可控硅模塊（SCR模塊）是一種四層（PNPN）半導(dǎo)體器件,，通過(guò)門(mén)極觸發(fā)實(shí)現(xiàn)可控導(dǎo)通,，廣泛應(yīng)用于交流功率控制。其**結(jié)構(gòu)包含陽(yáng)極,、陰極和門(mén)極三個(gè)電極，導(dǎo)通需滿足正向電壓和門(mén)極觸發(fā)電流（通常為5-500mA）的雙重條件,。觸發(fā)后,，內(nèi)部形成雙晶體管正反饋回路，維持導(dǎo)通直至電流低于維持閾值（1-100mA）,。例如,，英飛凌的TZ900系列模塊額定電壓達(dá)6500V/4000A，采用壓接式封裝確保低熱阻（0.6℃/kW）,。模塊通常集成多個(gè)可控硅芯片,，通過(guò)并聯(lián)提升載流能力，同時(shí)配備RC緩沖電路抑制dv/dt（<1000V/μs）和電壓尖峰,。在高壓直流輸電（HVDC）中,，模塊串聯(lián)構(gòu)成換流閥,，觸發(fā)精度需控制在±1μs以內(nèi)以保障系統(tǒng)同步?？煽毓璧膬?yōu)點(diǎn)很多,，例如：以小功率控制大功率，功率放大倍數(shù)高達(dá)幾十萬(wàn)倍,。遼寧國(guó)產(chǎn)可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

可控硅模塊按控制能力可分為普通SCR,、雙向可控硅（TRIAC）、門(mén)極可關(guān)斷晶閘管（GTO）及集成門(mén)極換流晶閘管（IGCT）,。TRIAC模塊（如ST的BTA系列）支持雙向?qū)?，適用于交流調(diào)壓電路（如調(diào)光器），但觸發(fā)靈敏度較低（需50mA門(mén)極電流）,。GTO模塊（三菱的CM系列）通過(guò)門(mén)極負(fù)脈沖（-20V/2000A）主動(dòng)關(guān)斷,，開(kāi)關(guān)頻率提升至500Hz，但關(guān)斷損耗較高（10-20mJ/A）,。IGCT模塊（ABB的5SGY系列）將門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路集成封裝,，關(guān)斷時(shí)間縮短至3μs，適用于中壓變頻器（3.3kV/4kA）,。碳化硅（SiC）可控硅正在研發(fā)中,，理論耐壓達(dá)20kV，開(kāi)關(guān)速度比硅基快100倍,，未來(lái)將顛覆傳統(tǒng)高壓應(yīng)用場(chǎng)景,。新疆國(guó)產(chǎn)可控硅模塊大概價(jià)格多少額定通態(tài)電流（IT）即比較大穩(wěn)定工作電流，俗稱電流,。常用可控硅的IT一般為一安到幾十安,。

雙向可控硅型號(hào),雙向可控硅是怎樣命名的雙向可控硅是怎樣命名的?雙向可控硅為什么稱為“TRIAC”?三端：TRIode(取個(gè)字母)交流半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)：ACsemiconductorswitch(取前兩個(gè)字母)以上兩組名詞組合成“TRIAC”中文譯意“三端雙向可控硅開(kāi)關(guān)”。由此可見(jiàn)“TRIAC”是雙向可控硅的統(tǒng)稱,。-------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)控制：Controlled(取個(gè)字母)整流器：Rectifier(取個(gè)字母)再由這三組英文名詞的早字母組合而成:“BCR”中文譯意:雙向可控硅,。以“BCR”來(lái)命名雙向可控硅的典型廠家如日本三菱，如:BCR1AM-12,、BCR8KM,、BCR08AM等等。--------------------------------------雙向：Bi-directional(取個(gè)字母)三端：Triode(取個(gè)字母)由以上兩組單詞組合成“BT”,，也是對(duì)雙向可控硅產(chǎn)品的型號(hào)命名,典型的生產(chǎn)商如：意法ST公司,、荷蘭飛利浦-Philips公司，均以此來(lái)命名雙向可控硅.型號(hào)如：PHILIPS的BT131-600D,、BT134-600E,、BT136-600E、BT138-600E、BT139-600E,、,、等等。這些都是四象限/非絕緣型/雙向可控硅,；Philips公司的產(chǎn)品型號(hào)前綴為“BTA”字頭的,，通常是指三象限的雙向可控硅。而意法ST公司,，則以“BT”字母為前綴來(lái)命名元件的型號(hào),。

