在恢復電流快速衰減時，由于外電路電感的作用,，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U,。從正向電流降為零,，到反向恢復電流衰減至接近于零的時間，就是晶閘管的反向阻斷恢復時間t,。[1]反向恢復過程結(jié)束后,，由于載流子復合過程比較慢，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間,，這叫做反向阻斷恢復時間tgr,。在反向阻斷恢復時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導通,。所以在實際應用中，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓,，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力，電路才能可靠工作,。晶閘管的電路換向關斷時間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開通時間t、關斷時間t及觸發(fā)電流IGT外,，本文比較關注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時,，允許重復加在器件上的正向（反向）峰值電壓。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓,。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下,，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值。這也是標稱其額定電流的參數(shù),。晶體閘流管（Thyristor）又稱作可控硅整流器,，曾被簡稱為可控硅,。福建國產(chǎn)晶閘管模塊供應

[1]維持電流I：是指晶閘管維持導通所必需的**小電流，一般為幾十到幾百毫安,。IH與結(jié)溫有關,，結(jié)溫越高，則I越小,。擎住電流I：是晶閘管剛從斷態(tài)轉(zhuǎn)入通態(tài)并移除觸發(fā)信號后,，能維持導通所需的**小電流。對同一晶閘管來說,，通常I約為I的2～4倍,。[1]浪涌電流I：浪涌電流是指由于電路異常情況引起的使結(jié)溫超過額定結(jié)溫的不重復性**大正向過載電流。斷態(tài)電壓臨界上升率du/dt：是指在額定結(jié)溫,、門極開路的情況下,，不能使晶閘管從斷態(tài)到通態(tài)轉(zhuǎn)換的外加電壓**大上升率。通態(tài)電流臨界上升率di/dt：指在規(guī)定條件下,，晶閘管能承受的**大通態(tài)電流上升率,。如果di/dt過大，在晶閘管剛開通時會有很大的電流集中在門極附近的小區(qū)域內(nèi),，從而造成局部過熱而使晶閘管損壞,。[1]觸發(fā)技術晶閘管觸發(fā)電路的作用是產(chǎn)生符合要求的門極觸發(fā)脈沖，使得晶閘管在需要時正常開通,。晶閘管觸發(fā)電路必須滿足以下幾點要求：①觸發(fā)脈沖的寬度應足夠?qū)捠沟镁чl管可靠導通,；②觸發(fā)脈沖應有足夠的幅度，對一些溫度較低的場合,，脈沖電流的幅度應增大為器件**大觸發(fā)電流的3～5倍,，脈沖的陡度也需要增加，一般需達1～2A/μs,；③所提供的觸發(fā)脈沖應不超過晶閘管門極的電壓,、電流和功率定額。海南進口晶閘管模塊哪里有賣的晶閘管可分為普通晶閘管,、雙向晶閘管,、逆導晶閘管、門極關斷晶閘管,、晶閘管,、溫控晶閘管和光控晶閘管多種。

認識半導體晶閘管晶閘管又被稱做可控硅整流器,，以前被簡稱為可控硅,。1957年美國通用電氣公司開發(fā)出世界上第1款晶閘管產(chǎn)品，并于1958年將其商業(yè)化,。晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu),，形成三個PN結(jié),，分別稱：陽極，陰極和控制極,。圖1晶閘管的結(jié)構(gòu)晶閘管在工作過程中,，它的陽極（A）和陰極（K）與電源和負載連接，組成晶閘管的主電路,。晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路。工作過程加正向電壓且門極有觸發(fā)電流的情況下晶閘管才導通,，這是晶閘管的閘流特性,，即可控特性。若晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài)。晶閘管在導通情況下,，當主回路電壓（或電流）減小到接近于零時,，晶閘管關斷。晶閘管的種類1．雙向晶閘管雙向晶閘管有極外G,，其他兩個極稱為主電極Tl和T2,。結(jié)構(gòu)是一種N—P—N—P—N型五層結(jié)構(gòu)的半導體器件。雙向晶閘管不象普通晶閘管那樣,，必須在陽極和陰極之間加上正向電壓,，管子才能導通。它無所謂陽極和陰極,，不管觸發(fā)信號的極性如何,，雙向晶閘管都能被觸發(fā)導通。這個特點是普通晶閘管所沒有的,。2．快速晶閘管人們在普通晶閘管的制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進措施,。

