杭州士蘭微電子（SILAN）作為國(guó)內(nèi)**的半導(dǎo)體企業(yè)，在 MOS 管領(lǐng)域擁有豐富的產(chǎn)品線和技術(shù)積累

技術(shù)優(yōu)勢(shì)：高集成,、低功耗、國(guó)產(chǎn)替代集成化設(shè)計(jì)：如SD6853/6854內(nèi)置高壓MOS管,，省去光耦和Y電容,，簡(jiǎn)化電源方案（2011年推出，后續(xù)升級(jí)至滿足能源之星標(biāo)準(zhǔn)）,。工藝迭代：0.8μmBiCMOS/BCD工藝（早期）,、8英寸SiC產(chǎn)線（在建），提升產(chǎn)能與性能,，F(xiàn)-Cell系列芯片面積縮小20%,，成本降低?？煽啃裕簴旁磽舸╇妷簝?yōu)化,，ESD能力＞±15kV（SD6853/6854），滿足家電,、工業(yè)長(zhǎng)期穩(wěn)定需求,。國(guó)產(chǎn)替代：2022年**MOS管（如超結(jié)、車規(guī)級(jí)）訂單飽滿,，供不應(yīng)求,，覆蓋消費(fèi)電子（手機(jī)充電器）、白電（壓縮機(jī)）,、新能源（充電樁）等領(lǐng)域,。 MOS管可應(yīng)用于邏輯門電路、開關(guān)電源,、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域嗎,？常見MOS銷售廠家

可變電阻區(qū)：當(dāng)柵極電壓VGS大于閾值電壓VTH時(shí)，在柵極電場(chǎng)的作用下,，P型襯底表面的空穴被排斥,，而電子被吸引到表面，形成了一層與P型襯底導(dǎo)電類型相反的N型反型層,，稱為導(dǎo)電溝道,。此時(shí)若漏源電壓VDS較小,，溝道尚未夾斷，隨著VDS的增加,，漏極電流ID幾乎與VDS成正比增加,，MOS管相當(dāng)于一個(gè)受柵極電壓控制的可變電阻，其電阻值隨著VGS的增大而減小,。飽和區(qū)：隨著VDS的繼續(xù)增加,，當(dāng)VDS增加到使VGD=VGS-VDS等于閾值電壓VTH時(shí)，漏極附近的反型層開始消失,，稱為預(yù)夾斷,。此后再增加VDS，漏極電流ID幾乎不再隨VDS的增加而增大,，而是趨于一個(gè)飽和值,，此時(shí)MOS管工作在飽和區(qū)，主要用于放大信號(hào)等應(yīng)用,。PMOS工作原理與NMOS類似,，但電壓極性和電流方向相反截止區(qū)：當(dāng)柵極電壓VGS大于閾值電壓VTH（PMOS的閾值電壓為負(fù)值）時(shí)，PMOS管處于截止?fàn)顟B(tài),，源極和漏極之間沒有導(dǎo)電溝道,，沒有電流通過?？勺冸娮鑵^(qū)：當(dāng)柵極電壓VGS小于閾值電壓VTH時(shí),，在柵極電場(chǎng)作用下，N型襯底表面形成P型反型層,，即導(dǎo)電溝道。若此時(shí)漏源電壓VDS較小且為負(fù),，溝道尚未夾斷,，隨著|VDS|的增加，漏極電流ID（電流方向與NMOS相反）幾乎與|VDS|成正比增加,，相當(dāng)于一個(gè)受柵極電壓控制的可變電阻,，其電阻值隨著|VGS|的增大而減小本地MOS價(jià)格走勢(shì)電腦的顯卡中也會(huì)使用大量的 MOS 管嗎？

快充充電器中的應(yīng)用

威兆VSP009N10MS是一款耐壓為110V的增強(qiáng)型NMOS,，采用PDFN5×6封裝,，使用5V邏輯電平控制，導(dǎo)阻為6.5mΩ,，100%通過雪崩測(cè)試,，采用無鉛無鹵素工藝制造，符合RoHS規(guī)范,，可應(yīng)用于同步整流的MOS管,，助力充電器向更高效方向發(fā)展,。

威兆VS3506AE是一款5V邏輯電平控制的增強(qiáng)型PMOS，耐壓30V,，采用PDFN3333封裝,，開關(guān)速度快，導(dǎo)阻低至6mΩ,，常用于輸出VBUS開關(guān)管,，被廣泛應(yīng)用于如RAVPower 45W GaNFast PD充電器RP - PC104等眾多快充充電器中。

