一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,。我們可以把從陰極向上數(shù)的、二、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二,、三、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用?？僧嫵鰣D1的等效電路圖,。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2,，經(jīng)放大，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2,。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連,，IC2又是BG1的基極電流Ib1。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的,，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加到控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2），這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓,，使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然，如果E極性反接,。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦?，而且還具有比硅整流元件。湖北可控硅模塊供應(yīng)商

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū),，附于其上的電極稱為源極。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū),，附于其上的電極稱為柵極。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏,、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成），稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector）,，它是IGBT特有的功能區(qū)，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用,，向漏極注入空穴，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通,。反之,，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡(jiǎn)單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。吉林進(jìn)口可控硅模塊哪里有賣的按電流容量分類：可控硅按電流容量可分為大功率可控硅,、率可控硅和小功率可控硅三種,。

若測(cè)得元件陰陽(yáng)極正反向已短路，或陽(yáng)極與控制極短路,，或控制極與陰極反向短路,，或控制極與陰極斷路，說明元件已損壞,?？煽毓韫ぷ髟硎鞘裁?(圖)可控硅工作原理是什么?(圖)可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管，當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí),，陰極和陽(yáng)極就導(dǎo)通了,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,，都是三個(gè)電極,。單向可控硅有陰極（K）、陽(yáng)極（A）,、控制極（G）,。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。即其中一只單向硅陽(yáng)極與另一只陰極相邊連,，其引出端稱T2極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽(yáng)極相連，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。1、單,、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極,，若正、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋）,，可能是A,、K或G、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2,、G極（對(duì)雙向可控硅）。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅,。且紅筆所接為K極，黑筆接的為G極,，剩下即為A極,。若正、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅,。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),，其中必有一次阻值稍大，則稍大的一次紅筆接的為G極,，黑筆所接為T1極,，余下是T2極。2,、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對(duì)于1~6A單向可控硅，紅筆接K極,，黑筆同時(shí)接通G,、A極。

表針應(yīng)向右偏并保持在十幾歐姆位置,，如下圖所示,，否則說明單向可控硅已損壞。三,、檢測(cè)雙向可控硅雙向可控硅是一種交流型功率控制器件,。雙向可控硅的3個(gè)引腳分別是控制極G，主電極T1和主電極T2,，如下圖所示,。由于雙向可控硅的兩個(gè)主電極是對(duì)稱的，因此使用中可以任意互換,。檢測(cè)時(shí),，萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔，先用兩表筆測(cè)量雙向可控硅的控制極G與主電極T1之間的正,、反向電阻,，均應(yīng)為較小阻值。如下圖所示,。再用萬(wàn)用表兩表筆測(cè)量雙向可控硅的控制極G與主電極T2之間的正,、反向電阻,，均應(yīng)為無窮大,，如下圖所示。四,、檢測(cè)雙向可控硅的導(dǎo)通特性萬(wàn)用表置于Rx1Ω檔,，黑表筆接雙向可控硅主電極T1，紅表筆接主電極T2,，表針指示應(yīng)為無窮大,，這是將控制極G與主電極T2短接一下，表針應(yīng)向右偏轉(zhuǎn)并保持在十幾歐姆位置,，如下圖所示,。否則說明該雙向可控硅已壞,。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。

陽(yáng)極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓。使用時(shí),，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。4、控制極觸發(fā)電流Ig1,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí)，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問世，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,?？煽毓璧姆诸愐弧搓P(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅,、門極關(guān)斷可控硅（GTO）、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種,。二、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅、三極可控硅和四極可控硅,。不管可控硅的外形如何,，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)。吉林哪里有可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。湖北可控硅模塊供應(yīng)商

雙向可控硅型號(hào),雙向可控硅是怎樣命名的雙向可控硅是怎樣命名的?雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”中文譯意“三端雙向可控硅開關(guān)”。由此可見“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。-------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)控制：Controlled(取個(gè)字母)整流器：Rectifier(取個(gè)字母)再由這三組英文名詞的早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12,、BCR8KM,、BCR08AM等等。--------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)三端：Triode(取個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來命名雙向可控硅.型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D,、BT134-600E,、BT136-600E、BT138-600E,、BT139-600E,、、等等,。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅,；Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的，通常是指三象限的雙向可控硅,。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來命名元件的型號(hào)。湖北可控硅模塊供應(yīng)商