IGBT模塊上有一個“續(xù)流二極管”,。它有什么作用呢,？答：當(dāng)PWM波輸出的時候，它是維持電機(jī)內(nèi)的電流不斷用的,。我在說明變頻器逆變原理的時候,，用的一個電阻做負(fù)載,。電阻做負(fù)載，它上面的電流隨著電壓有通斷而通斷,，上圖所示的原理沒有問題,。但變頻器實際是要驅(qū)動電機(jī)的，接在電機(jī)的定子上面,，定子是一組線圈繞成的,，就是“電感”。電感有一個特點(diǎn)：它的內(nèi)部的電流不能進(jìn)行突變,。所以當(dāng)采用PWM波輸出電壓波形時,，加在電機(jī)上的電壓就是“斷斷續(xù)續(xù)”的，這樣電機(jī)內(nèi)的電流就會“斷斷續(xù)續(xù)”的,，這就給電機(jī)帶來嚴(yán)重的后果：由于電感斷流時,，會產(chǎn)生反電動勢，這個電動勢加在IGBT上面,，對IGBT會有損害,。解決的辦法：在IGBT的CE極上并聯(lián)“續(xù)流二極管”。有了這個續(xù)流二極管,，電機(jī)的電流就是連續(xù)的,。具體怎么工作的呢？如下圖,，負(fù)載上換成了一個電感L,。當(dāng)1/4開通時，電感上會有電流流過,。然后PWM波控制1/4關(guān)斷,，這樣上圖中標(biāo)箭頭的這個電路中就沒有電流流過。由于電感L接在電路中,，電感的特性,，電流不能突然中斷，所以電感中此時還有電流流過,，同時因為電路上電流中斷了,，導(dǎo)致它會產(chǎn)生一個反電動勢，這個反電動勢將通過3的續(xù)流二極管加到正極上,，由于正極前面有濾波電容,。 由于IGBT模塊為MOSFET結(jié)構(gòu)，IGBT的柵極通過一層氧化膜與發(fā)射極實現(xiàn)電隔離,，具有出色的器件性能,。山東國產(chǎn)IGBT模塊批發(fā)價

    圖簡單地給出了晶閘管開通和關(guān)斷過程的電壓與電流波形。圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況,；而關(guān)斷過程描述的是對已導(dǎo)通的晶閘管,，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）,。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴(kuò)散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時間t,。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制,，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽極電流只能逐漸上升,。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓降到額定值的90%），這段時間稱為觸發(fā)延遲時間t,。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時間（對于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓由90%降到10%）稱為上升時間t,，開通時間t定義為兩者之和，即t=t+t通常晶閘管的開通時間與觸發(fā)脈沖的上升時間,，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān),。[1]關(guān)斷過程處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r，由于外電路電感的存在,，其陽極電流在衰減時存在過渡過程,。陽極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過反向恢復(fù)電流,，經(jīng)過**大值I后,，再反方向衰減。同時,。 安徽國產(chǎn)IGBT模塊出廠價格f,焊接g極時,，電烙鐵要停電并接地，選用定溫電烙鐵**合適,。

    這個反電動勢可以對電容進(jìn)行充電,。這樣，正極的電壓也不會上升,。如下圖：坦白說,，上面的這個解釋節(jié)我寫得不是很有信心，我希望有高人出來指點(diǎn)一下,。歡迎朋友在評論中留言。我會在后面寫《變頻器的輸出電流》一節(jié)中,，通過實際的電流照片,，驗證這個二極管的作用。現(xiàn)在來解釋在《變頻器整流部分元件》中說,，在《電流整流的方式分類》中講的“也可以用IGBT進(jìn)行整流”有問題的,。IGBT,通常就是一個元件，它不帶續(xù)流二極管,。即是這個符號：商用IGBT模塊,，都是將“IGBT+續(xù)流二極管”集成在一個整體部件中,，即下面的這個符號。在工廠中,，我們稱這個整體部件叫IGBT,，不會說“IGBT模塊”。我們可以用“IGBT模塊”搭接一個橋式整流電路,，利用它的續(xù)流二極管實現(xiàn)整流,。這樣，我們說：IGBT也可以進(jìn)行整流,，也沒有錯,。但它的實質(zhì)，還是用的二極管實現(xiàn)了整流,。既然是用了“IGBT模塊”上的“續(xù)流二極管”整流,，為什么不直接用“二極管”呢？答案是：這一種設(shè)計是利用“IGBT”的通斷來治理變頻器工作時產(chǎn)生的“諧波”,，這個原理以后寫文再講,。

