晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大,，且隨著管子正向陽(yáng)極電壓升高而增大,。當(dāng)陽(yáng)極電壓升到足夠大時(shí)，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通,，稱(chēng)為正向轉(zhuǎn)折或“硬開(kāi)通”,。多次硬開(kāi)通會(huì)損壞管子。2．晶閘管加上正向陽(yáng)極電壓后,，還必須加上觸發(fā)電壓,，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通,。觸發(fā)電流不夠時(shí),，管子不會(huì)導(dǎo)通，但此時(shí)正向漏電流隨著增大而明顯增大,。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài),，沒(méi)有中間狀態(tài)，具有雙穩(wěn)開(kāi)關(guān)特性,。是一種理想的無(wú)觸點(diǎn)功率開(kāi)關(guān)元件,。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通，門(mén)極完全失去控制作用,。要關(guān)斷晶閘管,，必須使陽(yáng)極電流《維持電流,，對(duì)于電阻負(fù)載，只要使管子陽(yáng)極電壓降為零即可,。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,，通常在管子陽(yáng)極電壓互降為零后，加上一定時(shí)間的反向電壓,。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM,、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門(mén)極觸發(fā)電流IGT，門(mén)極觸發(fā)電壓UGT,，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開(kāi)通與關(guān)斷時(shí)間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A,。可控硅的弱點(diǎn)：靜態(tài)及動(dòng)態(tài)的過(guò)載能力較差,；容易受干擾而誤導(dǎo)通,。浙江國(guó)產(chǎn)可控硅模塊批發(fā)價(jià)

1裝飾開(kāi)關(guān)與點(diǎn)開(kāi)關(guān)有什么不同通常我們?cè)诰W(wǎng)上看到的點(diǎn)開(kāi)關(guān)一般是指福田純平點(diǎn)開(kāi)關(guān),而傳統(tǒng)開(kāi)關(guān)和裝飾開(kāi)關(guān)等都是指普通非純平的大。如果說(shuō)傳統(tǒng)的就是我們以前使用的,那么裝飾開(kāi)關(guān)就像是在上添加了一個(gè)殼;而就像是我們現(xiàn)在使用的,是傳統(tǒng)的改進(jìn),。2可控式地暖經(jīng)常開(kāi)關(guān)有危害性嗎應(yīng)該沒(méi)有.但過(guò)頻容易使開(kāi)關(guān)損壞.可控式地暖經(jīng)常開(kāi)關(guān)危害性倒是沒(méi)有,但如果經(jīng)常開(kāi)關(guān)會(huì)使地暖開(kāi)關(guān)不靈活,。有的業(yè)主總是會(huì)在需要的時(shí)候打開(kāi)溫控,出門(mén)的時(shí)候就關(guān)閉,認(rèn)為這樣會(huì)很省電,其實(shí)這樣不但不會(huì)節(jié)省電,還會(huì)更耗能,不僅如此,還會(huì)耗損地暖的開(kāi)關(guān)。因?yàn)榈嘏到y(tǒng)是一個(gè)低溫運(yùn)行的系統(tǒng),所以地面輻射供暖系統(tǒng)具有良好的蓄熱性,根本不需要經(jīng)常開(kāi)關(guān),。經(jīng)常性的開(kāi)與關(guān)不但無(wú)法節(jié)能,還增加了采暖系統(tǒng)的運(yùn)行費(fèi)用,。###應(yīng)該沒(méi)有,但過(guò)頻容易使開(kāi)關(guān)損壞。3玄關(guān)有何講究玄關(guān)設(shè)計(jì)是家居設(shè)計(jì)的一部分,，因此其風(fēng)格應(yīng)與整個(gè)室內(nèi)環(huán)境相和諧,，并且玄關(guān)在很大程度上也是室內(nèi)風(fēng)格的一個(gè)縮影。在房屋裝修中,，人們往往重視客廳的裝飾和布置,，而忽略對(duì)玄關(guān)的裝飾。其實(shí),，在房間的整體設(shè)計(jì)中,，玄關(guān)是給人印象的地方，既為來(lái)客指引了方向,，也給主人一種領(lǐng)域感,，更是反映主化氣質(zhì)的“臉面”。浙江國(guó)產(chǎn)可控硅模塊批發(fā)價(jià)按封裝形式分類(lèi)：可控硅按其封裝形式可分為金屬封裝可控硅,、塑封可控硅和陶瓷封裝可控硅三種類(lèi)型,。

