下面描述中的附圖**是本發(fā)明中記載的一些實施例，對于本領域普通技術人員來講,，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖,。圖1為本發(fā)明的立式晶閘管模塊的一具體實施方式的平面示意圖,。具體實施方式下面結合附圖所示的各實施方式對本發(fā)明進行詳細說明，但應當說明的是,，這些實施方式并非對本發(fā)明的限制,，本領域普通技術人員根據(jù)這些實施方式所作的功能、方法,、或者結構上的等效變換或替代,，均屬于本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。如圖1所示,，本發(fā)明的立式晶閘管模塊包括：外殼1,、蓋板2、銅底板3,、形成于所述蓋板2上的***接頭4,、第二接頭5和第三接頭6、封裝于所述外殼1內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元,。其中,，任一所述接頭均可與電力系統(tǒng)中一路電路相連接，并在晶閘管單元的控制下對所在電路進行投切控制,。所述***晶閘管單元包括：***壓塊7,、***門極壓接式組件8、***導電片9,、第二導電片10,、瓷板11。其中,，所述***壓塊7設置于所述***門極壓接式組件8上,，并通過所述***門極壓接式組件8對所述***導電片9、第二導電片10,、瓷板11施加壓合作用力,，所述***導電片9、第二導電片10,、瓷板11依次設置于所述銅底板3上,。 四層N型半導體引出的電極叫陰極K。四川好的IGBT模塊誠信合作

    這個反電動勢可以對電容進行充電,。這樣,，正極的電壓也不會上升,。如下圖：坦白說，上面的這個解釋節(jié)我寫得不是很有信心,，我希望有高人出來指點一下,。歡迎朋友在評論中留言。我會在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中,，通過實際的電流照片,，驗證這個二極管的作用。現(xiàn)在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說,，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進行整流”有問題的,。IGBT,通常就是一個元件，它不帶續(xù)流二極管,。即是這個符號：商用IGBT模塊,，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個整體部件中，即下面的這個符號,。在工廠中,，我們稱這個整體部件叫IGBT，不會說“IGBT模塊”,。我們可以用“IGBT模塊”搭接一個橋式整流電路,，利用它的續(xù)流二極管實現(xiàn)整流。這樣,，我們說：IGBT也可以進行整流,，也沒有錯。但它的實質(zhì),，還是用的二極管實現(xiàn)了整流。既然是用了“IGBT模塊”上的“續(xù)流二極管”整流,，為什么不直接用“二極管”呢,？答案是：這一種設計是利用“IGBT”的通斷來治理變頻器工作時產(chǎn)生的“諧波”，這個原理以后寫文再講,。 湖南出口IGBT模塊供應商家大家使用的是單向晶閘管,，也就是人們常說的普通晶閘管，它是由四層半導體材料組成的,。

    IGBT模塊上有一個“續(xù)流二極管”,。它有什么作用呢？答：當PWM波輸出的時候,，它是維持電機內(nèi)的電流不斷用的,。我在說明變頻器逆變原理的時候，用的一個電阻做負載,。電阻做負載,，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,，上圖所示的原理沒有問題。但變頻器實際是要驅(qū)動電機的,，接在電機的定子上面,，定子是一組線圈繞成的，就是“電感”,。電感有一個特點：它的內(nèi)部的電流不能進行突變,。所以當采用PWM波輸出電壓波形時，加在電機上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這樣電機內(nèi)的電流就會“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這就給電機帶來嚴重的后果：由于電感斷流時，會產(chǎn)生反電動勢,，這個電動勢加在IGBT上面,，對IGBT會有損害。解決的辦法：在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”,。有了這個續(xù)流二極管,，電機的電流就是連續(xù)的。具體怎么工作的呢,？如下圖,，負載上換成了一個電感L。當1/4開通時,，電感上會有電流流過,。然后PWM波控制1/4關斷，這樣上圖中標箭頭的這個電路中就沒有電流流過,。由于電感L接在電路中,，電感的特性，電流不能突然中斷,，所以電感中此時還有電流流過,，同時因為電路上電流中斷了，導致它會產(chǎn)生一個反電動勢,，這個反電動勢將通過3的續(xù)流二極管加到正極上,，由于正極前面有濾波電容。

