故晶閘管的陽(yáng)極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài),。當(dāng)晶閘管在正向陽(yáng)極電壓下,，從門(mén)極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過(guò)PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),。這樣強(qiáng)烈的正反饋過(guò)程迅速進(jìn)行。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí),，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽(yáng)極電流Ia.這時(shí)，流過(guò)晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài),。式（1—1）中，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門(mén)極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來(lái)的陽(yáng)極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通,。晶閘管在導(dǎo)通后，門(mén)極已失去作用,。在晶閘管導(dǎo)通后,，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻，使陽(yáng)極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),，由于a1和a1迅速下降,，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí)，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),?？煽毓柙碇饕猛揪庉嬁煽毓柙碚髌胀煽毓杌镜挠猛揪褪强煽卣鳌４蠹沂煜さ亩O管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成可控硅,，就可以構(gòu)成可控整流電路。我畫(huà)一個(gè)簡(jiǎn)單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC。江西國(guó)產(chǎn)可控硅模塊品牌

可控硅觸發(fā)器/板是驅(qū)動(dòng)晶閘管的移相型電力控制器，其部件采用高性能,、高可靠性的單片機(jī),。輸出觸發(fā)脈沖具有極高的對(duì)稱(chēng)性及穩(wěn)定性，且不隨環(huán)境溫度變化,，使用中不需要對(duì)脈沖對(duì)稱(chēng)度及限位進(jìn)行調(diào)整?，F(xiàn)場(chǎng)調(diào)試一般不需要示波器即可完成。接線簡(jiǎn)單,，操作方便，可接受信：,，手動(dòng)電位器10K，自帶限幅可調(diào)電位器,，軟起時(shí)間可設(shè)定,，功能多樣化,。一般分為單相可控硅觸發(fā)板，三相可控硅觸發(fā)板,。雙向可控硅觸發(fā)板等,，輔助功能有：常用的開(kāi)環(huán)觸發(fā)板比較多,，有閉環(huán)的,，含恒流,，恒壓,，限壓,，限流，軟起動(dòng),，限幅等,。觸發(fā)類(lèi)型上分：光電隔離型觸發(fā)板,，脈沖變壓型觸發(fā)板,，變壓器隔離型觸發(fā)板,，還有模擬觸發(fā)電路型等,。它可的應(yīng)用于工業(yè)各領(lǐng)域的電壓電流調(diào)節(jié),，適用于電阻性負(fù)載、電感性負(fù)載,、變壓器一次側(cè)及各種整流裝置等,。*以鎳鉻,、鐵鉻鋁、遠(yuǎn)紅外發(fā)熱元件及硅鉬棒,、硅碳棒等為加熱元件的溫度控制,。*鹽浴爐,、工頻感應(yīng)爐,、淬火爐,、熔融玻璃的溫度加熱控制,。*整流變壓器,、調(diào)功機(jī)（純電感線圈）、電爐變壓器一次側(cè),、升磁/退磁調(diào)節(jié),、直流電機(jī)控制。*電壓,、電流,、功率,、燈光(高壓鈉燈控制必須用穩(wěn)壓功能配套PID控制板)等無(wú)級(jí)平滑調(diào)節(jié),。山東哪里有可控硅模塊現(xiàn)價(jià)可控硅導(dǎo)通后,，當(dāng)陽(yáng)極電流小干維持電流In時(shí).可控硅關(guān)斷,。

并且在“BT”后加“A”或“B”來(lái)表示絕緣與非絕緣,。組合成：“BTA”、“BTB”系列的雙向可控硅型號(hào),，如：四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C,、BTA12-600B,、BTA16-600B、BTA41-600B等等,；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C,、BTB12-600B,、BTB16-600B,、BTB41-600B等等,；ST公司所有產(chǎn)品型號(hào)的后綴字母(型號(hào)一個(gè)字母)帶“W”的,，均為“三象限雙向可控硅”。如“BW”,、“CW”,、“SW”、“TW”,；型號(hào)如:BTB12-600BW,、BTA26-700CW、BTA08-600SW,、,、、,、等等,。至于型號(hào)后綴字母的觸發(fā)電流，各個(gè)廠家的含義如下：PHILIPS公司：D=5mA,，E=10mA,，C=15mA，F(xiàn)=25mA,，G=50mA,，R=200uA或5mA，型號(hào)沒(méi)有后綴字母之觸發(fā)電流,，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流字母沒(méi)有統(tǒng)一的定義，以產(chǎn)品的封裝不同而不同,。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA，CW=35mA,，BW=50mA,，C=25mA，B=50mA,，H=15mA,，T=15mA，注意：以上觸發(fā)電流均有一個(gè)上下起始誤差范圍,，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細(xì)說(shuō)明一般分為最小值/典型值/最大值,，而非“=”一個(gè)參數(shù)值,。