其中第二、第三層為兩管交迭共用,。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大,，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1,。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。實(shí)際這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的過(guò)程，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1，而是經(jīng)過(guò)BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1,，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開(kāi)電源Ea或降低Ea,，使BG1、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然，如果Ea極性反接,，BG1,、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái),，Ea接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí),。

改變負(fù)載上脈沖直流電壓的平均值UL,，實(shí)現(xiàn)了可控整流,。1：小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng)。額定電流：IA小于2A,。2：大,；功率塑封和鐵封可控硅通常用作功率型可控調(diào)壓電路。像可調(diào)壓輸出直流電源等等,。3：大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等?？煽毓梃b別編輯可控硅從外形上分主要有螺旋式,、平板式和平底式三種，螺旋式的應(yīng)用較多,?？煽毓栌腥齻€(gè)電極---陽(yáng)極（A）陰極（C）和控制極（G）。它有管芯是P型導(dǎo)體和N型導(dǎo)體交迭組成的四層結(jié)構(gòu),，共有三個(gè)PN結(jié),。可控硅和只有一個(gè)PN結(jié)的硅整流二極度管在結(jié)構(gòu)上迥然不同,?？煽毓璧乃膶咏Y(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅,?？煽毓桦妷簻y(cè)方法可控硅為什么其有“以小控大”的可控性呢？下面我們用圖表-27來(lái)簡(jiǎn)單分析可控硅的工作原理,。首先,，可以把從陰極向上數(shù)的第1、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二、三四層組成另一只PNP型晶體管,?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種。

我們可以把從陰極向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二、三,、四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,?？僧?huà)出圖1的等效電路圖。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2,。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。事實(shí)上這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō),，觸發(fā)信號(hào)加到控制極，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,。可控硅一經(jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2，而是經(jīng)過(guò)BG1,、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2),，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)，只有斷開(kāi)電源E或降低E的輸出電壓,，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí)，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果E極性反接,，BG1、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作,。反過(guò)來(lái),。別可控硅三個(gè)極的方法很簡(jiǎn)單，根據(jù)P-N結(jié)的原理,，只要用萬(wàn)用表測(cè)量一下三個(gè)極之間的電阻值就可以,。湖北國(guó)產(chǎn)可控硅模塊銷(xiāo)售

在規(guī)定環(huán)境溫度和散熱條件下，允許通過(guò)陰極和陽(yáng)極的電流平均值,。浙江國(guó)產(chǎn)可控硅模塊批發(fā)價(jià)

4,、控制極觸發(fā)電流Ig1、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下,，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓。5,、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流,。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅,，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等?？煽毓韫ぷ髟碓诜治隹煽毓韫ぷ髟頃r(shí),，我們經(jīng)常將這種四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu)看作由一個(gè)PNP管和NPN管構(gòu)成，如下圖所示,。當(dāng)陽(yáng)極A端加上正向電壓時(shí),，BG1和BG2管均處于放大狀態(tài)，此時(shí)由控制極G端輸入正向觸發(fā)信號(hào),，使得BG2管有基極電流ib2通過(guò),，經(jīng)過(guò)BG2管的放大后，其集電極電流為ic2=β2ib2,。而ic2沿電路流至BG1的基極,，故有ib1=ic2，電流又經(jīng)BG1管的放大作用后，得到BG1的集電極電流為ic1=β1ib1=β1β2ib2,。此電流又流回BG2的基極,，使得BG2的基極電流ib2增大，從而形成正向反饋使電流劇增,，進(jìn)而使得可控硅飽和并導(dǎo)通,。由于在電路中形成了正反饋，所以可控硅一旦導(dǎo)通后無(wú)法關(guān)斷,，即使控制極G端的電流消失,，可控硅仍能繼續(xù)維持這種導(dǎo)通的狀態(tài)。浙江國(guó)產(chǎn)可控硅模塊批發(fā)價(jià)