E接成正向，而觸動(dòng)發(fā)信號(hào)是負(fù)的,，可控硅也不能導(dǎo)通。另外,，如果不加觸發(fā)信號(hào),，而正向陽(yáng)極電壓大到超過(guò)一定值時(shí)，可控硅也會(huì)導(dǎo)通,，但已屬于非正常工作情況了,。可控硅這種通過(guò)觸發(fā)信號(hào)(小觸發(fā)電流)來(lái)控制導(dǎo)通(可控硅中通過(guò)大電流)的可控特性,，正是它區(qū)別于普通硅整流二極管的重要特征,。由于可控硅只有導(dǎo)通和關(guān)斷兩種工作狀態(tài)，所以它具有開(kāi)關(guān)特性,，這種特性需要一定的條件才能轉(zhuǎn)化,，此條件見(jiàn)表1表1可控硅導(dǎo)通和關(guān)斷條件狀態(tài)條件說(shuō)明從關(guān)斷到導(dǎo)通1、陽(yáng)極電位高于是陰極電位2,、控制極有足夠的正向電壓和電流兩者缺一不可維持導(dǎo)通1,、陽(yáng)極電位高于陰極電位2、陽(yáng)極電流大于維持電流兩者缺一不可從導(dǎo)通到關(guān)斷1,、陽(yáng)極電位低于陰極電位2,、陽(yáng)極電流小于維持電流任一條件即可應(yīng)用舉例：可控硅在實(shí)際應(yīng)用中電路花樣多的是其柵極觸發(fā)回路，概括起來(lái)有直流觸發(fā)電路,，交流觸發(fā)電路,，相位觸發(fā)電路等等。1,、直流觸發(fā)電路：如圖2是一個(gè)電視機(jī)常用的過(guò)壓保護(hù)電路,，當(dāng)E+電壓過(guò)高時(shí)A點(diǎn)電壓也變高，當(dāng)它高于穩(wěn)壓管DZ的穩(wěn)壓值時(shí)DZ道通,，可控硅D受觸發(fā)而道通將E+短路,，使保險(xiǎn)絲RJ熔斷，從而起到過(guò)壓保護(hù)的作用,。小功率塑封雙向可控硅通常用作聲光控?zé)艄庀到y(tǒng),。額定電流：IA小于2A,。

在柔**流輸電（FACTS）系統(tǒng)中，可控硅模塊構(gòu)成靜止同步補(bǔ)償器（STATCOM）和統(tǒng)一潮流控制器（UPFC）的**,。國(guó)家電網(wǎng)的蘇州UPFC工程采用5000V/3000A可控硅模塊,，實(shí)現(xiàn)500kV線路的潮流量精確調(diào)節(jié)（精度±1MW）。智能電網(wǎng)中,，模塊需支持毫秒級(jí)響應(yīng),，通過(guò)分布式門(mén)極驅(qū)動(dòng)單元（DGD）實(shí)現(xiàn)多模塊同步觸發(fā)（誤差<0.5μs）。碳化硅可控硅的應(yīng)用可降低系統(tǒng)損耗30%,，并支持更高開(kāi)關(guān)頻率（10kHz）,，未來(lái)將推動(dòng)電網(wǎng)動(dòng)態(tài)穩(wěn)定性提升。直流機(jī)車(chē)牽引變流器采用可控硅模塊進(jìn)行相控整流,，例如中國(guó)和諧型電力機(jī)車(chē)使用3.3kV/1.5kA模塊,，將25kV接觸網(wǎng)電壓降壓至1500V直流。再生制動(dòng)時(shí),，可控硅逆變器將動(dòng)能轉(zhuǎn)換為電能回饋電網(wǎng),，效率超92%。高速動(dòng)車(chē)組采用IGCT模塊（如龐巴迪的MITRAC系統(tǒng)）,，開(kāi)關(guān)頻率1kHz,，牽引電機(jī)諧波損耗減少40%。模塊需通過(guò)EN 50155鐵路標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證,，耐受50g機(jī)械沖擊和-40℃低溫啟動(dòng),，MTBF（平均無(wú)故障時(shí)間）超過(guò)10萬(wàn)小時(shí)。過(guò)零觸發(fā)-一般是調(diào)功,，即當(dāng)正弦交流電交流電電壓相位過(guò)零點(diǎn)觸發(fā),，必須是過(guò)零點(diǎn)才觸發(fā)，導(dǎo)通可控硅,。新疆國(guó)產(chǎn)可控硅模塊大概價(jià)格多少

在應(yīng)用可控硅時(shí),，只要在控制極加上很小的電流或電壓，就能控制很大的陽(yáng)極電流或電壓,。遼寧國(guó)產(chǎn)可控硅模塊廠家現(xiàn)貨

在鋼鐵廠電弧爐（200噸級(jí)）中,，可控硅模塊調(diào)節(jié)電極電流（50-200kA），通過(guò)相位控制實(shí)現(xiàn)功率連續(xù)調(diào)節(jié),。西門(mén)子的SIMETAL系統(tǒng)采用水冷GTO模塊（6kV/6kA）,，響應(yīng)時(shí)間<10ms，能耗降低20%,。電解鋁生產(chǎn)中,，可控硅模塊控制直流電流（比較高500kA），電壓降需<1V以節(jié)省電耗。模塊需應(yīng)對(duì)強(qiáng)磁場(chǎng)干擾,，采用磁屏蔽外殼（高導(dǎo)磁合金）和光纖觸發(fā)技術(shù),，電流控制精度達(dá)±0.3%。此外,，動(dòng)態(tài)無(wú)功補(bǔ)償裝置（SVC）依賴可控硅快速投切電抗器（TCR）,，響應(yīng)時(shí)間<20ms，功率因數(shù)校正至0.98,。遼寧國(guó)產(chǎn)可控硅模塊廠家現(xiàn)貨