表針應(yīng)向右偏并保持在十幾歐姆位置，如下圖所示,，否則說(shuō)明單向可控硅已損壞,。三、檢測(cè)雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件,。雙向可控硅的3個(gè)引腳分別是控制極G,，主電極T1和主電極T2，如下圖所示,。由于雙向可控硅的兩個(gè)主電極是對(duì)稱(chēng)的,，因此使用中可以任意互換。檢測(cè)時(shí),，萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,，先用兩表筆測(cè)量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正、反向電阻,，均應(yīng)為較小阻值,。如下圖所示。再用萬(wàn)用表兩表筆測(cè)量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正,、反向電阻,，均應(yīng)為無(wú)窮大，如下圖所示,。四,、檢測(cè)雙向可控硅的導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔，黑表筆接雙向可控硅主電極T1,，紅表筆接主電極T2,，表針指示應(yīng)為無(wú)窮大，這是將控制極G與主電極T2短接一下,，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆位置，如下圖所示,。否則說(shuō)明該雙向可控硅已壞,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。

可控硅又稱(chēng)晶閘管（晶體閘流管）,，是一種常用的功率型半導(dǎo)體器件，其主要的功能是功率控制,?？煽毓杩煞譃閱蜗蚩煽毓?、雙向可控硅,、可關(guān)斷可控硅等?？煽毓璧奶攸c(diǎn)是具有可控的單向?qū)щ娦裕孕‰娏骺刂拼箅娏?，以低電壓控制高電壓?？煽毓杩梢杂萌f(wàn)用表進(jìn)行檢測(cè)。一,、檢測(cè)單向可控硅單向可控硅是PNPN四層結(jié)構(gòu),，形成3個(gè)PN結(jié)，具有3個(gè)外電極：陽(yáng)極A,、陰極K、控制極G。單向可控硅的引腳如下圖所示,。檢測(cè)時(shí),，萬(wàn)用表置于“Rx10Ω”檔,，黑表筆（表內(nèi)電池正極）接單向可控硅的控制極G，紅表筆（表內(nèi)電池負(fù)極）接單向可控硅的陰極K,，這時(shí)測(cè)量的是單向可控硅PN結(jié)的正向電阻,，應(yīng)有較小的阻值,。如下圖所示,。對(duì)調(diào)兩表筆后,，測(cè)其反向電阻，應(yīng)比正向電阻明顯大一些,。萬(wàn)用表黑表筆仍接單向可控硅控制極G,，紅表筆改接單向可控硅的陽(yáng)極A，阻值應(yīng)為無(wú)窮大,，如下圖所示。對(duì)調(diào)兩表筆后，再測(cè),，阻值仍應(yīng)為無(wú)窮大,。這是因?yàn)镚、A間為兩個(gè)PN結(jié)反向串聯(lián),，正常情況下其正,、反向阻值均為無(wú)窮大。二,、檢測(cè)單向晶閘管導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,，黑表筆接單向可控硅陽(yáng)極A，紅表筆接單向可控硅陰極K,，表針應(yīng)指示為無(wú)窮大,。這是用金屬導(dǎo)體將控制極G與陽(yáng)極A短接一下（短接后馬上斷開(kāi)）。實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。河北哪里有可控硅模塊供應(yīng)商

雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的,。江西國(guó)產(chǎn)可控硅模塊品牌

可控硅可控硅簡(jiǎn)稱(chēng)SCR,，是一種大功率電器元件，也稱(chēng)晶閘管,。它具有體積小,、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅，簡(jiǎn)稱(chēng)TRIAC,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開(kāi)關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域。江西國(guó)產(chǎn)可控硅模塊品牌