晶閘管是一種開關元件，顧名思義他的名字里面有一個閘字也就是門,，開關的意思,，他的應用在各種電路，以及電子設備中,。晶閘管是典型的小電流控制大電流的設備,，他通過一個電流很小的脈沖觸發(fā)晶閘管處于導通狀態(tài)此時他的電阻變得很小相當于一跟導線,。晶閘管（Thyristor）是晶體閘流管的簡稱,，又被稱做可控硅整流器，以前被簡稱為可控硅,，晶閘管是PNPN四層半導體結(jié)構(gòu),，它有三個極：陽極,，陰極和控制極，晶閘管（Thyristor）是一種開關元件,，能在高電壓,、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制,、被應用于可控整流,、交流調(diào)壓、無觸點電子開關,、逆變及變頻等電子電路中,，是典型的小電流控制大電流的設備。1957年,，美國通用電器公司開發(fā)出世界上第1個晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化。晶閘管的分類：晶閘管按其關斷,、導通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）,、雙向晶閘管（TRIAC）、逆導晶閘管（RCT）,、門極關斷晶閘管（GTO）,、BTG晶閘管、溫控晶閘管（TT國外,，TTS國內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種,。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管、三極晶閘管和四極晶閘管,。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。其中,。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管,、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型。

美國通用電氣公司研發(fā)了世界上***個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器（SR）,，1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）,。由于它們具有體積小、重量輕,、效率高,、壽命長的優(yōu)勢，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領域進入了強電控制領域,、大功率控制領域。在整流器的應用上,，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管）,，實現(xiàn)整流器的固體化,、靜止化和無觸點化，并獲得巨大的節(jié)能效果,。從1960年代開始,，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管、光控晶閘管,、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管,，形成一個龐大的晶閘管家族。晶閘管在應用中有效率高,、控制特性好,、壽命長、體積小,、功能強等優(yōu)點,，其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中**高的，而且工作可靠,。因晶閘管的上述優(yōu)點,，國外對晶閘管在脈沖功率源領域內(nèi)應用的研究做了大量的工作，很多脈沖功率能源模塊已經(jīng)使用晶閘管作為主開關,。而國內(nèi)的大功率晶閘管主要應用在高壓直流輸電的工頻環(huán)境下,，其工頻工作條件下的技術參數(shù)指標不足以準確反映其在脈沖電源這種高電壓、大電流,、高陡度的環(huán)境下的使用情況,。晶閘管承受反向陽極電壓時，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。海南進口晶閘管模塊哪里有賣的

晶閘管分為螺栓形和平板形兩種。福建國產(chǎn)晶閘管模塊供應

人們在制造工藝和結(jié)構(gòu)上采取了一些改進措施,，做出了能適應于高頻應用的晶閘管,，我們將它稱為快速晶閘管。它具有以下幾個特點,。一,、關斷時間（toff）短導通的晶閘管，當切斷正向電流時,。并不能馬上“關斷”,，這時如立即加上正向電壓，它還會繼續(xù)導通,。從切斷正向電流直到控制極恢復控制能力需要的時間,，叫做關斷時間。用t0仟表示。晶閘管的關斷過程,，實際上是儲存載流子的消失過程。為了加速這種消失過程,，制造快速晶閘管時采用了摻金工藝,，把金摻到硅中減少基區(qū)少數(shù)載流子的壽命。硅中摻金量越多,，t0仟越小,，但摻金量過多會影響元件的其它性能。二,、導通速度快．能耐較高的電流上升率（dI/dt）控制極觸發(fā)導通的晶閘管,。總是在靠近控制極的陰極區(qū)域首先導通,，然后逐漸向外擴展,，直到整個面積導通。大面積的晶閘管需要50～100微秒以上才能***積導通,。初始導通面積小時,，必須限制初始電流的上升速度，否則將發(fā)生局部過熱現(xiàn)象,，影響元件的性能,，甚至燒壞。高頻工作時這種現(xiàn)象更為嚴重,。為此,，仿造了集成電路的方法，在晶閘管同一硅片上做出一個放大觸發(fā)信號用的小晶閘管,?？刂茦O觸發(fā)小晶閘管后，小晶閘管的初始導通電流將橫向經(jīng)過硅片流向主晶閘管陰極,，觸發(fā)主晶閘管,。福建國產(chǎn)晶閘管模塊供應