圖中開通過程描述的是晶閘管門極在坐標(biāo)原點(diǎn)時刻開始受到理想階躍觸發(fā)電流觸發(fā)的情況；而關(guān)斷過程描述的是對已導(dǎo)通的晶閘管,，在外電路所施加的電壓在某一時刻突然由正向變?yōu)榉聪虻那闆r（如圖中點(diǎn)劃線波形）,。開通過程晶閘管的開通過程就是載流子不斷擴(kuò)散的過程。對于晶閘管的開通過程主要關(guān)注的是晶閘管的開通時間t,。由于晶閘管內(nèi)部的正反饋過程以及外電路電感的限制,，晶閘管受到觸發(fā)后，其陽極電流只能逐漸上升,。從門極觸發(fā)電流上升到額定值的10%開始,，到陽極電流上升到穩(wěn)態(tài)值的10%（對于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓降到額定值的90%），這段時間稱為觸發(fā)延遲時間t,。陽極電流從10%上升到穩(wěn)態(tài)值的90%所需要的時間（對于阻性負(fù)載相當(dāng)于陽極電壓由90%降到10%）稱為上升時間t,，開通時間t定義為兩者之和，即t=t+t通常晶閘管的開通時間與觸發(fā)脈沖的上升時間,，脈沖峰值以及加在晶閘管兩極之間的正向電壓有關(guān),。[1]關(guān)斷過程處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管當(dāng)外加電壓突然由正向變?yōu)榉聪驎r，由于外電路電感的存在,，其陽極電流在衰減時存在過渡過程,。陽極電流將逐步衰減到零，并在反方向流過反向恢復(fù)電流,，經(jīng)過**大值I后,，再反方向衰減。同時,，開關(guān)損耗增大,，使原件發(fā)熱加劇,，因此，選用IGBT模塊時額定電流應(yīng)大于負(fù)載電流,。

    這個話題的起因,，是神八兄送了我?guī)讉€大電流IGBT模塊，有150A的,，也有300A的,，據(jù)說功率分別可以做到10KW和20KW以上，也是擋不住的誘惑,，決定來試一試,。但首先必須做一塊能驅(qū)動這些大家伙的驅(qū)動電路板。經(jīng)和神八兄多次商量后,，決定還是用EG8010芯片,，理由是：這款SPWM芯片價格便宜，功能很多,，性能比較好,，特別穩(wěn)壓特性很好。但是,，用8010來驅(qū)動IGBT模塊,，也有二個問題需要解決：***個問題：8010的**大死區(qū)時間只有，而這些大模塊,，因為輸入電容比較大,，需要有比較大的死區(qū)時間，有時可能要放大到3US以上,，才能安全工作,。為了解決這個問題，我把8010的輸出接法做了較大的改進(jìn),，先把8010輸出的4路用與門合并成2路,，做成象張工的22851093這樣的時序，再把二路SPWM分成4路,，用與非門做成硬件死區(qū)電路,，這樣，死區(qū)時間就不受8010內(nèi)建死區(qū)的限止了,，可以隨意做到幾US,。這樣的接法，還有一個**的好處,，就是H橋的4個管子功耗是平均的，不會出現(xiàn)半橋熱半橋冷的現(xiàn)象,。第二個問題：因為IGBT模塊的工作頻率都比較低,，一般要求在20K以下,，但8010的載波頻率比較高，神八兄經(jīng)過實險和計算,，決定用下面方式來解決,，把原先8010用的12M晶振，改為10M晶振,，這樣,，載頻就降到。 主電路用螺絲擰緊,，控制極g要用插件,，盡可能不用焊接方式。黑龍江國產(chǎn)IGBT模塊歡迎選購

它在交直流電機(jī)調(diào)速系統(tǒng),、調(diào)功系統(tǒng)及隨動系統(tǒng)中得到了廣泛的應(yīng)用,。山東國產(chǎn)IGBT模塊批發(fā)價

IGBT模塊在新能源發(fā)電、工業(yè)電機(jī)驅(qū)動及電動汽車領(lǐng)域占據(jù)**地位,。在光伏逆變器中,，其將直流電轉(zhuǎn)換為并網(wǎng)交流電，效率可達(dá)98%以上,；風(fēng)力發(fā)電變流器則依賴高壓IGBT（如3.3kV/1500A模塊）實現(xiàn)變速恒頻控制,。電動汽車的電機(jī)控制器需采用高功率密度IGBT模塊（如豐田普銳斯使用的雙面冷卻模塊），以支持頻繁啟停和能量回饋,。軌道交通領(lǐng)域,，IGBT牽引變流器可減少30%的能耗，并實現(xiàn)無級調(diào)速,。近年來,，第三代半導(dǎo)體材料（如SiC和GaN）與IGBT的混合封裝技術(shù)***提升模塊性能，例如采用SiC二極管降低反向恢復(fù)損耗,。智能化趨勢推動模塊集成驅(qū)動與保護(hù)電路（如富士電機(jī)的IPM智能模塊）,，同時新型封裝技術(shù)（如銀燒結(jié)和銅線鍵合）將工作結(jié)溫提升至175℃以上，壽命延長至傳統(tǒng)焊接工藝的5倍,。未來,，IGBT模塊將向更高電壓等級（10kV+）、更低損耗（Vce(sat)<1.5V）和多功能集成（如內(nèi)置電流傳感器）方向持續(xù)演進(jìn),。山東國產(chǎn)IGBT模塊批發(fā)價