陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。4,、控制極觸發(fā)電流Ig1,、觸發(fā)電壓VGT在規(guī)定的環(huán)境溫度下，陽(yáng)極---陰極間加有一定電壓時(shí),，可控硅從關(guān)斷狀態(tài)轉(zhuǎn)為導(dǎo)通狀態(tài)所需要的小控制極電流和電壓,。5、維持電流IH在規(guī)定溫度下,，控制極斷路,，維持可控硅導(dǎo)通所必需的小陽(yáng)極正向電流。許多新型可控硅元件相繼問(wèn)世,，如適于高頻應(yīng)用的快速可控硅,，可以用正或負(fù)的觸發(fā)信號(hào)控制兩個(gè)方向?qū)ǖ碾p向可控硅，可以用正觸發(fā)信號(hào)使其導(dǎo)通,，用負(fù)觸發(fā)信號(hào)使其關(guān)斷的可控硅等等,。可控硅的分類一,、按關(guān)斷,、導(dǎo)通及控制方式分類：可控硅按其關(guān)斷、導(dǎo)通及控制方式可分為普通可控硅,、雙向可控硅,、逆導(dǎo)可控硅、門(mén)極關(guān)斷可控硅（GTO）,、BTG可控硅,、溫控可控硅和光控可控硅等多種。二,、按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了廣的應(yīng)用,。中國(guó)香港可控硅模塊品牌

雖然改變了正弦交流電的幅值，但并未改變其正弦波形的本質(zhì),。與變壓器,、電阻器相比，可控硅調(diào)光器有著完全不同的調(diào)光機(jī)理,，它是采用相位控制方法來(lái)實(shí)現(xiàn)調(diào)壓或調(diào)光的,。對(duì)于普通反向阻斷型可控硅，其閘流特性表現(xiàn)為當(dāng)可控硅加上正向陽(yáng)極電壓的同時(shí)又加上適當(dāng)?shù)恼蚩刂齐妷簳r(shí),，可控硅就導(dǎo)通,；這一導(dǎo)通即使在撤去門(mén)極控制電壓后仍將維持，一直到加上反向陽(yáng)極電壓或陽(yáng)極電流小于可控硅自身的維持電流后才關(guān)斷,。普通的可控硅調(diào)光器就是利用可控硅的這一特性實(shí)現(xiàn)前沿觸發(fā)相控調(diào)壓的,。在正弦波交流電過(guò)零后的某一時(shí)刻t1(或某一相位角wt1)，在可控硅控制極上加一觸發(fā)脈沖,，使可控硅導(dǎo)通,，根據(jù)前面介紹過(guò)的可控硅開(kāi)關(guān)特性，這一導(dǎo)通將維持到正弦波正半周結(jié)束,。因此在正弦波的正半周(即0~p區(qū)間)中,，0~wt1范圍可控硅不導(dǎo)通，這一范圍稱為控制角,，常用a表示,；而在wt1~p間可控硅導(dǎo)通，這一范圍稱為導(dǎo)通角,，常用j表示,。同理在正弦波交流電的負(fù)半周，對(duì)處于反向聯(lián)接的另一個(gè)可控硅(對(duì)兩個(gè)單向可控硅反并聯(lián)或雙向可控硅而言)在t2時(shí)刻(即相位角wt2)施加觸發(fā)脈沖,，使其導(dǎo)通,。如此周而復(fù)始，對(duì)正弦波每半個(gè)周期控制其導(dǎo)通,，獲得相同的導(dǎo)通角,。如改變觸發(fā)脈沖的施加時(shí)間(或相位)。湖南優(yōu)勢(shì)可控硅模塊生產(chǎn)廠家實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等,。

我們可以把從陰極向上數(shù)的、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管,，而二、三,、四層組成另一只PNP型晶體管,。其中第二、第三層為兩管交迭共用,?？僧?huà)出圖1的等效電路圖。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間(相當(dāng)BG2的基一射間)輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2,。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1(Ib2)放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大,。如此循環(huán)放大,，直到BG1、BG2完全導(dǎo)通,。事實(shí)上這一過(guò)程是“一觸即發(fā)”的,，對(duì)可控硅來(lái)說(shuō)，觸發(fā)信號(hào)加到控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,，而是經(jīng)過(guò)BG1,、BG2放大后的電流(β1*β2*Ib2)，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),，只有斷開(kāi)電源E或降低E的輸出電壓,，使BG1、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷,。當(dāng)然，如果E極性反接,，BG1,、BG2受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài)。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào),，可控硅也不能工作。反過(guò)來(lái),。

