美國通用電氣公司研發(fā)了世界上***個以硅單晶為半導體整流材料的硅整流器（SR）,，1957年又開發(fā)了全球較早用于功率轉(zhuǎn)換和控制的可控硅整流器（SCR）,。由于它們具有體積小、重量輕、效率高,、壽命長的優(yōu)勢,，尤其是SCR能以微小的電流控制較大的功率,，令半導體電力電子器件成功從弱電控制領(lǐng)域進入了強電控制領(lǐng)域,、大功率控制領(lǐng)域。在整流器的應用上,，晶閘管迅速取代了**整流器（引燃管）,，實現(xiàn)整流器的固體化、靜止化和無觸點化,，并獲得巨大的節(jié)能效果,。從1960年代開始，由普通晶閘管相繼衍生出了快速晶閘管,、光控晶閘管,、不對稱晶閘管及雙向晶閘管等各種特性的晶閘管，形成一個龐大的晶閘管家族,。晶閘管在應用中有效率高,、控制特性好、壽命長,、體積小,、功能強等優(yōu)點，其能承受的電壓和電流容量是目前電力電子器件中**高的,，而且工作可靠,。因晶閘管的上述優(yōu)點，國外對晶閘管在脈沖功率源領(lǐng)域內(nèi)應用的研究做了大量的工作,，很多脈沖功率能源模塊已經(jīng)使用晶閘管作為主開關(guān),。而國內(nèi)的大功率晶閘管主要應用在高壓直流輸電的工頻環(huán)境下，其工頻工作條件下的技術(shù)參數(shù)指標不足以準確反映其在脈沖電源這種高電壓,、大電流,、高陡度的環(huán)境下的使用情況。普通晶閘管（SCR）靠門極正信號觸發(fā)之后,，撤掉信號亦能維持通態(tài),。中國香港優(yōu)勢晶閘管模塊供應

Ia與Il成正比，即當光電二極管的光電流增大時,，光控晶閘管的輸出電流也相應增大,，同時Il的增大，使BGl,、BG2的電流放大系數(shù)a1,、a2也增大。當al與a2之和接近l時,，光控晶閘管的Ia達到**大,，即完全導通。能使光控晶閘管導通的**小光照度,，稱其為導通光照度,。光控晶閘管與普通晶閘管一樣，一經(jīng)觸發(fā),，即成通導狀態(tài),。只要有足夠強度的光源照射一下管子的受光窗口，它就立即成為通導狀態(tài),，而后即使撤離光源也能維持導通,，除非加在陽極和陰極之間的電壓為零或反相，才能關(guān)閉,。3．光控晶閘管的特性為了使光控晶閘管能在微弱的光照下觸發(fā)導通,，因此必須使光控晶閘管在極小的控制電流下能可靠地導通。這樣光控晶閘管受到了高溫和耐壓的限制,，在目前的條件下,，不可能與普通晶閘管一樣做成大功率的。光控晶閘管除了觸發(fā)信號不同以外,，其它特性基本與普通晶閘管是相同的,，因此在使用時可按照普通晶閘管選擇,，只要注意它是光控這個特點就行了。光控晶閘管對光源的波長有一定的要求,，即有選擇性,。波長在——，都是光控晶閘管較為理想的光源,。使用注意事項/晶閘管編輯選用可控硅的額定電壓時,，應參考實際工作條件下的峰值電壓的大小，并留出一定的余量,。1,、選用可控硅的額定電流時。內(nèi)蒙古晶閘管模塊金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種。

4．可關(guān)斷晶閘管可關(guān)斷晶閘管亦稱門控晶閘管,。其主要特點是,，當門極加負向觸發(fā)信號時晶閘管能自行關(guān)斷。它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點,，以具有自關(guān)斷能力，使用方便,，是理想的高壓,、大電流開關(guān)器件。它的容量及使用壽命均超過巨型晶體管,。目前,，大功率可關(guān)斷晶閘管已廣用于斬波調(diào)速、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,，顯示出強大的生命力。5．光控晶閘管光控晶閘管又稱光觸發(fā)晶閘管,，是一種光敏器件,。由于其控制信號來自光的照射，沒有必要再引出控制極,，所以只有兩個電極（陽極A和陰極K）,，結(jié)構(gòu)與普通可控硅一樣，是由四層PNPN器件構(gòu)成,。圖2光控晶閘管符號圖當在光控晶閘管的陽極加上正向電壓,，陰極加上負向電壓時，控晶閘管可以等效成的電路,。光控晶閘管的基本特性與普通晶閘管是相同的,，只是它對光源的波長有一定的要求,，有選擇性。波長在0．8——0．9um的紅外線及波長在1um左右的激光,，都是光控晶閘管較為理想的光源,。晶閘管的應用晶閘管是一種開關(guān)元件，具有硅整流器件的特性,，能在高電壓、大電流條件下工作,。它基本的用途就是可控整流,，其工作過程可以控制，具有體積小,、輕,、功耗低、效率高,、開關(guān)迅速等優(yōu)點,。基于上述特點,。

