吉田半導體的光刻膠產品覆蓋芯片制造、顯示面板,、PCB 及微納加工等領域,，通過差異化技術（如納米壓印,、厚膜工藝）和環(huán)保特性（水性配方），滿足從傳統(tǒng)電子到新興領域（如第三代半導體,、Mini LED）的多樣化需求,。其產品不僅支持高精度、高可靠性的制造工藝,，還通過材料創(chuàng)新推動行業(yè)向綠色化,、低成本化方向發(fā)展。吉田半導體光刻膠的優(yōu)勢在于技術全面性,、環(huán)保創(chuàng)新,、質量穩(wěn)定性及本土化服務，尤其在納米壓印,、厚膜工藝及水性膠領域形成差異化競爭力,。
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原料準備
主要成分：樹脂（成膜劑,，如酚醛樹脂,、聚酰亞胺等）、感光劑（光引發(fā)劑或光敏化合物,，如重氮萘醌,、光刻膠單體）、溶劑（溶解成分,，如*甲醚醋酸酯（PGMEA））,、添加劑（調節(jié)粘度、感光度,、穩(wěn)定性等,，如表面活性劑、穩(wěn)定劑）,。
原料提純：對樹脂,、感光劑等進行高純度精制（純度通常要求99.9%以上），避免雜質影響光刻精度,。
配料與混合
按配方比例精確稱量各組分,，在潔凈環(huán)境，如萬中通過攪拌機均勻混合,，形成膠狀溶液,。
控制溫度（通常20-30℃）和攪拌速度，避免氣泡產生或成分分解,。
過濾與純化
使用納米級濾膜（孔徑0.05-0.2μm）過濾,，去除顆粒雜質（如金屬離子、灰塵）,，確保膠液潔凈度,，避免光刻時產生缺陷,。
性能檢測
物理指標：粘度、固含量,、表面張力,、分子量分布等，影響涂布均勻性,。
化學指標：感光度,、分辨率、對比度,、耐蝕刻性,，通過曝光實驗和顯影測試驗證。
可靠性：存儲穩(wěn)定性（常溫/低溫保存下的性能變化）,、耐溫性（烘烤過程中的抗降解能力）,。
包裝與儲存
在惰性氣體（如氮氣）環(huán)境下分裝至避光容器（如棕色玻璃瓶或鋁罐），防止感光劑氧化或光分解,。
儲存條件：低溫（5-10℃）,、避光、干燥,，部分產品需零下環(huán)境（如EUV光刻膠）,。
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光伏電池（半導體級延伸）
HJT/TOPCon電池：在硅片表面圖形化金屬電極，使用高靈敏度光刻膠（曝光能量≤50mJ/cm）,，線寬≤20μm,，降低遮光損失,。
鈣鈦礦電池：用于電極圖案化和層間隔離,，需耐有機溶劑（適應溶液涂布工藝）。
納米壓印技術（下一代光刻）
納米壓印光刻膠：通過模具壓印實現10nm級分辨率,，用于3D NAND存儲孔陣列（直徑≤20nm）,、量子點顯示陣列等。
微流控與生物醫(yī)療
微流控芯片：制造微米級流道（寬度10-100μm）,，材料需生物相容性（如PDMS基材適配）,。
生物檢測芯片：通過光刻膠圖案化抗體/抗原固定位點，精度≤5μm,。
廣東吉田半導體材料有限公司多種光刻膠產品,，主要涵蓋厚板、負性,、正性,、納米壓印及光刻膠等類別，以滿足不同領域的需求,。
厚板光刻膠：JT-3001 型號,，具有優(yōu)異的分辨率和感光度,，抗深蝕刻性能良好，符合歐盟 ROHS 標準,，保質期 1 年,。適用于對精度和抗蝕刻要求高的厚板光刻工藝，如特定電路板制造,。
負性光刻膠
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SU-3 負性光刻膠：分辨率優(yōu)異,，對比度良好，曝光靈敏度高,，光源適應,，重量 100g。常用于對曝光精度和光源適應性要求較高的微納加工,、半導體制造等領域,。
正性光刻膠
光刻膠半導體領域的應用。
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LCD 正性光刻膠 YK-200：具有較大曝光,、高分辨率,、良好涂布和附著力，重量 100g,。適用于液晶顯示領域的光刻工藝,，確保 LCD 生產中圖形精確轉移和良好涂布效果。
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半導體正性光刻膠 YK-300：具備耐熱耐酸,、耐溶劑性,、絕緣阻抗和緊密性，重量 100g,。主要用于半導體制造工藝,，滿足半導體器件對光刻膠在化學穩(wěn)定性和電氣性能方面的要求。
正性光刻膠
YK-300：適用于半導體制造,，具備高分辨率（線寬≤10μm）,、耐高溫（250℃）、耐酸堿腐蝕特性,，主要用于28nm及以上制程的晶圓制造,，適配UV光源（365nm/405nm）。
技術優(yōu)勢：采用進口樹脂及光引發(fā)劑,，絕緣阻抗高（>10^14Ω）,，滿足半導體器件對絕緣性的嚴苛要求。
負性光刻膠
JT-1000：負性膠,，主打優(yōu)異抗深蝕刻性能,，分辨率達3μm，適用于功率半導體,、MEMS器件制造,，可承受氫氟酸（HF）,、磷酸（H3PO4）等強腐蝕液處理。
SU-3：經濟型負性膠,，性價比高,，適用于分立器件及低端邏輯芯片，光源適應性廣（248nm-436nm）,，曝光靈敏度≤200mJ/cm,。
2. 顯示面板光刻膠
LCD正性光刻膠YK-200：專為TFT-LCD制程設計，具備高涂布均勻性（膜厚誤差±1%）,、良好的基板附著力,，用于彩色濾光片（CF）和陣列基板（Array）制造，支持8.5代線以上大規(guī)模生產,。
水性感光膠JT-1200：環(huán)保型產品,，VOC含量<50g/L，符合歐盟RoHS標準,，適用于柔性顯示基板,，可制作20μm以下精細網點，主要供應京東方,、TCL等面板廠商,。
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光刻膠的納米級性能要求
超高分辨率：需承受電子束（10keV以上）或EUV（13.5nm波長）的轟擊,，避免散射導致的邊緣模糊，目前商用EUV膠分辨率已達13nm（3nm制程）,。
低缺陷率：納米級結構對膠層中的顆�,；蚧瘜W不均性極其敏感，需通過化學增幅型配方（如酸催化交聯）提升對比度和抗刻蝕性,。
多功能性：兼容多種基底（柔性聚合物,、陶瓷）和后處理工藝（干法刻蝕、原子層沉積）,，例如用于柔性電子的可拉伸光刻膠。
技術挑戰(zhàn)與前沿方向
EUV光刻膠優(yōu)化：解決曝光后酸擴散導致的線寬波動,，開發(fā)含氟聚合物或金屬有機材料以提高靈敏度,。
無掩膜光刻：結合機器學習優(yōu)化電子束掃描路徑，直接寫入復雜納米圖案（如神經網絡芯片的突觸陣列）,，縮短制備周期,。
生物基光刻膠：開發(fā)可降解、低毒性的天然高分子光刻膠,，用于生物芯片或環(huán)保型納米制造,。
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