TC=℃）------通態(tài)平均電流VTM=V-----------通態(tài)峰值電壓VDRM=V-------------斷態(tài)正向重復(fù)峰值電壓IDRM=mA-------------斷態(tài)重復(fù)峰值電流VRRM=V-------------反向重復(fù)峰值電壓IRRM=mA------------反向重復(fù)峰值電流IGT=mA------------門極觸發(fā)電流VGT=V------------門極觸發(fā)電壓執(zhí)行標(biāo)準(zhǔn)：QB-02-091．晶閘管關(guān)斷過電壓（換流過電壓,、空穴積蓄效應(yīng)過電壓）及保護(hù)晶閘管從導(dǎo)通到阻斷，線路電感（主要是變壓器漏感LB）釋放能量產(chǎn)生過電壓,。由于晶閘管在導(dǎo)通期間,，載流子充滿元件內(nèi)部，在關(guān)斷過程中,，管子在反向作用下,，正向電流下降到零時(shí),，元件內(nèi)部殘存著載流子。這些載流子在反向電壓作用下瞬時(shí)出現(xiàn)較大的反向電流,，使殘存的載流子迅速消失,，這時(shí)反向電流減小即diG/dt極大，產(chǎn)生的感應(yīng)電勢(shì)很大,，這個(gè)電勢(shì)與電源串聯(lián),，反向加在已恢復(fù)阻斷的元件上，可導(dǎo)致晶閘管反向擊穿,。這就是關(guān)斷過電壓（換相過電壓）,。數(shù)值可達(dá)工作電壓的5~6倍。保護(hù)措施：在晶閘管兩端并接阻容吸收電路,。2．交流側(cè)過電壓及其保護(hù)由于交流側(cè)電路在接通或斷開時(shí)出現(xiàn)暫態(tài)過程,，會(huì)產(chǎn)生操作過電壓。高壓合閘的瞬間,，由于初次級(jí)之間存在分布電容,，初級(jí)高壓經(jīng)電容耦合到次級(jí)，出現(xiàn)瞬時(shí)過電壓,。按引腳和極性分類：可控硅按其引腳和極性可分為二極可控硅,、三極可控硅和四極可控硅。云南可控硅模塊工廠直銷

晶閘管等元件通過整流來實(shí)現(xiàn),。除此之外整流器件還有很多,，如：可關(guān)斷晶閘管GTO，逆導(dǎo)晶閘管,，雙向晶閘管,，整流模塊，功率模塊IGBT,，SIT,，MOSFET等等，這里只探討晶閘管,。晶閘管又名可控硅,，通常人們都叫可控硅。是一種功率半導(dǎo)體器件,，由于它效率高,，控制特性好，壽命長(zhǎng),，體積小等優(yōu)點(diǎn),，自上個(gè)世紀(jì)六十長(zhǎng)代以來，獲得了迅猛發(fā)展,，并已形成了一門單獨(dú)的學(xué)科,。“晶閘管交流技術(shù)”,。晶閘管發(fā)展到,，在工藝上已經(jīng)非常成熟，品質(zhì)更好,，成品率大幅提高,，并向高壓大電流發(fā)展。目前國(guó)內(nèi)晶閘管大額定電流可達(dá)5000A,，國(guó)外更大,。我國(guó)的韶山電力機(jī)車上裝載的都是我國(guó)自行研制的大功率晶閘管。晶閘管的應(yīng)用：一,、可控整流如同二極管整流一樣,，可以把交流整流為直流，并且在交流電壓不變的情況下,，方便地控制直流輸出電壓的大小即可控整流,，實(shí)現(xiàn)交流——可變直流二、交流調(diào)壓與調(diào)功利用晶閘管的開關(guān)特性代替老式的接觸調(diào)壓器,、感應(yīng)調(diào)壓器和飽和電抗器調(diào)壓,。為了消除晶閘管交流調(diào)壓產(chǎn)生的高次諧波，出現(xiàn)了一種過零觸發(fā),，實(shí)現(xiàn)負(fù)載交流功率的無級(jí)調(diào)節(jié)即晶閘管調(diào)功器,。交流——可變交流。三,、逆變與變頻直流輸電：將三相高壓交流整流為高壓直流,，由高壓直流遠(yuǎn)距離輸送以減少損耗。湖南可控硅模塊供應(yīng)大功率高頻可控硅通常用作工業(yè)中,；高頻熔煉爐等,。

