通常用兩個(gè)雙控開(kāi)關(guān)控制一個(gè)燈或其它電器,意思就是可以有兩個(gè)開(kāi)關(guān)來(lái)控制燈具等電器的開(kāi)關(guān),比如,在下樓時(shí)打開(kāi)開(kāi)關(guān),到樓上后關(guān)閉開(kāi)關(guān)。如果是采取傳統(tǒng)的開(kāi)關(guān)的話,想要把燈關(guān)上,就要跑下樓去關(guān),采用雙控開(kāi)關(guān),就可以避免這個(gè)麻煩,。另外雙控開(kāi)關(guān)還用于控制應(yīng)急9誰(shuí)知道點(diǎn)開(kāi)關(guān)面板有幾種目前市場(chǎng)墻壁關(guān),、墻壁插座按尺寸劃規(guī)格主要規(guī)格120系列,、118系列,、86系列等,。120系列指關(guān)插座產(chǎn)品度120毫米寬度78毫米,。86系列指關(guān)插座產(chǎn)品度86毫米寬度86毫米,。118系列指關(guān)插座產(chǎn)品度118毫米寬度78毫米,。西門子,、TCL-羅格朗,、松下電工,、西蒙,、奇勝,、梅蘭日蘭,、朗能,、鴻雁,、飛雕電器,、松本,。是開(kāi)關(guān)面板品牌,。10裝飾開(kāi)關(guān)有那些產(chǎn)品品牌裝飾開(kāi)關(guān)比較好的品牌有飛雕開(kāi)關(guān)插座、西門子開(kāi)關(guān)插座,、施耐德開(kāi)關(guān)插座,、西蒙開(kāi)關(guān)插座,、松下開(kāi)關(guān)插座、正泰開(kāi)關(guān)插座,、龍勝開(kāi)關(guān)插座,、家的開(kāi)關(guān)插座,、羅格朗開(kāi)關(guān)插座、格蘭開(kāi)關(guān)插座,全國(guó)開(kāi)關(guān)品牌,如果你買品牌開(kāi)關(guān),可以去了解一下,。一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。重慶進(jìn)口可控硅模塊代理品牌

雙向可控硅型號(hào),雙向可控硅是怎樣命名的雙向可控硅是怎樣命名的?雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”中文譯意“三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)”。由此可見(jiàn)“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。-------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)控制：Controlled(取個(gè)字母)整流器：Rectifier(取個(gè)字母)再由這三組英文名詞的早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱,，如:BCR1AM-12、BCR8KM,、BCR08AM等等。--------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)三端：Triode(取個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來(lái)命名雙向可控硅.型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D,、BT134-600E、BT136-600E,、BT138-600E、BT139-600E,、,、等等,。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅；Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào)。北京哪里有可控硅模塊咨詢報(bào)價(jià)電流容量達(dá)幾百安培以至上千安培的可控硅元件,。

措施：在三相變壓器次級(jí)星形中點(diǎn)與地之間并聯(lián)適當(dāng)電容,，就可以明顯減小這種過(guò)電壓,。與整流器并聯(lián)的其它負(fù)載切斷時(shí)，因電源回路電感產(chǎn)生感應(yīng)電勢(shì)的過(guò)電壓,。變壓器空載且電源電壓過(guò)零時(shí),，初級(jí)拉閘,，因變壓器激磁電流的突變，在次級(jí)感生出很高的瞬時(shí)電壓,，這種電壓尖峰值可達(dá)工作電壓的6倍以上。交流電網(wǎng)遭雷擊或電網(wǎng)侵入干擾過(guò)電壓,，即偶發(fā)性浪涌電壓,，都必須加阻容吸收路進(jìn)行保護(hù)。3．直流側(cè)過(guò)電壓及保護(hù)當(dāng)負(fù)載斷開(kāi)時(shí)或快熔斷時(shí),，儲(chǔ)存在變壓器中的磁場(chǎng)能量會(huì)產(chǎn)生過(guò)電壓,，顯然在交流側(cè)阻容吸收保護(hù)電路可以抑制這種過(guò)電壓,，但由于變壓器過(guò)載時(shí)儲(chǔ)存的能量比空載時(shí)要大,，還不能完全消除,。措施：能常采用壓敏吸收進(jìn)行保護(hù),。4．過(guò)電流保護(hù)一般加快速熔斷器進(jìn)行保護(hù)，實(shí)際上它不能保護(hù)可控硅,，而是保護(hù)變壓器線圈。5．電壓,、電流上升率的限制4.均流與晶閘管選擇均流不好，很容易燒壞元件,。為了解決均流問(wèn)題，過(guò)去加均流電抗器,，噪聲很大，效果也不好,，一只一只進(jìn)行對(duì)比，擰螺絲松緊,，很盲目，效果差,，噪音大，耗能,。我們采用的辦法是：用計(jì)算機(jī)程序軟件進(jìn)行動(dòng)態(tài)參數(shù)篩選匹配、編號(hào),，裝配時(shí)按其號(hào)碼順序裝配，很間單,。每一只元件上都刻有字，以便下更換時(shí)參考,。

