光伏逆變器中的應(yīng)用
在昱能250W光伏并網(wǎng)微逆變器中,采用兩顆英飛凌BSC190N15NS3 - G,NMOS,,耐壓150V,,導(dǎo)阻19mΩ,采用PG - TDSON - 8封裝,;還有兩顆來自意法半導(dǎo)體的STB18NM80,,NMOS,耐壓800V,,導(dǎo)阻250mΩ,,采用D^2PAK封裝 ,以及一顆意法半導(dǎo)體的STD10NM65N,,耐壓650V的NMOS,,導(dǎo)阻430mΩ,采用DPAK封裝,。這些MOS管協(xié)同工作,,實(shí)現(xiàn)高效逆變輸出,滿足戶外光伏應(yīng)用需求,。
ENPHASE ENERGY 215W光伏并網(wǎng)微型逆變器內(nèi)置四個升壓MOS管來自英飛凌,,型號BSC190N15NS3 - G,耐壓150V,,導(dǎo)阻19mΩ,,使用兩顆并聯(lián),四顆對應(yīng)兩個變壓器,;另外兩顆MOS管來自意法半導(dǎo)體,,型號STB18NM80,NMOS,,耐壓800V,,導(dǎo)阻250mΩ,采用D^2PAK封裝,,保障了逆變器在自然對流散熱,、IP67防護(hù)等級下穩(wěn)定運(yùn)行。 MOS 管可構(gòu)成恒流源電路,,為其他電路提供穩(wěn)定的電流嗎,?新能源MOS案例
可變電阻區(qū):當(dāng)柵極電壓VGS大于閾值電壓VTH時,在柵極電場的作用下,,P型襯底表面的空穴被排斥,,而電子被吸引到表面,形成了一層與P型襯底導(dǎo)電類型相反的N型反型層,,稱為導(dǎo)電溝道,。此時若漏源電壓VDS較小,,溝道尚未夾斷,隨著VDS的增加,,漏極電流ID幾乎與VDS成正比增加,,MOS管相當(dāng)于一個受柵極電壓控制的可變電阻,其電阻值隨著VGS的增大而減小,。飽和區(qū):隨著VDS的繼續(xù)增加,,當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS-VDS等于閾值電壓VTH時,漏極附近的反型層開始消失,,稱為預(yù)夾斷,。此后再增加VDS,漏極電流ID幾乎不再隨VDS的增加而增大,,而是趨于一個飽和值,,此時MOS管工作在飽和區(qū),主要用于放大信號等應(yīng)用,。PMOS工作原理與NMOS類似,,但電壓極性和電流方向相反截止區(qū):當(dāng)柵極電壓VGS大于閾值電壓VTH(PMOS的閾值電壓為負(fù)值)時,PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài),,源極和漏極之間沒有導(dǎo)電溝道,,沒有電流通過??勺冸娮鑵^(qū):當(dāng)柵極電壓VGS小于閾值電壓VTH時,,在柵極電場作用下,N型襯底表面形成P型反型層,,即導(dǎo)電溝道,。若此時漏源電壓VDS較小且為負(fù),溝道尚未夾斷,,隨著|VDS|的增加,,漏極電流ID(電流方向與NMOS相反)幾乎與|VDS|成正比增加,相當(dāng)于一個受柵極電壓控制的可變電阻,,其電阻值隨著|VGS|的增大而減小通用MOS服務(wù)價格電腦的顯卡中也會使用大量的 MOS 管嗎,?
