,、環(huán)保碳?xì)淝逑磩h(huán)保半水基清洗劑,、電子零部件類精密清洗劑,、多功能清洗劑、精密零部件清洗劑,、化學(xué)清洗劑,、超聲波清洗劑、金屬清洗劑,、光學(xué)玻璃清洗劑,、不銹鋼清洗劑、水性精密清洗劑,、厚膜電阻清洗劑,、片狀電阻清洗劑、模具清洗劑,、油墨清洗劑,、碳?xì)淝逑磩⑴菽逑磩?、空調(diào)清洗劑、低泡堿性金屬清洗劑,、有色金屬清洗劑,、防銹型清洗劑、精密電子儀器清潔劑,、帶電清洗劑,、精密水系統(tǒng)清洗劑、高級(jí)精密電子儀器清潔劑,、機(jī)電配電設(shè)備清潔劑,、洗板水、SMT電子清洗劑,、PCB電路板清洗劑,、光學(xué)制品清洗劑、液晶顯示器清洗劑,、無鉛助焊劑清洗劑,、無鉛清洗劑、無鉛錫膏清洗劑,、玻璃樹脂類清洗劑,、太陽能硅片清洗劑、電子材料用清洗劑、有機(jī)溶劑類清洗劑,、無鹵素電子清洗劑,、焊接設(shè)備清洗劑、水溶性電子清洗劑,、光學(xué)部件清洗劑,、航天航空設(shè)備器件清洗劑、塑料件清洗劑,、精密清洗劑應(yīng)用于印刷線路板清洗,、金屬及其零部件清洗、電子器件清洗劑,、液晶顯示器清洗,、電器清潔劑、電子線路清洗劑,,繼電器清洗劑,、傳感器清洗劑、精密儀器清洗劑,、環(huán)保除蠟水,、LED除蠟水、金屬除蠟劑,、電子除蠟水,。如需更詳細(xì)的產(chǎn)品技術(shù)資料。減薄清洗劑,,讓您的產(chǎn)品更加完美,,滿足高精度要求。廣州哪家減薄用清洗劑配方技術(shù)
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域,,更具體地說,,涉及一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法。背景技術(shù):采用iii-v族化合物制作的半導(dǎo)體器件和超高速數(shù)字/數(shù)?;旌想娐返葢{借其優(yōu)良的頻率特性,,已經(jīng)成為通訊、雷達(dá),、制導(dǎo),、空間防御、高速智能化武器及電子對(duì)抗等現(xiàn)代化裝備的部件之一,。在眾多的iii-v族化合物中,,inp(磷化銦)化合物具有獨(dú)特的優(yōu)勢,這主要得益于其優(yōu)良的材料特性,,例如,,inp和ingaas(銦鎵砷)之間的晶格失配很小,,以及電子飽和速率很高等,所以不論是hemt(highelectronmobilitytransistor,,高電子遷移率晶體管)結(jié)構(gòu)還是hbt(heterojunctionbipolartransistor,,異質(zhì)結(jié)雙極晶體管)結(jié)構(gòu),都具有非常優(yōu)異的高頻,、大功率性能,。但是,inp材料的物理性能卻很差,,非常易碎,,很小的碰撞或振動(dòng)都會(huì)導(dǎo)致晶圓碎裂而前功盡棄,因此,,inp材料的制造加工面臨著很多工藝上的難題,。尤其是在超高頻率、大功率的inp基rfic(射頻集成電路)的制造工藝中,,如何在對(duì)inp基晶圓進(jìn)行減薄拋光時(shí),,減小或避免inp基晶圓的損傷是本領(lǐng)域技術(shù)人員亟待解決的問題之一。技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:有鑒于此,,本發(fā)明提供了一種拋光減薄裝置和拋光減薄方法,,以減小或避免inp基晶圓的減薄拋光損傷。為實(shí)現(xiàn)上述目的,。無錫哪里減薄用清洗劑生產(chǎn)輕松去除過厚涂層,,減薄用清洗劑是您理想的選擇。
來對(duì)所述待加工表面進(jìn)行減薄,??蛇x地,還包括:在所述磁轉(zhuǎn)子運(yùn)行一段時(shí)間后,,更換所述磁轉(zhuǎn)子??蛇x地,,將待加工部件固定在托盤上包括:采用光刻膠將所述待加工部件固定在所述托盤上??蛇x地,,對(duì)所述待加工部件的待加工表面進(jìn)行拋光和減薄之后,還包括:對(duì)所述待加工部件進(jìn)行清洗,;采用特定溶液對(duì)所述光刻膠進(jìn)行腐蝕,,以將所述待加工部件與所述托盤分離。與現(xiàn)有技術(shù)相比,,本發(fā)明所提供的技術(shù)方案具有以下優(yōu)點(diǎn):本發(fā)明所提供的拋光減薄裝置和拋光減薄方法,,采用托盤固定待加工部件,,采用噴頭向待加工部件的待加工表面噴涂拋光液,來對(duì)所述待加工表面進(jìn)行拋光,,采用磁轉(zhuǎn)子旋轉(zhuǎn)對(duì)待加工表面進(jìn)行機(jī)械研磨,,來對(duì)所述待加工表面進(jìn)行減薄,由于減薄過程中待加工部件如inp基晶圓本身不旋轉(zhuǎn),,因此,,可以降低拋光減薄過程中對(duì)待加工部件如inp基晶圓的擠壓應(yīng)力,降低待加工部件如inp基晶圓的機(jī)械加工損傷,。