷,，即使控制極G端的電流消失，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài),。按關(guān)斷速度分類：可控硅按其關(guān)斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。安徽可控硅模塊批發(fā)價(jià)

可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過載能力較差；容易受干擾而誤導(dǎo)通。甘肅優(yōu)勢(shì)可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

晶閘管等元件通過整流來實(shí)現(xiàn),。除此之外整流器件還有很多,，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管,，雙向晶閘管，整流模塊,，功率模塊IGBT,，SIT，MOSFET等等,，這里只探討晶閘管,。晶閘管又名可控硅，通常人們都叫可控硅,。是一種功率半導(dǎo)體器件,，由于它效率高，控制特性好,，壽命長,，體積小等優(yōu)點(diǎn)，自上個(gè)世紀(jì)六十長代以來,，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科?！熬чl管交流技術(shù)”,。晶閘管發(fā)展到，在工藝上已經(jīng)非常成熟,，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高，并向高壓大電流發(fā)展,。目前國內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A,，國外更大。我國的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國自行研制的大功率晶閘管,。晶閘管的應(yīng)用：一,、可控整流如同二極管整流一樣，可以把交流整流為直流,，并且在交流電壓不變的情況下,，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流，實(shí)現(xiàn)交流——可變直流二,、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器,、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā),，實(shí)現(xiàn)負(fù)載交流功率的無級(jí)調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器,。交流——可變交流。三,、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流,，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗。甘肅優(yōu)勢(shì)可控硅模塊廠家現(xiàn)貨