在保持黑筆不脫離A極狀態(tài)下斷開G極，指針應(yīng)指示幾十歐至一百歐,，此時(shí)可控硅已被觸發(fā),，且觸發(fā)電壓低（或觸發(fā)電流小）,。然后瞬時(shí)斷開A極再接通,，指針應(yīng)退回∞位置，則表明可控硅良好,。對(duì)于1~6A雙向可控硅,，紅筆接T1極，黑筆同時(shí)接G,、T2極,，在保證黑筆不脫離T2極的前提下斷開G極,，指針應(yīng)指示為幾十至一百多歐（視可控硅電流大小、廠家不同而異）,。然后將兩筆對(duì)調(diào),，重復(fù)上述步驟測(cè)一次，指針指示還要比上一次稍大十幾至幾十歐,，則表明可控硅良好,，且觸發(fā)電壓（或電流）小。若保持接通A極或T2極時(shí)斷開G極,，指針立即退回∞位置,，則說明可控硅觸發(fā)電流太大或損壞?？砂磮D2方法進(jìn)一步測(cè)量,，對(duì)于單向可控硅，閉合開關(guān)K,，燈應(yīng)發(fā)亮,，斷開K燈仍不息滅，否則說明可控硅損壞,。對(duì)于雙向可控硅,，閉合開關(guān)K，燈應(yīng)發(fā)亮,，斷開K,，燈應(yīng)不息滅。然后將電池反接,，重復(fù)上述步驟,，均應(yīng)是同一結(jié)果，才說明是好的,。否則說明該器件已損壞,。可控硅相當(dāng)于可以控制的二極管,，當(dāng)控制極加一定的電壓時(shí),，陰極和陽(yáng)極就導(dǎo)通了?？煽毓璺謫蜗蚩煽毓韬碗p向可控硅兩種,，都是三個(gè)電極。單向可控硅有陰極（K）,、陽(yáng)極（A）,、控制極（G）。雙向可控硅等效于兩只單項(xiàng)可控硅反向并聯(lián)而成。

雙向晶閘管的伏安特性見圖3,，由于正,、反向特性曲線具有對(duì)稱性，所以它可在任何一個(gè)方向?qū)?。從晶閘管的內(nèi)部分析工作過程：晶閘管是四層三端器件,，它有J1、J2,、J3三個(gè)PN結(jié)圖一，可以把它中間的NP分成兩部分,，構(gòu)成一個(gè)PNP型三極管和一個(gè)NPN型三極管的復(fù)合管圖二.當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓時(shí),，為使晶閘管導(dǎo)通，必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。圖2中每個(gè)晶體管的集電極電流同時(shí)就是另一個(gè)晶體管的基極電流,。因此，兩個(gè)互相復(fù)合的晶體管電路,，當(dāng)有足夠的門極電流Ig流入時(shí),，就會(huì)形成強(qiáng)烈的正反饋，造成兩晶體管飽和導(dǎo)通,，晶體管飽和導(dǎo)通,。設(shè)PNP管和NPN管的集電極電流相應(yīng)為Ic1和Ic2；發(fā)射極電流相應(yīng)為Ia和Ik,；電流放大系數(shù)相應(yīng)為a1=Ic1/Ia和a2=Ic2/Ik,，設(shè)流過J2結(jié)的反相漏電電流為Ic0,晶閘管的陽(yáng)極電流等于兩管的集電極電流和漏電流的總和：Ia=Ic1+Ic2+Ic0或Ia=a1Ia+a2Ik+Ic0若門極電流為Ig,則晶閘管陰極電流為Ik=Ia+Ig從而可以得出晶閘管陽(yáng)極電流為：I=(Ic0+Iga2)/（1-（a1+a2））（1—1）硅PNP管和硅NPN管相應(yīng)的電流放大系數(shù)a1和a2隨其發(fā)射極電流的改變而急劇變化如圖三所示。當(dāng)晶閘管承受正向陽(yáng)極電壓,，而門極未受電壓的情況下,，式（1—1）中，Ig=0,(a1+a2)很小,。在性能上,，可控硅不僅具有單向?qū)щ娦裕疫€具有比硅整流元件,。