    本發(fā)明涉及電力電子開關技術領域,，尤其涉及一種立式晶閘管模塊,。背景技術：電力電子開關是指利用電子電路以及電力電子器件實現(xiàn)電路通斷的運行單元,至少包括一個可控的電子驅(qū)動器件，如晶閘管,、晶體管,、場效應管、可控硅,、繼電器等,。其中,，現(xiàn)有的晶閘管*能夠?qū)崿F(xiàn)單路控制，不利于晶閘管所在電力系統(tǒng)的投切控制,。因此,，針對上述問題，有必要提出進一步的解決方案,。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明的目的在于提供一種立式晶閘管模塊,，以克服現(xiàn)有技術中存在的不足,。為實現(xiàn)上述發(fā)明目的,，本發(fā)明提供一種立式晶閘管模塊，其包括：外殼,、蓋板,、銅底板、形成于所述蓋板上的***接頭,、第二接頭和第三接頭,、封裝于所述外殼內(nèi)部的***晶閘管單元和第二晶閘管單元；所述***晶閘管單元包括：***壓塊,、***門極壓接式組件,、***導電片、第二導電片,、瓷板,，所述***壓塊設置于所述***門極壓接式組件上，并通過所述***門極壓接式組件對所述***導電片,、第二導電片,、瓷板施加壓合作用力，所述***導電片,、第二導電片,、瓷板依次設置于所述銅底板上；所述第二晶閘管單元包括：第二壓塊,、第二門極壓接式組件,、第三導電片,、鉬片,、銀片、鋁片,，所述第二壓塊設置于所述第二門極壓接式組件上,。 使用中當IGBT模塊集電極電流增大時，所產(chǎn)生的額定損耗亦變大,。

    不*使設備的體積重量增大,，而且會降低效率,，產(chǎn)生波形失真和噪聲?？申P斷晶閘管克服了上述缺陷,，它既保留了普通晶閘管耐壓高、電流大等優(yōu)點,，以具有自關斷能力,，使用方便，是理想的高壓,、大電流開關器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管（GTR），只是工作頻紡比GTR低,。GTO已達到3000A,、4500V的容量。大功率可關斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領域，顯示出強大的生命力,?？申P斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件，其結構及等效電路和普通晶閘管相同,，因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導通原理相同,，但二者的關斷原理及關斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導通之后即外于深度飽和狀態(tài)，而GTO在導通后只能達到臨界飽和,，所以GTO門極上加負向觸發(fā)信號即可關斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關斷增益，βoff,，它等于陽極**大可關斷電流IATM與門極**大負向電流IGM之比,，有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍。βoff值愈大,，說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強,。很顯然，βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處,。 模塊電流規(guī)格的選取考慮到電網(wǎng)電壓的波動和負載在起動時一般都比其額定電流大幾倍,。中國臺灣常規(guī)IGBT模塊哪家便宜

f,焊接g極時，電烙鐵要停電并接地,，選用定溫電烙鐵**合適,。四川好的IGBT模塊誠信合作

流過IGBT的電流值超過短路動作電流,，則立刻發(fā)生短路保護，***門極驅(qū)動電路,，輸出故障信號,。跟過流保護一樣，為避免發(fā)生過大的di/dt,，大多數(shù)IPM采用兩級關斷模式,。為縮短過流保護的電流檢測和故障動作間的響應時間，IPM內(nèi)部使用實時電流控制電路(RTC),，使響應時間小于100ns,，從而有效抑制了電流和功率峰值，提高了保護效果,。當IPM發(fā)生UV,、OC、OT,、SC中任一故障時,，其故障輸出信號持續(xù)時間tFO為1．8ms(SC持續(xù)時間會長一些)，此時間內(nèi)IPM會***門極驅(qū)動,，關斷IPM;故障輸出信號持續(xù)時間結束后,，IPM內(nèi)部自動復位，門極驅(qū)動通道開放,?？梢钥闯觯骷陨懋a(chǎn)生的故障信號是非保持性的,，如果tFO結束后故障源仍舊沒有排除,，IPM就會重復自動保護的過程，反復動作,。過流,、短路、過熱保護動作都是非常惡劣的運行狀況,，應避免其反復動作,，因此*靠IPM內(nèi)部保護電路還不能完全實現(xiàn)器件的自我保護。要使系統(tǒng)真正安全,、可靠運行,，需要輔助的**保護電路。智能功率模塊電路設計編輯驅(qū)動電路是IPM主電路和控制電路之間的接口,，良好的驅(qū)動電路設計對裝置的運行效率,、可靠性和安全性都有重要意義,。四川好的IGBT模塊誠信合作