可控硅，又叫晶閘管,，可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管,，當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí)，陰極和陽極就導(dǎo)通了,?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小,、效率高、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn),，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè),、交通運(yùn)輸、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件,。下面賢集網(wǎng)小編要具體為大家介紹一下可控硅的型號(hào)、特性,、分類,、使用規(guī)則、用途,、主要參數(shù),、可控硅的不同幾個(gè)極的判別方法、雙向可控硅和單向可控硅的區(qū)別,?？煽毓璧男吞?hào)1、優(yōu)派克EUPECT系列可控硅,、D系列二極管,、DxS系列快速二極管；2,、東芝TOSHIBASF系列可控硅,、SG系列GTO；3,、西門康SEMIKRONSKT系列可控硅,，SKN、SKR系列二極管,，SKNxF,、SKRxF系列快速二極管；4,、西碼WESTCODEN系列相控可控硅,、R系列快速可控硅、SM系列快速二極管,、SW系列普通二極管,；5、美國IRST系列可控硅,、SD系列二極管,；6、意大利POSEICOAT系列相控可控硅；7,、瑞士ABB5STP可控硅,、5SDD二極管、5SGA系列GTO,、5SDF快速二極管,。可控硅的特性1,、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào),。大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中；高頻熔煉爐等,。中國香港國產(chǎn)可控硅模塊聯(lián)系人

故晶閘管的陽極電流Ia≈Ic0晶閘關(guān)處于正向阻斷狀態(tài),。當(dāng)晶閘管在正向陽極電壓下，從門極G流入電流Ig,由于足夠大的Ig流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié),，從而提高起點(diǎn)流放大系數(shù)a2,產(chǎn)生足夠大的極電極電流Ic2流過PNP管的發(fā)射結(jié),，并提高了PNP管的電流放大系數(shù)a1,產(chǎn)生更大的極電極電流Ic1流經(jīng)NPN管的發(fā)射結(jié)。這樣強(qiáng)烈的正反饋過程迅速進(jìn)行,。從圖3,，當(dāng)a1和a2隨發(fā)射極電流增加而（a1+a2）≈1時(shí)，式（1—1）中的分母1-（a1+a2）≈0,因此提高了晶閘管的陽極電流Ia.這時(shí),，流過晶閘管的電流完全由主回路的電壓和回路電阻決定,。晶閘管已處于正向?qū)顟B(tài)。式（1—1）中,，在晶閘管導(dǎo)通后,，1-（a1+a2）≈0,即使此時(shí)門極電流Ig=0,晶閘管仍能保持原來的陽極電流Ia而繼續(xù)導(dǎo)通。晶閘管在導(dǎo)通后,，門極已失去作用,。在晶閘管導(dǎo)通后，如果不斷的減小電源電壓或增大回路電阻,，使陽極電流Ia減小到維持電流IH以下時(shí),，由于a1和a1迅速下降，當(dāng)1-（a1+a2）≈0時(shí),，晶閘管恢復(fù)阻斷狀態(tài),。可控硅原理主要用途編輯可控硅原理整流普通可控硅基本的用途就是可控整流,。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成可控硅，就可以構(gòu)成可控整流電路。我畫一個(gè)簡單的單相半波可控整流電路〔圖4(a)〕,。寧夏進(jìn)口可控硅模塊哪里有賣的在使用過程中，晶閘管對(duì)過電壓是很敏感的,。

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極,。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流，使IGBT導(dǎo)通,。反之,，加反向門極電壓消除溝道，切斷基極電流,，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同，只需控制輸入極N一溝道MOSFET,，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后，從P+基極注入到N一層的空穴（少子）,，對(duì)N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻，使IGBT在高電壓時(shí),，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。

可控硅可控硅簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用,。IGBTIGBT絕緣柵雙極型晶體管,，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件，兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn),。GTR飽和壓降低,，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大,；MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小,，開關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大,，載流密度小,。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點(diǎn)，驅(qū)動(dòng)功率小而飽和壓降低,。IGBT非常適合應(yīng)用于直流電壓為600V及以上的變流系統(tǒng)如交流電機(jī),、變頻器、開關(guān)電源,、照明電路,、牽引傳動(dòng)等領(lǐng)域,。過零觸發(fā)-一般是調(diào)功，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā),，導(dǎo)通可控硅。

即其中一只單向硅陽極與另一只陰極相邊連,，其引出端稱T2極,，其中一只單向硅陰極與另一只陽極相連，其引出端稱T2極,，剩下則為控制極（G）,。1,、單,、雙向可控硅的判別：先任測(cè)兩個(gè)極，若正,、反測(cè)指針均不動(dòng)（R×1擋）,，可能是A、K或G,、A極（對(duì)單向可控硅）也可能是T2,、T1或T2、G極（對(duì)雙向可控硅）,。若其中有一次測(cè)量指示為幾十至幾百歐,，則必為單向可控硅。且紅筆所接為K極,，黑筆接的為G極,，剩下即為A極。若正,、反向測(cè)批示均為幾十至幾百歐,，則必為雙向可控硅。再將旋鈕撥至R×1或R×10擋復(fù)測(cè),，其中必有一次阻值稍大,，則稍大的一次紅筆接的為G極，黑筆所接為T1極,，余下是T2極,。2、性能的差別：將旋鈕撥至R×1擋,，對(duì)于1~6A單向可控硅,，紅筆接K極，黑筆同時(shí)接通G,、A極,，在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極,，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐，此時(shí)可控硅已被觸發(fā),，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流?。Ｈ缓笏矔r(shí)斷開A極再接通,，指針應(yīng)退回∞位置,，則表明可控硅良好。對(duì)于1~6A雙向可控硅,，紅筆接T1極,，黑筆同時(shí)接G、T2極,，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）,。然后將兩筆對(duì)調(diào),，重復(fù)上述步驟測(cè)一次?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬倍,。寧夏進(jìn)口可控硅模塊哪里有賣的

按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。中國香港國產(chǎn)可控硅模塊聯(lián)系人

可控硅簡介可控硅（SiliconControlledRecTIfier）簡稱SCR,，是一種大功率電器元件,，也稱晶閘管。它具有體積小,、效率高,、壽命長等優(yōu)點(diǎn)。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件,，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ?。其通斷狀態(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡單,，沒有反向耐壓問題,，因此特別適合做交流無觸點(diǎn)開關(guān)使用?？煽毓杼匦?,、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下，陽極---陰極間可以連續(xù)通過的50赫茲正弦半波電流的平均值,。2,、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開路未加觸發(fā)信號(hào)，陽極正向電壓還未超過導(dǎo)能電壓時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,。可控硅承受的正向電壓峰值,，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓,，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí),，不能超過手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值。中國香港國產(chǎn)可控硅模塊聯(lián)系人