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否則將遭至徹底損壞,。當(dāng)晶閘管中流過大于額定值的電流時,,熱量來不及散發(fā),使得結(jié)溫迅速升高,,終將導(dǎo)致結(jié)層被燒壞,。產(chǎn)生過電流的原因是多種多樣的,,例如,變流裝置本身晶閘管損壞,,觸發(fā)電路發(fā)生故障,,控制系統(tǒng)發(fā)生故障等,以及交流電源電壓過高,、過低或缺相,,負(fù)載過載或短路,相鄰設(shè)備故障影響等,。常用的晶閘管過電流保護方法是快速熔斷器,。由于熔絲的一般特性吹入速度太慢,吹它尚未被燒毀晶閘管保險絲之前;不能用于保護晶閘管,。埋銀保險石英砂內(nèi)快速熔斷器,,熔斷時間很短,它可以用來保護晶閘管,。業(yè)績快速熔斷器主要有以下特征,。晶閘管的代換晶閘管損壞后,若無同型號的晶閘管更換,,可以通過選用中國與其工作性能設(shè)計參數(shù)相近的其他產(chǎn)品型號晶閘管來代換,。在應(yīng)用電路的設(shè)計中,通常有很大的余量,。更換晶閘管時,,只需注意其額定峰值電壓(重復(fù)峰值電壓)、額定電流(通態(tài)均勻電流),、柵極觸發(fā)電壓和柵極觸發(fā)電流,,特別是這兩個指示器的額定峰值電壓和額定電流。代換晶閘管工作應(yīng)與設(shè)備損壞或者晶閘管的開關(guān)發(fā)展速度…致,。例如:在脈沖控制電路,、高速逆變電路中使用的高速晶閘管進行損壞后,,只能我們選用同類型的快速改變晶閘管,而不能用一個普通晶閘管來代換,。晶閘管的作用也越來越全,。江西優(yōu)勢晶閘管模塊代理商
晶閘管模塊按控制特性可分為普通晶閘管(SCR)、門極可關(guān)斷晶閘管(GTO),、集成門極換流晶閘管(IGCT)和光控晶閘管(LTT),。GTO模塊(如三菱的CM系列)通過門極負(fù)脈沖(-20V/2000A)實現(xiàn)主動關(guān)斷,開關(guān)頻率提升至1kHz,,但關(guān)斷損耗較高(10-20mJ/A),。IGCT模塊(如英飛凌的ASIPM)將門極驅(qū)動電路集成封裝,關(guān)斷時間縮短至3μs,,適用于中壓變頻器(3.3kV/4kA),。光控晶閘管(LTT)采用光纖觸發(fā),耐壓可達8kV,,抗電磁干擾能力極強,,用于特高壓換流閥。碳化硅(SiC)晶閘管正在研發(fā)中,,理論耐壓達20kV,,開關(guān)速度比硅基產(chǎn)品快100倍,未來有望顛覆傳統(tǒng)高壓應(yīng)用,。湖北國產(chǎn)晶閘管模塊銷售晶閘管為半控型電力電子器件。
金屬封裝晶閘管又分為螺栓形,、平板形,、圓殼形等多種;塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,,大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,,快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計的晶閘管,有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,,可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中,。(備注:高頻不能等同于快速晶閘管)晶閘管的作用與工作原理:我們分析晶閘管的作用與原理的時候可以把它看作由一個PNP管和一個NPN管所組成,其等效圖解如上圖所當(dāng)陽極A加上正向電壓時,,BG1和BG2管均處于放大狀態(tài),。此時,,如果從控制極G輸入一個正向觸發(fā)信號,BG2便有基流ib2流過,,經(jīng)BG2放大,,其集電極電流ic2=β2ib2。因為BG2的集電極直接與BG1的基極相連,,所以ib1=ic2,。此時,電流ic2再經(jīng)BG1放大,,于是BG1的集電極電流ic1=β1ib1=β1β2ib2,。這個電流又流回到BG2的基極,表成正反饋,,使ib2不斷增大,,如此正向饋循環(huán)的結(jié)果,兩個管子的電流劇增,,可控硅使飽和導(dǎo)通,。由于BG1和BG2所構(gòu)成的正反饋作用。