可控硅簡(jiǎn)介可控硅（SiliconControlledRecTIfier）簡(jiǎn)稱SCR,，是一種大功率電器元件，也稱晶閘管,。它具有體積小,、效率高、壽命長(zhǎng)等優(yōu)點(diǎn),。在自動(dòng)控制系統(tǒng)中,，可作為大功率驅(qū)動(dòng)器件，實(shí)現(xiàn)用小功率控件控制大功率設(shè)備,。它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動(dòng)系統(tǒng)中得到了的應(yīng)用,。可控硅分單向可控硅和雙向可控硅兩種,。雙向可控硅也叫三端雙向可控硅,，簡(jiǎn)稱TRIAC。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋Ｆ渫〝酄顟B(tài)由控制極G決定,。在控制極G上加正脈沖（或負(fù)脈沖）可使其正向（或反向）導(dǎo)通,。這種裝置的優(yōu)點(diǎn)是控制電路簡(jiǎn)單，沒(méi)有反向耐壓?jiǎn)栴},，因此特別適合做交流無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)使用,。可控硅特性1,、額定通態(tài)平均電流IT在一定條件下,，陽(yáng)極---陰極間可以連續(xù)通過(guò)的50赫茲正弦半波電流的平均值。2,、正向阻斷峰值電壓VPF在控制極開(kāi)路未加觸發(fā)信號(hào),，陽(yáng)極正向電壓還未超過(guò)導(dǎo)能電壓時(shí)，可以重復(fù)加在可控硅兩端的正向峰值電壓,?？煽毓璩惺艿恼螂妷悍逯担荒艹^(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。3,、反向阻斷峰值電壓VPR當(dāng)可控硅加反向電壓，處于反向關(guān)斷狀態(tài)時(shí),，可以重復(fù)加在可控硅兩端的反向峰值電壓,。使用時(shí)，不能超過(guò)手冊(cè)給出的這個(gè)參數(shù)值,。雙向可控硅在結(jié)構(gòu)上相當(dāng)于兩個(gè)單向可控硅反向連接,，這種可控硅具有雙向?qū)üδ堋?/p>

可控硅是可控硅整流元件的簡(jiǎn)稱,是一種具有三個(gè)PN結(jié)的四層結(jié)構(gòu)的大功率半導(dǎo)體器件,一般由兩晶閘管反向連接而成.它的功用不僅是整流，還可以用作無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)以快速接通或切斷電路,，實(shí)現(xiàn)將直流電變成交流電的逆變,，將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等?？煽毓韬推渌雽?dǎo)體器件一樣,，其有體積小、效率高,、穩(wěn)定性好,、工作可靠等優(yōu)點(diǎn),。它的出現(xiàn)，使半導(dǎo)體技術(shù)從弱電領(lǐng)域進(jìn)入了強(qiáng)電領(lǐng)域,，成為工業(yè),、農(nóng)業(yè)、交通運(yùn)輸,、科研以至商業(yè),、民用電器等方面爭(zhēng)相采用的元件。中文名可控硅原理原稱可控硅整流元件目錄1工作過(guò)程2主要用途?整流?無(wú)觸點(diǎn)開(kāi)關(guān)3產(chǎn)品特性可控硅原理工作過(guò)程編輯晶閘管T在工作過(guò)程中,，它的陽(yáng)極A和陰極K與電源和負(fù)載連接,，組成晶閘管的主電路，晶閘管的門(mén)極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,，組成晶閘管的控制電路雙向晶閘管的結(jié)構(gòu)與符號(hào)見(jiàn)圖2,。它屬于NPNPN五層器件，三個(gè)電極分別是T1,、T2,、G。因該器件可以雙向?qū)?，故除門(mén)極G以外的兩個(gè)電極統(tǒng)稱為主端子,，用T1、T2,。表示,，不再劃分成陽(yáng)極或陰極。其特點(diǎn)是,，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1,，的電壓均為正時(shí)，T2是陽(yáng)極,，T1是陰極,。反之，當(dāng)G極和T2極相對(duì)于T1的電壓均為負(fù)時(shí),，T1變成陽(yáng)極,，T2為陰極。雙向可控硅的特性曲線是由一,、三兩個(gè)象限內(nèi)的曲線組合成的,。湖南優(yōu)勢(shì)可控硅模塊生產(chǎn)廠家

可控硅的四層結(jié)構(gòu)和控制極的引用，為其發(fā)揮“以小控大”的優(yōu)異控制特性奠定了基礎(chǔ),。中國(guó)香港可控硅模塊品牌

雙向晶閘管的伏安特性見(jiàn)圖3,，由于正、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。從晶閘管的內(nèi)部分析工作過(guò)程：晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個(gè)PN結(jié)圖一,，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖二.當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流。因此,，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門(mén)極電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋,，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通，晶體管飽和導(dǎo)通,。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2,；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設(shè)流過(guò)J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門(mén)極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖三所示,。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓，而門(mén)極未受電壓的情況下,，式（1—1）中,，Ig=0,(a1+a2)很小。中國(guó)香港可控硅模塊品牌