附圖說明為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案,,下面將對(duì)實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,,下面描述中的附圖是本發(fā)明的實(shí)施例,,對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講,在不付出創(chuàng)造性勞動(dòng)的前提下,,還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖,。
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所述控制器控制所述玻璃加工治具4在所述蝕刻區(qū)3內(nèi)作往復(fù)移動(dòng),,所述主厚度測量儀32測量玻璃厚度并且將關(guān)于測得厚度的信息實(shí)時(shí)發(fā)送到所述控制器;當(dāng)測得玻璃厚度達(dá)到預(yù)設(shè)目標(biāo)厚度時(shí),,所述控制器停止在所述蝕刻區(qū)3中噴射噴淋液的減薄處理,,并且控制所述玻璃加工治具4向所述沖洗區(qū)2移動(dòng)。一般的,,在所述腔室31內(nèi),,減薄處理的具體工藝參數(shù)為:所述玻璃加工治具4的往復(fù)運(yùn)動(dòng)中單程單向時(shí)間設(shè)置為~4s,來回往復(fù)一次時(shí)間設(shè)置為3s~8s,,往復(fù)移動(dòng)幅度設(shè)置約為180mm左右,;所述噴淋系統(tǒng)控制的噴淋液流量設(shè)置為1500lpm~2400lpm,在所述腔室31內(nèi)的酸蝕溫度一般設(shè)置為20℃~40℃,;在上述參數(shù)下,,玻璃的酸蝕速率一般在μm/min~μm/min,,可有效實(shí)現(xiàn)對(duì)玻璃的整體減薄處理。s2,,完成減薄處理的所述玻璃加工治具4在所述沖洗區(qū)2內(nèi)經(jīng)減薄后初清洗后待機(jī),,所述控制器進(jìn)行次減薄厚度確認(rèn)操作;具體的,,通過設(shè)置于所述沖洗區(qū)2內(nèi)的所述輔助厚度測量儀,,進(jìn)行檢測厚度比較,從而實(shí)現(xiàn)所述減薄厚度確認(rèn)操作,,當(dāng)所述減薄厚度未達(dá)到目標(biāo)厚度時(shí),,所述控制器可控制所述玻璃加工治具4再次回撤至所述腔室31內(nèi)進(jìn)行再次減薄處理。s3,,所述玻璃加工治具4移動(dòng)至所述第三沖洗區(qū)2進(jìn)行減薄后終清洗,。質(zhì)量比較好的減薄用清洗劑的公司。安徽國產(chǎn)減薄用清洗劑推薦廠家
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所述控制器用于控制減薄處理過程,,具體的,,在所述玻璃加工治具4從所述沖洗區(qū)2移動(dòng)至所述腔室31內(nèi)合適位置時(shí)打開所述噴淋組件33進(jìn)行減薄處理操作,并在由所述主厚度測量儀32測得的玻璃厚度達(dá)到目標(biāo)厚度時(shí)關(guān)閉所述噴淋組件33停止對(duì)玻璃進(jìn)行的減薄處理,,以及在減薄完成后控制所述玻璃加工治具4再次向所述沖洗區(qū)2移動(dòng),。所述控制器在噴淋減薄過程中控制所述玻璃加工治具4在所述腔室31內(nèi)的往復(fù)移動(dòng)。一般的,,所述噴淋組件33包括設(shè)置于所述腔室31頂部的噴淋頭,、設(shè)置于所述腔室31底部的收集槽、以及與所述噴淋頭,、所述收集槽均連通的外部噴淋液管路,,通過所述噴淋頭對(duì)所述玻璃加工治具4上的玻璃噴淋噴淋液從而實(shí)現(xiàn)玻璃的減薄處理,所述收集槽收集減薄處理后的噴淋液并傳輸至所述噴淋液管路從所述腔室31內(nèi)排出,。在經(jīng)歷過減薄處理的玻璃從所述轉(zhuǎn)換區(qū)1被卸載之后,,將容納玻璃的下一個(gè)玻璃加工治具4通過所述轉(zhuǎn)換區(qū)1加載到所述腔室31中并且如上所述經(jīng)歷減薄處理。通過以上操作,,玻璃順序地經(jīng)歷減薄處理。值得指出的是,,通過所述主厚度測量儀32測量在所述蝕刻區(qū)3中經(jīng)歷過減薄處理的所述玻璃厚度達(dá)到指定尺寸后再通過所述傳輸組件將玻璃卸載到所述腔室31外部,。具體地。廣州哪家減薄用清洗劑配方技術(shù)