現(xiàn)代照明設計要求規(guī)定，照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達到，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在,，所以都設計用電容補償功率因數(shù)）在國外發(fā)達國家,，已有明文規(guī)定對電氣設備諧波含量的限制,，在國內(nèi),，北京、上海,、廣州等大城市,，已對諧波含量超標的設備限制并入電網(wǎng)使用。采用可控硅技術對照明系統(tǒng)進行照度控制時,，可通過加裝濾波設備來有效降低諧波污染。近年來,，許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導通,，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等。應用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺照明,、環(huán)境照明領域的主流設備,。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實質(zhì)上就是一個交流調(diào)壓器，老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來實現(xiàn)的,，如下圖所示,。u1是未經(jīng)調(diào)壓的220V交流電的波形，經(jīng)調(diào)壓后的電壓波形為u2,，由于其幅度小于u1,，使燈光變暗。在這種調(diào)光模式中,，雖然改變了正弦交流電的幅值,，但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器,、電阻器相比,，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機理，它是采用相位控制方法來實現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的,。對于普通反向阻斷型可控硅,。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控燈光系統(tǒng),。額定電流：IA小于2A。天津可控硅模塊哪家好

并且在“BT”后加“A”或“B”來表示絕緣與非絕緣,。組合成：“BTA”,、“BTB”系列的雙向可控硅型號，如：四象限/絕緣型/雙向可控硅:BTA06-600C,、BTA12-600B,、BTA16-600B、BTA41-600B等等,；四象限/非絕緣/雙向可控硅:BTB06-600C、BTB12-600B,、BTB16-600B,、BTB41-600B等等；ST公司所有產(chǎn)品型號的后綴字母(型號一個字母)帶“W”的,，均為“三象限雙向可控硅”,。如“BW”、“CW”,、“SW”,、“TW”；型號如:BTB12-600BW,、BTA26-700CW,、BTA08-600SW、,、,、、等等,。至于型號后綴字母的觸發(fā)電流,，各個廠家的含義如下：PHILIPS公司：D=5mA，E=10mA,，C=15mA,，F(xiàn)=25mA，G=50mA,，R=200uA或5mA,，型號沒有后綴字母之觸發(fā)電流，通常為25-35mA,；PHILIPS公司的觸發(fā)電流字母沒有統(tǒng)一的定義,，以產(chǎn)品的封裝不同而不同。意法ST公司：TW=5mA,，SW=10mA,，CW=35mA,，BW=50mA，C=25mA,，B=50mA,，H=15mA，T=15mA,，注意：以上觸發(fā)電流均有一個上下起始誤差范圍,，產(chǎn)品PDF文件中均有詳細說明一般分為最小值/典型值/最大值，而非“=”一個參數(shù)值,。天津可控硅模塊哪家好雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。

即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,，其引出端稱T2極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。1、單,、雙向可控硅的判別：先任測兩個極,，若正、反測指針均不動（R×1擋）,，可能是A,、K或G、A極（對單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2,、G極（對雙向可控硅）。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極,，剩下即為A極,。若正、反向測批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復測，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極,，黑筆所接為T1極，余下是T2極。2,、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對于1~6A單向可控硅，紅筆接K極,，黑筆同時接通G,、A極，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,，指針應指示幾十歐至一百歐,，此時可控硅已被觸發(fā)，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。?。然后瞬時斷開A極再接通，指針應退回∞位置,，則表明可控硅良好,。對于1~6A雙向可控硅，紅筆接T1極,，黑筆同時接G、T2極,，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,，指針應指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）,。然后將兩筆對調(diào),，重復上述步驟測一次。

TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復峰值電流VRRM=V-------------反向重復峰值電壓IRRM=mA------------反向重復峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標準：QB-02-091．晶閘管關斷過電壓（換流過電壓,、空穴積蓄效應過電壓）及保護晶閘管從導通到阻斷,，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓。由于晶閘管在導通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部,，在關斷過程中，管子在反向作用下,，正向電流下降到零時,，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時出現(xiàn)較大的反向電流,，使殘存的載流子迅速消失,，這時反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應電勢很大,，這個電勢與電源串聯(lián),，反向加在已恢復阻斷的元件上，可導致晶閘管反向擊穿,。這就是關斷過電壓（換相過電壓）,。數(shù)值可達工作電壓的5~6倍,。保護措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路。2．交流側(cè)過電壓及其保護由于交流側(cè)電路在接通或斷開時出現(xiàn)暫態(tài)過程,，會產(chǎn)生操作過電壓,。高壓合閘的瞬間，由于初次級之間存在分布電容,，初級高壓經(jīng)電容耦合到次級,，出現(xiàn)瞬時過電壓?？煽毓璧膬?yōu)點很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達幾十萬倍,。

措施：在三相變壓器次級星形中點與地之間并聯(lián)適當電容,，就可以明顯減小這種過電壓。與整流器并聯(lián)的其它負載切斷時,，因電源回路電感產(chǎn)生感應電勢的過電壓,。變壓器空載且電源電壓過零時，初級拉閘,，因變壓器激磁電流的突變,，在次級感生出很高的瞬時電壓，這種電壓尖峰值可達工作電壓的6倍以上,。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓,，即偶發(fā)性浪涌電壓，都必須加阻容吸收路進行保護,。3．直流側(cè)過電壓及保護當負載斷開時或快熔斷時,，儲存在變壓器中的磁場能量會產(chǎn)生過電壓，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護電路可以抑制這種過電壓,，但由于變壓器過載時儲存的能量比空載時要大,，還不能完全消除。措施：能常采用壓敏吸收進行保護,。4．過電流保護一般加快速熔斷器進行保護,，實際上它不能保護可控硅，而是保護變壓器線圈,。5．電壓,、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好，很容易燒壞元件,。為了解決均流問題,，過去加均流電抗器，噪聲很大，效果也不好,，一只一只進行對比,，擰螺絲松緊，很盲目,，效果差,，噪音大，耗能,。我們采用的辦法是：用計算機程序軟件進行動態(tài)參數(shù)篩選匹配,、編號，裝配時按其號碼順序裝配,，很間單,。每一只元件上都刻有字，以便下更換時參考,。按關斷速度分類：可控硅按其關斷速度可分為普通可控硅和高頻（快速）可控硅,。中國澳門國產(chǎn)可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

其中，金屬封裝可控硅又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種。天津可控硅模塊哪家好

4,、控制極觸發(fā)電流Ig1,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽極---陰極間加有一定電壓時,，可控硅從關斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導通所必需的小陽極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世,，如適于高頻應用的快速可控硅，可以用正或負的觸發(fā)信號控制兩個方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號使其導通,，用負觸發(fā)信號使其關斷的可控硅等等?？煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r,，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個PNP管和NPN管構(gòu)成，如下圖所示,。當陽極A端加上正向電壓時,，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號，使得BG2管有基極電流ib2通過,，經(jīng)過BG2管的放大后,，其集電極電流為ic2=β2ib2。而ic2沿電路流至BG1的基極,，故有ib1=ic2,，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2,。此電流又流回BG2的基極,，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增,，進而使得可控硅飽和并導通,。由于在電路中形成了正反饋，所以可控硅一旦導通后無法關斷,，即使控制極G端的電流消失,，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導通的狀態(tài)。天津可控硅模塊哪家好