雖然改變了正弦交流電的幅值,，但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器,、電阻器相比,，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理，它是采用相位控制方法來實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的,。對于普通反向阻斷型可控硅,，其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí)，可控硅就導(dǎo)通,；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持,，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過零后的某一時(shí)刻t1(或某一相位角wt1),，在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性,，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束,。因此在正弦波的正半周(即0~p區(qū)間)中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,，這一范圍稱為控制角,，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,，這一范圍稱為導(dǎo)通角,，常用j表示。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,，對處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅(對兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言)在t2時(shí)刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖,，使其導(dǎo)通。如此周而復(fù)始,，對正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通,，獲得相同的導(dǎo)通角。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間(或相位),?？刂茦O觸發(fā)電流（IGT）,，俗稱觸發(fā)電流,。常用可控硅的IGT一般為幾微安到幾十毫安。黑龍江可控硅模塊工廠直銷

現(xiàn)代照明設(shè)計(jì)要求規(guī)定,，照明系統(tǒng)率因數(shù)必須達(dá)到,，而氣體放電燈的功率因數(shù)在一般在，所以都設(shè)計(jì)用電容補(bǔ)償功率因數(shù)）在國外發(fā)達(dá)國家,，已有明文規(guī)定對電氣設(shè)備諧波含量的限制,，在國內(nèi)，北京,、上海,、廣州等大城市，已對諧波含量超標(biāo)的設(shè)備限制并入電網(wǎng)使用,。采用可控硅技術(shù)對照明系統(tǒng)進(jìn)行照度控制時(shí),，可通過加裝濾波設(shè)備來有效降低諧波污染,。近年來,，許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等。應(yīng)用介紹------可控硅在調(diào)光器中的應(yīng)用：可控硅調(diào)光器是目前舞臺(tái)照明,、環(huán)境照明領(lǐng)域的主流設(shè)備,。在照明系統(tǒng)中使用的各種調(diào)光器實(shí)質(zhì)上就是一個(gè)交流調(diào)壓器，老式的變壓器和變阻器調(diào)光是采用調(diào)節(jié)電壓或電流的幅度來實(shí)現(xiàn)的,，如下圖所示,。u1是未經(jīng)調(diào)壓的220V交流電的波形，經(jīng)調(diào)壓后的電壓波形為u2,，由于其幅度小于u1,，使燈光變暗。在這種調(diào)光模式中,，雖然改變了正弦交流電的幅值,，但并未改變其正弦波形的本質(zhì)。與變壓器,、電阻器相比,，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理，它是采用相位控制方法來實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的,。對于普通反向阻斷型可控硅,。廣西國產(chǎn)可控硅模塊貨源充足雙向可控硅的特性曲線是由一、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的,。

若測得元件陰陽極正反向已短路,，或陽極與控制極短路，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路,，說明元件已損壞?？煽毓韫ぷ髟硎鞘裁?(圖)可控硅工作原理是什么?(圖)可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管,，當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí)，陰極和陽極就導(dǎo)通了,?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種，都是三個(gè)電極,。單向可控硅有陰極（K）,、陽極（A）、控制極（G）,。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成,。即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連，其引出端稱T2極，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連,，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）。1,、單,、雙向可控硅的判別：先任測兩個(gè)極，若正,、反測指針均不動(dòng)（R×1擋）,，可能是A、K或G,、A極（對單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2、G極（對雙向可控硅）,。若其中有一次測量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極,，剩下即為A極。若正,、反向測批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測,，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極,，余下是T2極,。2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G,、A極,。

措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容，就可以明顯減小這種過電壓,。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí),，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢的過電壓。變壓器空載且電源電壓過零時(shí),，初級(jí)拉閘,，因變壓器激磁電流的突變,，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上,。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過電壓，即偶發(fā)性浪涌電壓,，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù),。3．直流側(cè)過電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開時(shí)或快熔斷時(shí)，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場能量會(huì)產(chǎn)生過電壓,，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過電壓，但由于變壓器過載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大,，還不能完全消除,。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù)。4．過電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù),，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅,，而是保護(hù)變壓器線圈。5．電壓,、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好,，很容易燒壞元件。為了解決均流問題,，過去加均流電抗器,，噪聲很大，效果也不好,，一只一只進(jìn)行對比,，擰螺絲松緊，很盲目,，效果差,，噪音大，耗能,。我們采用的辦法是：用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配,、編號(hào)，裝配時(shí)按其號(hào)碼順序裝配,，很間單,。每一只元件上都刻有字，以便下更換時(shí)參考,。按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、率可控硅和小功率可控硅三種。

即導(dǎo)通角為180°（或p）,。正是由于正弦波被切割,、波形遭受破壞,，會(huì)給電網(wǎng)帶來干擾等問題……好的調(diào)光設(shè)備應(yīng)采取必要措施，努力降低使用可控硅技術(shù)后產(chǎn)生的干擾,?？煽毓璧淖饔每煽毓璧淖饔弥痪褪强煽卣鳎@也是可控硅基本也重要的作用,。大家所熟知的二極管整流電路只可完成整流的功能,，并沒有實(shí)現(xiàn)可控，而一旦把二極管換做可控硅,，便構(gòu)成了一個(gè)可控整流電路,。在一個(gè)基本的單相半波可控整流電路中，當(dāng)正弦交流電壓處于正半周時(shí),，只有在控制極外加觸發(fā)脈沖時(shí),，可控硅才被觸發(fā)導(dǎo)通，負(fù)載上才會(huì)有電壓輸出,，因此可以通過改變控制極上觸發(fā)脈沖到來的時(shí)間,，來進(jìn)一步調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值，達(dá)到可控整流的作用,?？煽毓璧淖饔弥褪怯米鳠o觸點(diǎn)開關(guān)，經(jīng)常用于自動(dòng)化設(shè)備中,，代替通用繼電器,，具有無噪音、壽命長的特點(diǎn),?？煽毓璧淖饔萌洪_關(guān)和調(diào)壓作用可控硅的作用之三就是起到開關(guān)和調(diào)壓的作用，經(jīng)常應(yīng)用于交流電路中,，由于其被觸發(fā)時(shí)間不同,，因此通過它的電流只有其交流周期的一部分，通過它的電壓只有全電壓的一部分,，因而起到調(diào)節(jié)輸出電壓的作用,。可控硅有三個(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。北京優(yōu)勢可控硅模塊工廠直銷

它具有體積小,、效率高、壽命長等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)小功率控件控制大功率設(shè)備,。黑龍江可控硅模塊工廠直銷

早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域,，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類,；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA)、普通整流管模塊(MDC),、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC)、快速晶閘管,、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說的電焊機(jī)模塊MTG\MDG),、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS)、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等,。可控硅模塊優(yōu)點(diǎn)編輯體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線簡單,、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長足發(fā)展。黑龍江可控硅模塊工廠直銷