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開(kāi)關(guān)作用是通過(guò)加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡(jiǎn)單地說(shuō)：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過(guò)整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管,。其中,，金屬封裝可控硅又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種塑封可控硅又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。

早是在1970年由西門康公司率先將模塊原理引入電力電子技術(shù)領(lǐng)域，是采用模塊封裝形式,，具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,。中文名可控硅模塊外文名semiconductormodule別名功率半導(dǎo)體模塊時(shí)間1970年目錄1分類2優(yōu)點(diǎn)3規(guī)格型號(hào)可控硅模塊分類編輯可控硅模塊從內(nèi)部封裝芯片上可以分為可控模塊和整流模塊兩大類；從具體的用途上區(qū)分,，可以分為：普通晶閘管模塊（MTC\MTX\MTK\MTA),、普通整流管模塊(MDC)、普通晶閘管,、整流管混合模塊(MFC),、快速晶閘管、整流管及混合模塊（MKC\MZC),、非絕緣型晶閘管,、整流管及混合模塊（也就是通常所說(shuō)的電焊機(jī)模塊MTG\MDG)、三相整流橋輸出可控硅模塊（MDS),、單相（三相）整流橋模塊（MDQ),、單相半控橋（三相全控橋）模塊(MTS)以及肖特基模塊等,。可控硅模塊優(yōu)點(diǎn)編輯體積小,、重量輕,、結(jié)構(gòu)緊湊、可靠性高,、外接線簡(jiǎn)單,、互換性好、便于維修和安裝,；結(jié)構(gòu)重復(fù)性好,，裝置的機(jī)械設(shè)計(jì)可以簡(jiǎn)化，價(jià)格比分立器件低等諸多優(yōu)點(diǎn),，因而在一誕生就受到了各大電力半導(dǎo)體廠家的熱捧,，并因此得到長(zhǎng)足發(fā)展。一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流,，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,。北京哪里有可控硅模塊咨詢報(bào)價(jià)

可控硅由關(guān)斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通必須同時(shí)具備兩個(gè)條件:(1〕受正向陽(yáng)極電壓;(2)受正向門極電壓。重慶進(jìn)口可控硅模塊代理品牌

雖然改變了正弦交流電的幅值,，但并未改變其正弦波形的本質(zhì),。與變壓器、電阻器相比,，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理,，它是采用相位控制方法來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的。對(duì)于普通反向阻斷型可控硅,，其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),，可控硅就導(dǎo)通；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持,，一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷,。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1(或某一相位角wt1),，在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,，使可控硅導(dǎo)通，根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開(kāi)關(guān)特性,，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束,。因此在正弦波的正半周(即0~p區(qū)間)中，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,，這一范圍稱為控制角,，常用a表示；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,，這一范圍稱為導(dǎo)通角,，常用j表示,。同理在正弦波交流電的負(fù)半周，對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅(對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言)在t2時(shí)刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖,，使其導(dǎo)通,。如此周而復(fù)始，對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通,，獲得相同的導(dǎo)通角,。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間(或相位)。重慶進(jìn)口可控硅模塊代理品牌