消費(fèi)電子領(lǐng)域
在智能手機(jī)和平板電腦的電源管理模塊(PMU)中,實(shí)現(xiàn)電壓調(diào)節(jié),、快速充電和待機(jī)功耗優(yōu)化,,讓移動設(shè)備續(xù)航更持久、充電更快速,,滿足用戶對便捷移動生活的需求,。
在LED照明系統(tǒng)中,用于驅(qū)動和調(diào)光電路,,保證燈光的穩(wěn)定性和效率,,營造出舒適的照明環(huán)境,。
在家用電器如空調(diào)、洗衣機(jī)和電視中,,用于電機(jī)控制和開關(guān)電源部分,提升設(shè)備效率和穩(wěn)定性,,為家庭生活帶來更多便利和舒適,。
在呼吸機(jī)和除顫儀等關(guān)鍵生命支持設(shè)備中,提供高可靠性的開關(guān)和電源控制能力,,關(guān)鍵時刻守護(hù)患者生命安全,。
MOS管(金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)分為n溝道MOS管(NMOS)和p溝道MOS管(PMOS),其工作原理主要基于半導(dǎo)體的導(dǎo)電特性以及電場對載流子的控制作用,,以下從結(jié)構(gòu)和工作機(jī)制方面進(jìn)行介紹:結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)NMOS:以一塊摻雜濃度較低的P型硅半導(dǎo)體薄片作為襯底,,在P型硅表面的兩側(cè)分別擴(kuò)散兩個高摻雜濃度的N+區(qū),這兩個N+區(qū)分別稱為源極(S)和漏極(D),,在源極和漏極之間的P型硅表面覆蓋一層二氧化硅(SiO?)絕緣層,,在絕緣層上再淀積一層金屬鋁作為柵極(G)。這樣就形成了一個金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu),,在源極和襯底之間以及漏極和襯底之間都形成了PN結(jié),。PMOS:與NMOS結(jié)構(gòu)相反,PMOS的襯底是N型硅,,源極和漏極是P+區(qū),,柵極同樣是通過絕緣層與襯底隔開。工作機(jī)制以NMOS為例截止區(qū):當(dāng)柵極電壓VGS小于閾值電壓VTH時,,在柵極下方的P型襯底表面形成的是耗盡層,,沒有反型層出現(xiàn),源極和漏極之間沒有導(dǎo)電溝道,,此時即使在漏極和源極之間加上電壓VDS,,也只有非常小的反向飽和電流(漏電流)通過,MOS管處于截止?fàn)顟B(tài),,相當(dāng)于開關(guān)斷開,。MOS 管用于電源的變換電路中嗎?
MOS管的優(yōu)勢:
MOS管的柵極和源極之間是絕緣的,,柵極電流幾乎為零,,使得輸入阻抗非常高。這一特性讓它在需要高輸入阻抗的電路中表現(xiàn)出色,,例如多級放大器的輸入級,,能夠有效減輕信號源負(fù)載,輕松與前級匹配,,保障信號的穩(wěn)定傳輸,。
可以將其類比為一個“超級海綿”,,對信號源的電流幾乎“零吸收”,卻能高效接收信號,,**提升了電路的性能,。
由于柵極電流極小,MOS管產(chǎn)生的噪聲也很低,,是低噪聲放大器的理想選擇,。在對噪聲要求嚴(yán)苛的音頻放大器等電路中,MOS管能確保信號純凈,,讓聲音更加清晰,、悅耳,為用戶帶來***的聽覺享受,。 MOS管可用于 LED 驅(qū)動電源嗎,?機(jī)電MOS產(chǎn)品介紹
P 溝道 MOS 管的工作原理與 N 溝道 MOS 管類似嗎?新能源MOS案例
新能源汽車:三電系統(tǒng)的“動力樞紐”電機(jī)驅(qū)動(**戰(zhàn)場):場景:主驅(qū)電機(jī)(75kW-300kW),、油泵/空調(diào)輔驅(qū),。技術(shù):車規(guī)級SiCMOS(1200V/800A),結(jié)溫175℃,,開關(guān)損耗比硅基MOS低70%,,支持800V高壓平臺(如比亞迪海豹)。
數(shù)據(jù):某車型采用SiCMOS后,,電機(jī)控制器體積縮小40%,,續(xù)航提升5%。電池管理(BMS):場景:12V啟動電池保護(hù),、400V動力電池均衡,。方案:集成式智能MOS(內(nèi)置過流/過熱保護(hù)),響應(yīng)時間<10μs,,防止電池短路起火(如特斯拉BMS的冗余設(shè)計),。 新能源MOS案例