晶圓級封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前，通過在每個(gè)電路周圍施加封裝來制造集成電路。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢,，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級封裝的一種,。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同。

      集成電路的常規(guī)制造通常開始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn),。通常將純硅錠切成薄片,，稱為晶圓，這是建立微電子電路的基礎(chǔ),。這些電路通過稱為晶圓切割的工藝來分離,。分離后,，將它們封裝成單獨(dú)的組件，然后將焊料引線施加到封裝上,。 對于無夾層鍵合工藝,，材料和表面特征利于鍵合，但為了與夾層結(jié)合,，鍵合材料沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì),。中國臺灣鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

熔融和混合鍵合系統(tǒng)：

熔融或直接晶圓鍵合可通過每個(gè)晶圓表面上的介電層長久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,，例如背面照明的CMOS圖像傳感器,。

混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤的熔融鍵合，從而允許晶片面對面連接,?；旌辖壎ǖ闹饕獞?yīng)用是高級3D設(shè)備堆疊。

EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng),；EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng),；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng)；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；GEMINIFB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)；BONDSCALE自動化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng),。 絕緣體上硅鍵合機(jī)應(yīng)用同時(shí)，EVG研發(fā)生產(chǎn)的的GEMINI系統(tǒng)是使用晶圓鍵合的量產(chǎn)應(yīng)用的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),。

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,，鍵合效果很差,。

      本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題,。

在對金層施加一定的壓力和溫度時(shí),，金層發(fā)生流動、互 融,，從而形成鍵合,。該過程對金的純度要求較高，即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量,。

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷,，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ,，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間,，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度,，即 363 ℃ ， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子,，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài),，冷卻后形成良好的鍵合［12，13］,。而光刻,、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響,。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合,，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn)。EVG鍵合機(jī)可以使用適合每個(gè)通用鍵合室的磚用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝,。

GEMINI ? FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實(shí)現(xiàn)高精度對準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法,。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn),，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,，更高的對準(zhǔn)度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器,，該鍵合對準(zhǔn)器是專門為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的,。晶圓級涂層、封裝,，工程襯底知造,，晶圓級3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底，如SOI（絕緣體上硅）,。EVG850 LT鍵合機(jī)中芯在用嗎

EVG鍵合可選功能：陽極,，UV固化，650℃加熱器,。中國臺灣鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法,。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。然而,，需要晶片之間的緊密對準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸,，并zui小化鍵合界面處的互連面積，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備,。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,，這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范,。

      imec 3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性,，并且我們將投入大量精力來改善它,。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對晶圓的鍵合,，在這一方面,，我們通過與EV Group等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績。去年,，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米，是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍,。今年,，我們正在努力將間距至少降低一半?！?中國臺灣鍵合機(jī)質(zhì)量怎么樣