在恢復電流快速衰減時,，由于外電路電感的作用，會在晶閘管兩端引起反向的尖峰電壓U,。從正向電流降為零,，到反向恢復電流衰減至接近于零的時間，就是晶閘管的反向阻斷恢復時間t,。[1]反向恢復過程結(jié)束后,，由于載流子復合過程比較慢，晶閘管要恢復其對反向電壓的阻斷能力還需要一段時間,，這叫做反向阻斷恢復時間tgr,。在反向阻斷恢復時間內(nèi)如果重新對晶閘管施加正向電壓，晶閘管會重新正向?qū)?，而不受門極電流控制而導通,。所以在實際應用中，需對晶閘管施加足夠長時間的反壓,，使晶閘管充分恢復其對正向電壓的阻斷能力,，電路才能可靠工作。晶閘管的電路換向關(guān)斷時間t定義為t與t之和,，即t=t+t除了開通時間t,、關(guān)斷時間t及觸發(fā)電流IGT外，本文比較關(guān)注的晶閘管的其它主要參數(shù)包括：斷態(tài)（反向）重復峰值電壓U（U）：是在門極斷路而結(jié)溫為額定值時,，允許重復加在器件上的正向（反向）峰值電壓,。通常取晶閘管的UDRM和URRM中較小的標值作為該器件的額定電壓,。通態(tài)平均電流I：國際規(guī)定通態(tài)平均電流為晶閘管在環(huán)境溫度為40℃和規(guī)定的冷卻狀態(tài)下，穩(wěn)定結(jié)溫不超過額定結(jié)溫時所允許流過的**大工頻正弦半波電流的平均值,。這也是標稱其額定電流的參數(shù),。當晶閘管承受正向陽極電壓時，為使晶閘管導通,，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。

晶閘管智能模塊模塊規(guī)格編輯晶閘管智能模塊注意事項編輯1、模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,，且晶閘管芯片抗電流沖擊能力較差,，建議您在選取模塊電流規(guī)格時應留出適當裕量。推薦選擇如下：阻性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的2倍,。感性負載：模塊標稱電流應為負載額定電流的3倍,。2、導通角要求模塊在較小導通角時（即模塊高輸入電壓,、低輸出電壓）輸出較大電流,，這樣會使模塊嚴重發(fā)熱甚至燒毀。這是因為在非正弦波狀態(tài)下用普通儀表測出的電流值,，不是有效值,，所以，盡管儀表顯示的電流值并未超過模塊的標稱值,，但有效值會超過模塊標稱值的幾倍,。因此，要求模塊應在較大導通角下（100度以上）工作,。3,、控制電源要求（1）電壓為DC12V±；紋波電壓≤30mV,；輸出電流≥1A,；（2）可以采用開關(guān)電源，也可采用線性電源（即變壓器整流式穩(wěn)壓電源）,。開關(guān)電源外殼應帶屏蔽罩,。線性電源要求濾波電容必須≥2200μf/25V。（3）控制電源極性要求正確接入模塊控制端口,，嚴禁反接,。否則將燒壞模塊控制電路。4,、使用環(huán)境要求（1）工作場所環(huán)境溫度范圍：-25℃～+45℃,。（2）模塊周圍應干燥、通風、遠離熱源,、無塵,、無腐蝕性液體或氣體。晶閘管承受反向陽極電壓時,，不管門極承受何種電壓,，晶閘管都處于關(guān)斷狀態(tài)。海南哪里有晶閘管模塊工廠直銷

晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷,，觸發(fā)導通,，反向阻斷。中國香港優(yōu)勢晶閘管模塊供應

定義/晶閘管編輯晶閘管導通條件為：加正向電壓且門極有觸發(fā)電流,；其派生器件有：快速晶閘管,，雙向晶閘管，逆導晶閘管,，光控晶閘管等。它是一種大功率開關(guān)型半導體器件,，在電路中用文字符號為“V”,、“VT”表示（舊標準中用字母“SCR”表示）。晶閘管（Thyristor）是一種開關(guān)元件,，能在高電壓,、大電流條件下工作，并且其工作過程可以控制,、被應用于可控整流,、交流調(diào)壓、無觸點電子開關(guān),、逆變及變頻等電子電路中,，是典型的小電流控制大電流的設(shè)備。1957年,，美國通用電器公司開發(fā)出世界上***個晶閘管產(chǎn)品,，并于1958年使其商業(yè)化。結(jié)構(gòu)/晶閘管編輯晶閘管它是由一個P-N-P-N四層(4layers)半導體構(gòu)成的,，中間形成了三個PN結(jié),。分類/晶閘管編輯晶閘管按其關(guān)斷、導通及控制方式可分為普通晶閘管（SCR）,、雙向晶閘管（TRIAC）,、逆導晶閘管（RCT）、門極關(guān)斷晶閘管（GTO）,、BTG晶閘管,、溫控晶閘管（TT國外，TTS國內(nèi)）和光控晶閘管（LTT）等多種。晶閘管按其引腳和極性可分為二極晶閘管,、三極晶閘管和四極晶閘管,。晶閘管按其封裝形式可分為金屬封裝晶閘管、塑封晶閘管和陶瓷封裝晶閘管三種類型,。其中,，金屬封裝晶閘管又分為螺栓形、平板形,、圓殼形等多種,。中國香港優(yōu)勢晶閘管模塊供應