EVG®850TB 自動(dòng)化臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 全自動(dòng)將臨時(shí)晶圓晶圓鍵合到剛性載體上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動(dòng)的臨時(shí)鍵合系統(tǒng)可在一個(gè)自動(dòng)化工具中實(shí)現(xiàn)整個(gè)臨時(shí)鍵合過程-從臨時(shí)鍵合劑的施加,，烘焙,，將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對(duì)準(zhǔn)和鍵合開始。與所有EVG的全自動(dòng)工具一樣，設(shè)備布局是模塊化的,，這意味著可以根據(jù)特定過程對(duì)吞吐量進(jìn)行優(yōu)化,?？蛇x的在線計(jì)量模塊允許通過反饋回路進(jìn)行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化,。 由于EVG的開放平臺(tái)，因此可以使用不同類型的臨時(shí)鍵合粘合劑,，例如旋涂熱塑性塑料,，熱固性材料或膠帶。EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑，陽極,，直接/熔融,，玻璃料，焊料（包括共晶和瞬態(tài)液相）和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝,。中國(guó)澳門BONDSCALE鍵合機(jī)

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟，但是對(duì)于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,，鍵合效果很差,。本文針對(duì)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,，解決鍵合對(duì)硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題,。在對(duì)金層施加一定的壓力和溫度時(shí),，金層發(fā)生流動(dòng)、互融,，從而形成鍵合,。該過程對(duì)金的純度要求較高，即當(dāng)金層發(fā)生氧化就會(huì)影響鍵合質(zhì)量,。江蘇EVG6200鍵合機(jī)EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢,？

EVG®620BA鍵合機(jī)選件 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 紅外對(duì)準(zhǔn)，用于內(nèi)部基板鍵對(duì)準(zhǔn) NanoAlign®包增強(qiáng)加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對(duì)準(zhǔn)器的升級(jí)可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對(duì)準(zhǔn)方法 背面對(duì)準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對(duì)準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對(duì)準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸,，3英寸，100毫米,，150毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對(duì)準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站

SmartView®NT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),，用于通用對(duì)準(zhǔn)。全自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng),，采用微米級(jí)面對(duì)面晶圓對(duì)準(zhǔn)的專有方法進(jìn)行通用對(duì)準(zhǔn),。用于通用對(duì)準(zhