EVG®810LT技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）50-200,、100-300毫米LowTemp?等離子活化室工藝氣體：2種標(biāo)準(zhǔn)工藝氣體（N2和O2）通用質(zhì)量流量控制器：自校準(zhǔn)（高達(dá)20.000sccm）真空系統(tǒng)：9x10-2mbar腔室的打開/關(guān)閉：自動(dòng)化腔室的加載/卸載：手動(dòng)（將晶圓/基板放置在加載銷上）可選功能：卡盤適用于不同的晶圓尺寸無金屬離子活化混合氣體的其他工藝氣體帶有渦輪泵的高真空系統(tǒng)：9x10-3mbar基本壓力符合LowTemp?等離子活化粘結(jié)的材料系統(tǒng)Si：Si/Si,，Si/Si（熱氧化,，Si（熱氧化）/Si（熱氧化）TEOS/TEOS（熱氧化）絕緣體鍺（GeOI）的Si/GeSi/Si3N4玻璃（無堿浮法）：硅/玻璃，玻璃/玻璃化合物半導(dǎo)體：GaAs,，GaP，InP聚合物：PMMA,，環(huán)烯烴聚合物用戶可以使用上述和其他材料的“蕞佳已知方法”配方（可根據(jù)要求提供完整列表）EVG鍵合機(jī)通過在高真空,，精確控制的真空、溫度或高壓條件下鍵合,，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用,。四川美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟,。然而,，需要晶片之間的緊密對(duì)準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸，并蕞小化鍵合界面處的互連面積,，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備,。支持組件路線圖所需的間距不斷減小，這推動(dòng)了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范,。imec3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼EricBeyne表示：“在imec,，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性，并且我們將投入大量精力來改善它,?！疤貏e關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對(duì)晶圓的鍵合，在這一方面,，我們通過與EVGroup等行業(yè)合作伙伴的合作取得了優(yōu)異的成績(jī),。去年，我們成功地縮短了芯片連接之間的距離或間距,，將晶圓間的混合鍵合厚度減小到1.4微米,，是目前業(yè)界標(biāo)準(zhǔn)間距的四倍。今年，我們正在努力將間距至少降低一半,?！鄙虾．?dāng)?shù)貎r(jià)格鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對(duì)準(zhǔn)方法，能夠支持大量不同的對(duì)準(zhǔn)技術(shù),。

EVG®510晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)：用于研發(fā)或小批量生產(chǎn)的晶圓鍵合系統(tǒng)-與大批量生產(chǎn)設(shè)備完全兼容,。特色：EVG510是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng)，可以處理從碎片到200mm的基板尺寸,。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,，例如陽極，玻璃粉,，焊料,，共晶，瞬態(tài)液相和直接法,。易于使用的鍵合腔室和工具設(shè)計(jì)允許對(duì)不同的晶圓尺寸和工藝進(jìn)行快速便捷的重新工具化,，轉(zhuǎn)換時(shí)間不到5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn)應(yīng)用,。EVG大批量制造工具（例如EVGGEMINI）上的鍵合室設(shè)計(jì)相同，鍵合程序易于轉(zhuǎn)移,，可輕松擴(kuò)大生產(chǎn)規(guī)模,。

ZiptronixInc.與EVGroup（簡(jiǎn)稱“EVG”）近日宣布已成功地在客戶提供的300毫米DRAM晶圓實(shí)現(xiàn)亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度。方法是在EVGGeminiFB產(chǎn)品融合鍵合機(jī)和SmartViewNT鍵合對(duì)準(zhǔn)機(jī)上采用Ziptronix的DBI混合鍵合技術(shù),。這種方法可用于制造各種應(yīng)用的微間距3D集成電路,，包括堆棧存儲(chǔ)器、上等圖像傳感器和堆棧式系統(tǒng)芯片(SoC),。Ziptronix的首席技術(shù)官兼工程副總裁PaulEnquist表示：“DBI混合鍵合技術(shù)的性能不受連接間距的限制,，只需要可進(jìn)行測(cè)量的適當(dāng)?shù)膶?duì)準(zhǔn)和布局工具，而這是之前一直未能解決的難題,。EVG的融合鍵合設(shè)備經(jīng)過優(yōu)化后實(shí)現(xiàn)了一致的亞微米鍵合后對(duì)準(zhǔn)精度,，此對(duì)準(zhǔn)精度上的改進(jìn)為我們的技術(shù)的大批量生產(chǎn)(HVM)鋪平了道路?！本A級(jí)涂層,、封裝，工程襯底智造,，晶圓級(jí)3D集成和晶圓減薄等用于制造工程襯底,，如SOI（絕緣體上硅）。

EVG®850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動(dòng)解鍵合,，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中，經(jīng)過處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐,。支持的剝離方法包括UV激光,，熱剝離和機(jī)械剝離。使用所有解鍵合方法,，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓,。 特征 在有形和無形的情況下，都能可靠地處理變薄的,，彎曲和翹曲的晶片 自動(dòng)清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù) 自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 高達(dá)12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機(jī) 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理我們的服務(wù)包括通過安全的連接,，電話或電子郵件，對(duì)包括現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證,，進(jìn)行實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和設(shè)備/工藝排除故障,。熔融鍵合鍵合機(jī)服務(wù)為先

針對(duì)高級(jí)封裝，MEMS,，3D集成等不同市場(chǎng)需求,，EVG優(yōu)化了用于對(duì)準(zhǔn)的多個(gè)鍵合模塊。四川美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用,，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法,，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE,，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中,，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長(zhǎng)期挑戰(zhàn)。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù),，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比,，BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率，并降低了擁有成本（CoO）,。四川美元報(bào)價(jià)鍵合機(jī)

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司屬于儀器儀表的高新企業(yè),，技術(shù)力量雄厚。公司致力于為客戶提供安全,、質(zhì)量有保證的良好產(chǎn)品及服務(wù),，是一家其他有限責(zé)任公司企業(yè)。公司業(yè)務(wù)涵蓋半導(dǎo)體工藝設(shè)備,，半導(dǎo)體測(cè)量設(shè)備,，光刻機(jī) 鍵合機(jī)，膜厚測(cè)量?jī)x,，價(jià)格合理,，品質(zhì)有保證，深受廣大客戶的歡迎,。岱美中國(guó)將以真誠的服務(wù),、創(chuàng)新的理念,、***的產(chǎn)品，為彼此贏得全新的未來,！