sedispondrándispositivosdecorteporintensidaddedefecto,medianteinterruptoresdiferenciales,consensibilidadmáóncontraelectricidadestática,deberárealizarseunauniónequipotencialdemasas,ánestarconectadasaestared,tanquesdealmacenamiento,tuberías,estructurasmetálicas,aparatossurtidores,asícomolosconductoresdeproteccióndelosaparatoseléé)Cuadrogeneraleléctrico:ElgradodeprotecciónmínimoserádeIP237,segú)únelReglamentoElectrotécnicodeBajaTensióneICcorrespondientes,laaparamentaaincluirenelcuadroconstará:1.oInterruptorautomá.oInterruptoresautomáticos(PIA)paraproteccióndelí.oInterruptoresdiferencialesparalaproteccióóánunsistemadepuestaatierradelascisternasdeloscamiones,paradescargarlaelectricidadestáácompuestocomosigue:Uncableconectadoporunextremoalareddepuestaatierra,elotroextremoprovistodeunapinzaseconectaráaunterminalsituadoenelvehículoeníáextraflexibleconaislamiento。BOE蝕刻液請認準蘇州博洋化學,。專業(yè)BOE蝕刻液銷售價格

    所述的磷酸濃度為82-87％,。進一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液,，醇醚類的含量為％,。進一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液,，表面活性劑的含量為％,。進一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液,，所述的醇醚類為選自二乙二醇單甲醚,、丙二醇丁醚、二丙二醇甲醚,、二乙二醇丁醚,、三乙二醇乙醚、三丙二醇單甲醚,、三甘醇單丁醚等中的至少一種,；表面活性劑為選自脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p、壬基酚聚氧乙烯醚np-10,、聚乙二醇硬脂酸酯egms,、烷基酚聚氧乙烯醚硫酸鈉,、月桂酰氨乙基硫酸鈉、醇醚羧酸鹽等中的至少一種,。進一步地,，在使用本發(fā)明的蝕刻液進行氮化硅層蝕刻時，蝕刻溫度為152-165℃,，蝕刻時間為5-60min,。通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑，改善了磷酸的浸潤性和表面張力,，明顯提高了蝕刻液對氮化硅層的潤濕和蝕刻均勻性,。為了便于驗證氮化硅薄膜層的蝕刻均勻性，本發(fā)明使用淀積了氮化硅薄膜的晶圓樣片(初始厚度約為),。蝕刻液配制完成后,，先使用表面張力儀檢測該蝕刻液的表面張力；然后將氮化硅晶圓片切割成1cm*3cm的小樣片,，采用超純水清洗和氮氣吹干后,，使用接觸角測量儀檢測蝕刻液對氮化硅層的接觸角大小。在蝕刻前,，使用橢圓偏振光譜儀對氮化硅樣片取不同位置共6個點進行厚度的測量,。福建電子級BOE蝕刻液產(chǎn)品介紹蘇州博洋專業(yè)生產(chǎn)BOE蝕刻液歡迎詢價。

    本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑,，來改善磷酸的浸潤性和表面張力，使之均勻蝕刻氮化硅,。背景技術：氮化硅是一種具有很高的化學穩(wěn)定性的絕緣材料,，氫氟酸和熱磷酸能對氮化硅進行緩慢地腐蝕。在半導體制造工藝中,，一般是采用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻,，一直到了90nm的制程也是采用熱磷酸來蝕刻氮化硅。但隨著半導體制程的飛速發(fā)展,，器件的特征尺寸越來越小,，集成度越來越高，對制造工藝中的各工藝節(jié)點要求也越來越高,，如蝕刻工藝中對蝕刻后晶圓表面的均勻性,、蝕刻殘留、下層薄膜的選擇性等都有要求,。在使用熱磷酸對氮化硅進行蝕刻時,，晶圓表面會出現(xiàn)不均勻的現(xiàn)象，體現(xiàn)于在蝕刻前后進行相同位置取點的厚度測量時，檢測點之間蝕刻前后的厚度差值存在明顯差異,。為了解決氮化硅蝕刻不均勻的問題,，通過在磷酸中添加醇醚類和表面活性劑可以實現(xiàn)氮化硅層的均勻蝕刻。技術實現(xiàn)要素：本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種能均勻蝕刻氮化硅層的蝕刻液,。本發(fā)明涉及一種提高氮化硅蝕刻均勻性的酸性蝕刻液,，所述蝕刻液的組成包括：占蝕刻液總重量≥88％的磷酸、％的醇醚類,、％的表面活性劑,。進一步地，本發(fā)明涉及上述蝕刻液,。