塑封晶閘管又分為帶散熱片型和不帶散熱片型兩種,。晶閘管晶閘管按電流容量可分為大功率晶閘管,、**率晶閘管和小功率晶閘管三種。通常,,大功率晶閘管多采用陶瓷封裝,,而中、小功率晶閘管則多采用塑封或金屬封裝,。晶閘管按其關(guān)斷速度可分為普通晶閘管和快速晶閘管,,快速晶閘管包括所有專為快速應(yīng)用而設(shè)計的晶閘管,有常規(guī)的快速晶閘管和工作在更高頻率的高頻晶閘管,,可分別應(yīng)用于400HZ和10KHZ以上的斬波或逆變電路中,。(備注:高頻不能等同于快速晶閘管)工作原理/晶閘管編輯晶閘管在工作過程中,它的陽極(A)和陰極(K)與電源和負(fù)載連接,,組成晶閘管的主電路,,晶閘管的門極G和陰極K與控制晶閘管的裝置連接,組成晶閘管的控制電路,。晶閘管晶閘管為半控型電力電子器件,,它的工作條件如下:1.晶閘管承受反向陽極電壓時,不管門極承受何種電壓,,晶閘管都處于反向阻斷狀態(tài),。2.晶閘管承受正向陽極電壓時,*在門極承受正向電壓的情況下晶閘管才導(dǎo)通,。這時晶閘管處于正向?qū)顟B(tài),,這就是晶閘管的閘流特性,,即可控特性。3.晶閘管在導(dǎo)通情況下,,只要有一定的正向陽極電壓,,不論門極電壓如何,晶閘管保持導(dǎo)通,,即晶閘管導(dǎo)通后,,門極失去作用。門極只起觸發(fā)作用,。4.晶閘管在導(dǎo)通情況下,。晶閘管的工作特性可以概括為∶正向阻斷,觸發(fā)導(dǎo)通,,反向阻斷,。
從而實際強觸發(fā),加速了元件的導(dǎo)通,,提高了耐電流上升率的能力,。三、能耐較高的電壓上升率(dv/dt)晶閘管是由三個P—N結(jié)組成的,。每個結(jié)相當(dāng)于一個電容器,。結(jié)電壓急劇變化時,就有很大的位移電流流過元件,,它等效于控制極觸發(fā)電流的作用,。可能使晶閘管誤導(dǎo)通,。這就是普通晶閘管不能耐高電壓上升率的原因,。為了有效防止上述誤導(dǎo)通現(xiàn)象發(fā)生,快速晶閘管采取了短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu),。把陰極和控制極按一定幾何形狀短路。這樣一來,,即使電壓上升率較高,,晶閘管的電流放大系數(shù)仍幾乎為零,不致使晶閘管誤導(dǎo)通,。只是在電壓上升率進一步提高,,結(jié)電容位移電流進一步增大,在短路點上產(chǎn)生電壓降足夠大時,,晶閘管才能導(dǎo)通,。具有短路發(fā)射結(jié)結(jié)構(gòu)的晶閘管,用控制極電流觸發(fā)時,,控制極電流首先也是從短路點流向陰極,。只是當(dāng)控制極電流足夠大,,在短路點電阻上的電壓降足夠大,PN結(jié)正偏導(dǎo)通電流時,,才同沒有短路發(fā)射結(jié)的元件一樣,,可被觸發(fā)導(dǎo)通。因此,,快速晶閘管的抗干擾能力較好,。快速晶閘管的生產(chǎn)和應(yīng)用都進展很快,。目前,,已有了電流幾百安培、耐壓1千余伏,,關(guān)斷時間*為20微妙的大功率快速晶閘管,,同時還做出了**高工作頻率可達幾十千赫茲供高頻逆變用的元件。在使用過程中,,晶閘管對過電壓是很敏感的,。中國香港哪里有晶閘管模塊推薦貨源
當(dāng)晶閘管承受正向陽極電壓時,為使晶閘管導(dǎo)通,,必須使承受反向電壓的PN結(jié)J2失去阻擋作用,。江西優(yōu)勢晶閘管模塊代理商
使正向電流低于維持電流IH,或施以反向電壓強迫關(guān)斷,。這就需要增加換向電路,,不*使設(shè)備的體積重量增大,而且會降低效率,,產(chǎn)生波形失真和噪聲,。可關(guān)斷晶閘管克服了上述缺陷,,它既保留了普通晶閘管耐壓高,、電流大等優(yōu)點,以具有自關(guān)斷能力,,使用方便,,是理想的高壓、大電流開關(guān)器件,。GTO的容量及使用壽命均超過巨型晶體管(GTR),,只是工作頻率比GTR低。目前,,GTO已達到3000A,、4500V的容量。大功率可關(guān)斷晶閘管已***用于斬波調(diào)速,、變頻調(diào)速,、逆變電源等領(lǐng)域,,顯示出強大的生命力??申P(guān)斷晶閘管也屬于PNPN四層三端器件,,其結(jié)構(gòu)及等效電路和普通晶閘管相同,因此圖1*繪出GTO典型產(chǎn)品的外形及符號,。大功率GTO大都制成模塊形式,。盡管GTO與SCR的觸發(fā)導(dǎo)通原理相同,但二者的關(guān)斷原理及關(guān)斷方式截然不同,。這是由于普通晶閘管在導(dǎo)通之后即處于深度飽和狀態(tài),,而GTO在導(dǎo)通后只能達到臨界飽和,所以GTO門極上加負(fù)向觸發(fā)信號即可關(guān)斷,。GTO的一個重要參數(shù)就是關(guān)斷增益,,βoff,它等于陽極**大可關(guān)斷電流IATM與門極**大負(fù)向電流IGM之比,,有公式βoff=IATM/IGMβoff一般為幾倍至幾十倍,。βoff值愈大,說明門極電流對陽極電流的控制能力愈強,。很顯然,,βoff與昌盛的hFE參數(shù)頗有相似之處。江西優(yōu)勢晶閘管模塊代理商