一般把5安培以下的可控硅叫小功率可控硅,，50安培以上的可控硅叫大功率可控硅。我們可以把從陰極向上數(shù)的,、二,、三層看面是一只NPN型號(hào)晶體管，而二,、三,、四層組成另一只PNP型晶體管。其中第二,、第三層為兩管交迭共用,?？僧嫵鰣D1的等效電路圖。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓E,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG2的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào),，BG2將產(chǎn)生基極電流Ib2，經(jīng)放大,，BG2將有一個(gè)放大了β2倍的集電極電流IC2,。因?yàn)锽G2集電極與BG1基極相連，IC2又是BG1的基極電流Ib1,。BG1又把Ib1（Ib2）放大了β1的集電極電流IC1送回BG2的基極放大,。如此循環(huán)放大，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通,。事實(shí)上這一過程是“一觸即發(fā)”的，對(duì)可控硅來說,，觸發(fā)信號(hào)加到控制極,，可控硅立即導(dǎo)通。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能,?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后，由于循環(huán)反饋的原因,，流入BG2基極的電流已不只是初始的Ib2,，而是經(jīng)過BG1、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib2）,，這一電流遠(yuǎn)大于Ib2,，足以保持BG2的持續(xù)導(dǎo)通。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài),，只有斷開電源E或降低E的輸出電壓，使BG1,、BG2的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果E極性反接,。不管可控硅的外形如何，它們的管芯都是由P型硅和N型硅組成的四層P1N1P2N2結(jié)構(gòu),。河南優(yōu)勢(shì)可控硅模塊聯(lián)系人

應(yīng)在額定參數(shù)范圍內(nèi)使用可控硅,。選擇可控硅主要確定兩個(gè)參致。云南可控硅模塊工廠直銷

其中第二、第三層為兩管交迭共用,。當(dāng)在陽(yáng)極和陰極之間加上一個(gè)正向電壓Ea,，又在控制極G和陰極C之間（相當(dāng)BG1的基一射間）輸入一個(gè)正的觸發(fā)信號(hào)，BG1將產(chǎn)生基極電流Ib1,，經(jīng)放大,，BG1將有一個(gè)放大了β1倍的集電極電流IC1。因?yàn)锽G1集電極與BG2基極相連,，IC1又是BG2的基極電流Ib2,。BG2又把比Ib2（Ib1）放大了β2的集電極電流IC2送回BG1的基極放大。如此循環(huán)放大,，直到BG1,、BG2完全導(dǎo)通。實(shí)際這一過程是“一觸即發(fā)”的過程,，對(duì)可控硅來說，觸發(fā)信號(hào)加入控制極,，可控硅立即導(dǎo)通,。導(dǎo)通的時(shí)間主要決定于可控硅的性能?？煽毓枰唤?jīng)觸發(fā)導(dǎo)通后,，由于循環(huán)反饋的原因，流入BG1基極的電流已不只是初始的Ib1,，而是經(jīng)過BG1,、BG2放大后的電流（β1*β2*Ib1）這一電流遠(yuǎn)大于Ib1，足以保持BG1的持續(xù)導(dǎo)通,。此時(shí)觸發(fā)信號(hào)即使消失,，可控硅仍保持導(dǎo)通狀態(tài)只有斷開電源Ea或降低Ea，使BG1,、BG2中的集電極電流小于維持導(dǎo)通的小值時(shí),，可控硅方可關(guān)斷。當(dāng)然,，如果Ea極性反接,，BG1、BG2由于受到反向電壓作用將處于截止?fàn)顟B(tài),。這時(shí),，即使輸入觸發(fā)信號(hào)，可控硅也不能工作,。反過來,，Ea接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的，可控硅也不能導(dǎo)通,。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào)，而正向陽(yáng)極電壓大到超過一定值時(shí),。云南可控硅模塊工廠直銷