?LED驅(qū)動(dòng)：在LED照明電路中,，常利用MOS管來實(shí)現(xiàn)恒流驅(qū)動(dòng),。由于LED的亮度與通過它的電流密切相關(guān)，為了保證LED的亮度穩(wěn)定且延長(zhǎng)其使用壽命,，需要提供恒定的電流,。MOS管可以根據(jù)反饋信號(hào)自動(dòng)調(diào)整其導(dǎo)通程度，從而精確地控制通過LED的電流,，使其保持在設(shè)定的恒定值,，廣泛應(yīng)用于路燈、汽車大燈,、室內(nèi)照明等各種LED照明設(shè)備中,。?集成電路偏置：在集成電路中，為了保證各個(gè)晶體管能夠正常工作在合適的工作點(diǎn),，需要提供穩(wěn)定的偏置電流,。MOS管組成的恒流源電路可以為集成電路中的晶體管提供精確的偏置電流，確保電路的性能穩(wěn)定和可靠,，例如在運(yùn)算放大器,、射頻放大器等各種集成電路中都離不開恒流源電路來提供偏置。其他應(yīng)用?數(shù)字邏輯電路：在數(shù)字電路中,，MOS管是構(gòu)成邏輯門電路的基本元件之一,。例如CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）邏輯門電路，由PMOS管和NMOS管組成,，通過控制MOS管的導(dǎo)通和截止來實(shí)現(xiàn)邏輯“0”和“1”的輸出,，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)各種數(shù)字邏輯功能，如與門,、或門,、非門等，是現(xiàn)代數(shù)字集成電路的基礎(chǔ),。?功率因數(shù)校正：在開關(guān)電源等電力電子設(shè)備中,，為了提高電源的功率因數(shù)，降低對(duì)電網(wǎng)的諧波污染,，常采用MOS管進(jìn)行功率因數(shù)校正,。手機(jī)充電器大多采用了開關(guān)電源技術(shù),，MOS 管作為開關(guān)元件嗎？

應(yīng)用場(chǎng)景與案例

1.消費(fèi)電子——快充與電池管理手機(jī)/筆記本快充：低壓NMOS（如AOSAON6220,，100V/5.1mΩ）用于同步整流,，支持65W氮化鎵快充（綠聯(lián)、品勝等品牌采用）,。鋰電池保護(hù)：雙PMOS（如AOSAO4805,，-30V/15mΩ）防止過充，應(yīng)用于小米25000mAh充電寶,。

2.新能源——電動(dòng)化與儲(chǔ)能充電樁/逆變器：高壓超結(jié)MOS（士蘭微SVF12N65F,，650V/12A）降低開關(guān)損耗，支持120kW快充模塊,。儲(chǔ)能逆變器：SiCMOS（英飛凌CoolSiC?,，1200V）效率提升5%，用于華為儲(chǔ)能系統(tǒng),。

3.工業(yè)與汽車——高可靠驅(qū)動(dòng)電機(jī)控制：車規(guī)級(jí)MOS（英飛凌OptiMOS?,，800V）用于電動(dòng)汽車電機(jī)控制器，耐受10萬次循環(huán)測(cè)試,。工業(yè)電源：高壓耗盡型MOS（AOSAONS66540,，150V）用于變頻器，支持24小時(shí)連續(xù)工作,。

4.新興領(lǐng)域——智能化與高功率5G基站：低噪聲MOS（P溝道-150V）優(yōu)化信號(hào)放大,，應(yīng)用于中興通訊射頻模塊。智能機(jī)器人：屏蔽柵MOS（士蘭微SVG030R7NL5,，30V/162A）驅(qū)動(dòng)大電流舵機(jī),，響應(yīng)速度＜10μs。 MOS 管持續(xù)工作時(shí)能承受的最大電流值是多少,？制造MOS廠家現(xiàn)貨

在工業(yè)電源中,，MOS 管作為開關(guān)管，用于實(shí)現(xiàn) DC-DC（直流 - 直流）轉(zhuǎn)換,、AC-DC（交流 - 直流）轉(zhuǎn)換等功能嗎？常見MOS銷售廠家

MOS管（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種重要的電子元器件,，在電子電路中具有***的用處,，主要包括以下幾個(gè)方面：放大電路?音頻放大器：在音頻設(shè)備中，如收音機(jī),、功放等,，MOS管常被用作放大器。它可以將微弱的音頻電信號(hào)進(jìn)行放大,，使音頻信號(hào)能夠驅(qū)動(dòng)揚(yáng)聲器發(fā)出足夠音量的聲音,，且MOS管具有較低的噪聲和較高的線性度,，能夠保證音頻信號(hào)的質(zhì)量。?射頻放大器：在無線通信設(shè)備的射頻前端,，MOS管用于放大射頻信號(hào),。例如在手機(jī)的射頻電路中，MOS管組成的放大器將天線接收到的微弱射頻信號(hào)放大到合適的幅度,，以便后續(xù)電路進(jìn)行處理,，其高頻率特性和低噪聲性能對(duì)于實(shí)現(xiàn)良好的無線通信至關(guān)重要。開關(guān)電路?電源開關(guān)：在各種電子設(shè)備的電源電路中,，MOS管常作為電源開關(guān)使用,。例如在筆記本電腦的電源管理電路中，通過控制MOS管的導(dǎo)通和截止,，來實(shí)現(xiàn)對(duì)不同電源軌的通斷控制,，從而實(shí)現(xiàn)系統(tǒng)的開機(jī)、關(guān)機(jī)以及電源切換等功能,。常見MOS銷售廠家