    添加劑為二乙二醇單甲醚,、三乙二醇乙醚、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p,，添加量分別為％,、％、％,。實施例6本發(fā)明的實施例按蝕刻液總質量為400g進行配制,，先稱取濃度為85％的磷酸，然后稱取添加劑加入磷酸中,，該實施例中所含成分及各成分稱取的質量顯示于表1。添加劑為丙二醇丁醚,、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p,、月桂酰氨乙基硫酸鈉，添加量分別為總質量的％,、％,、％。對照例對照例中所含成分顯示于表1,，并采用與實施例相同的方法進行處理,。對照例1為純磷酸，總質量為400g,。對照例2為磷酸,、丙二醇丁醚，其中丙二醇丁醚的添加量為總質量的％,。對照例3為磷酸,、脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p，其中脂肪醇聚氧乙烯醚磷酸酯moa-7p的添加量為總質量的％,。結果如表2所示,，與對照例蝕刻液相比，實施例蝕刻液有更低的表面張力和接觸角，并且氮化硅層蝕刻后顯示出良好的均勻性,。表1表2顯然,，上述實施例和對照例是為了清楚地說明所作的實例，而并非對實施方式的限制,。對于所屬領域的技術人員來說,，在上述說明的基礎上還可以做出其它不同形式的變化或變動，這里無需也無法對所有的實施方式予以窮舉,。而因此所引申的顯而易見的變化或變動仍處于本發(fā)明創(chuàng)造的保護范圍之內,。博洋 BOE 蝕刻液有妙招，個性化解決方案為您排憂解難,。

    此處所描述的具體實施例用以解釋本實用新型,，并不用于限定本實用新型。參照圖1,，本實用新型實施例提供的酸性蝕刻液電解后液處理系統(tǒng)包括：電解槽1,、射流器2、再生液調配缸3,、液體泵4,，其中，電解槽1具有一出液口和出氣口,，且電解槽1中內置有酸性蝕刻液,，電解槽1對該酸性蝕刻液進行電解提銅，產(chǎn)生氯氣,，得到電解后液,，并且，產(chǎn)生的氯氣通過位于上方的出氣口排出,，電解后液通過位于下方的出液口排出,。射流器2包括混氣室21和擴散管22，混氣室21和擴散管22之間為喉管,，混氣室21具有進氣口2a,、進液口2b、出液口2c,，擴散管22連接至出液口2c,，進氣口2a通過導氣管a與電解槽1的出氣口連接以接收氯氣，擴散管22深入到再生液調配缸3中,。再生液調配缸3具有進液口和循環(huán)出液口,，進液口通過管道b與電解槽1的出液口連接以接收電解后液。液體泵4的一端通過管道b連接再生液調配缸3的循環(huán)出液口,，另一端通過管道b連接射流器2的進液口2b,，用于將再生液調配缸3中的電解后液通過管道b抽取至射流器2的進液口2b,。電解槽1電解提銅后，陽極產(chǎn)生的氯氣通過導氣管a進入到射流裝置2的混氣室21內,，電解后液通過液體泵4打入到射流裝置2的混氣室21,，在混氣室21形成真空，在喉管處氯氣與電解后液劇烈混合,。優(yōu)先蘇州博洋化學股份有限公司,。福建電子級BOE蝕刻液產(chǎn)品介紹

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