其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí)，可控硅就導(dǎo)通,；這一導(dǎo)通即使在撤去門極控制電壓后仍將維持,，一直到加上反向陽極電壓或陽極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的,。在正弦波交流電過零后的某一時(shí)刻t1（或某一相位角wt1）,，在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖，使可控硅導(dǎo)通,，根據(jù)前面介紹過的可控硅開關(guān)特性,，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束。因此在正弦波的正半周（即0~p區(qū)間）中,，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通,，這一范圍稱為控制角，常用a表示,；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通,，這一范圍稱為導(dǎo)通角，常用j表示,。同理在正弦波交流電的負(fù)半周,，對處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅（對兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言）在t2時(shí)刻（即相位角wt2）施加觸發(fā)脈沖，使其導(dǎo)通,。如此周而復(fù)始,，對正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通，獲得相同的導(dǎo)通角,。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間（或相位）,，即改變了導(dǎo)通角j（或控制角a）的大小。導(dǎo)通角越大調(diào)光器輸出的電壓越高,，燈就越亮,。從上述可控硅調(diào)光原理可知，調(diào)光器輸出的電壓波形已經(jīng)不再是正弦波了,，除非調(diào)光器處在全導(dǎo)通狀態(tài),。在控制極G上加正脈沖(或負(fù)脈沖)可使其正向(或反向)導(dǎo)通。甘肅進(jìn)口可控硅模塊工廠直銷

E接成正向,，而觸動(dòng)發(fā)信號是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外，如果不加觸發(fā)信號,，而正向陽極電壓大到超過一定值時(shí),，可控硅也會(huì)導(dǎo)通，但已屬于非正常工作情況了,?？煽毓柽@種通過觸發(fā)信號(小觸發(fā)電流)來控制導(dǎo)通(可控硅中通過大電流)的可控特性，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài),，所以它具有開關(guān)特性，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,，此條件見表1表1可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài)條件說明從關(guān)斷到導(dǎo)通1,、陽極電位高于是陰極電位2、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通1,、陽極電位高于陰極電位2,、陽極電流大于維持電流兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷1、陽極電位低于陰極電位2,、陽極電流小于維持電流任一條件即可應(yīng)用舉例：可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來有直流觸發(fā)電路,，交流觸發(fā)電路,，相位觸發(fā)電路等等。1,、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個(gè)電視機(jī)常用的過壓保護(hù)電路,，當(dāng)E+電壓過高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高，當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時(shí)DZ道通,，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,，使保險(xiǎn)絲RJ熔斷，從而起到過壓保護(hù)的作用,。2,、相位觸發(fā)電路：相位觸發(fā)電路實(shí)際上是交流觸發(fā)電路的一種，如圖3,。陜西哪里有可控硅模塊銷售可控硅有三個(gè)電極---陽極（A）陰極（C）和控制極（G）,。

晶閘管的正向漏電流比一般硅二極管反向漏電流大，且隨著管子正向陽極電壓升高而增大,。當(dāng)陽極電壓升到足夠大時(shí),，會(huì)使晶閘管導(dǎo)通，稱為正向轉(zhuǎn)折或“硬開通”,。多次硬開通會(huì)損壞管子,。2．晶閘管加上正向陽極電壓后,，還必須加上觸發(fā)電壓，并產(chǎn)生足夠的觸發(fā)電流,，才能使晶閘管從阻斷轉(zhuǎn)為導(dǎo)通,。觸發(fā)電流不夠時(shí)，管子不會(huì)導(dǎo)通,，但此時(shí)正向漏電流隨著增大而明顯增大,。晶閘管只能穩(wěn)定工作在關(guān)斷和導(dǎo)通兩個(gè)狀態(tài)，沒有中間狀態(tài),，具有雙穩(wěn)開關(guān)特性,。是一種理想的無觸點(diǎn)功率開關(guān)元件。3．晶閘管一旦觸發(fā)導(dǎo)通,，門極完全失去控制作用,。要關(guān)斷晶閘管，必須使陽極電流《維持電流,，對于電阻負(fù)載,，只要使管子陽極電壓降為零即可。為了保證晶閘管可靠迅速關(guān)斷,，通常在管子陽極電壓互降為零后,，加上一定時(shí)間的反向電壓。晶閘管主要特性參數(shù)1．正反向重復(fù)峰值電壓——額定電壓（VDRM,、VRRM取其小者）2．額定通態(tài)平均電流IT（AV）——額定電流（正弦半波平均值）3．門極觸發(fā)電流IGT,，門極觸發(fā)電壓UGT，（受溫度變化）4．通態(tài)平均電壓UT（AV）即管壓降5．維持電流IH與掣住電流IL6．開通與關(guān)斷時(shí)間晶閘管合格證基本參數(shù)IT（AV）=A,。

圖1所示為一個(gè)N溝道增強(qiáng)型絕緣柵雙極晶體管結(jié)構(gòu),，N+區(qū)稱為源區(qū)，附于其上的電極稱為源極,。N+區(qū)稱為漏區(qū),。器件的控制區(qū)為柵區(qū)，附于其上的電極稱為柵極,。溝道在緊靠柵區(qū)邊界形成,。在漏、源之間的P型區(qū)（包括P+和P一區(qū)）（溝道在該區(qū)域形成）,，稱為亞溝道區(qū)（Subchannelregion）,。而在漏區(qū)另一側(cè)的P+區(qū)稱為漏注入?yún)^(qū)（Draininjector），它是IGBT特有的功能區(qū),，與漏區(qū)和亞溝道區(qū)一起形成PNP雙極晶體管,，起發(fā)射極的作用，向漏極注入空穴,，進(jìn)行導(dǎo)電調(diào)制,，以降低器件的通態(tài)電壓,。附于漏注入?yún)^(qū)上的電極稱為漏極。IGBT的開關(guān)作用是通過加正向柵極電壓形成溝道,，給PNP晶體管提供基極電流,，使IGBT導(dǎo)通。反之,，加反向門極電壓消除溝道,，切斷基極電流，使IGBT關(guān)斷,。IGBT的驅(qū)動(dòng)方法和MOSFET基本相同,，只需控制輸入極N一溝道MOSFET，所以具有高輸入阻抗特性,。當(dāng)MOSFET的溝道形成后,，從P+基極注入到N一層的空穴（少子），對N一層進(jìn)行電導(dǎo)調(diào)制,，減小N一層的電阻,，使IGBT在高電壓時(shí)，也具有低的通態(tài)電壓,。IGBT和可控硅區(qū)別IGBT與晶閘管1.整流元件（晶閘管）簡單地說：整流器是把單相或三相正弦交流電流通過整流元件變成平穩(wěn)的可調(diào)的單方向的直流電流,。其實(shí)現(xiàn)條件主要是依靠整流管。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>

允許通過陰極和陽極的電流平均值,。可控硅封裝形式編輯常用可控硅的封裝形式有TO-92,、TO-126,、TO-202AB,、TO-220,、TO-220ABC、TO-3P,、SOT-89,、TO-251、TO-252,、SOT-23,、SOT23-3L等可控硅用途編輯普通晶閘管基本的用途就是可控整流。大家熟悉的二極管整流電路屬于不可控整流電路,。如果把二極管換成晶閘管,，就可以構(gòu)成可控整流電路。以簡單的單相半波可控整流電路為例,，在正弦交流電壓U2的正半周期間,，如果VS的控制極沒有輸入觸發(fā)脈沖Ug,，VS仍然不能導(dǎo)通，只有在U2處于正半周,，在控制極外加觸發(fā)脈沖Ug時(shí),，晶閘管被觸發(fā)導(dǎo)通。畫出它的波形（c）及（d）,，只有在觸發(fā)脈沖Ug到來時(shí),，負(fù)載RL上才有電壓UL輸出。Ug到來得早,，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就早,；Ug到來得晚，晶閘管導(dǎo)通的時(shí)間就晚,。通過改變控制極上觸發(fā)脈沖Ug到來的時(shí)間,，就可以調(diào)節(jié)負(fù)載上輸出電壓的平均值UL。在電工技術(shù)中,，常把交流電的半個(gè)周期定為180°,，稱為電角度。這樣,，在U2的每個(gè)正半周,，從零值開始到觸發(fā)脈沖到來瞬間所經(jīng)歷的電角度稱為控制角α；在每個(gè)正半周內(nèi)晶閘管導(dǎo)通的電角度叫導(dǎo)通角θ,。很明顯,，α和θ都是用來表示晶閘管在承受正向電壓的半個(gè)周期的導(dǎo)通或阻斷范圍的。通過改變控制角α或?qū)ń铅?。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用。青海優(yōu)勢可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

過零觸發(fā)-一般是調(diào)功,，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過零點(diǎn)觸發(fā),，必須是過零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅,。甘肅進(jìn)口可控硅模塊工廠直銷

雙向晶閘管的伏安特性見圖3,，由于正、反向特性曲線具有對稱性,，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件，它有J1,、J2,、J3三個(gè)PN結(jié)圖一，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖二.當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流,。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通,。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖三所示,。當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓，而門極未受電壓的情況下,，式（1—1）中,，Ig=0,(a1+a2)很小。甘肅進(jìn)口可控硅模塊工廠直銷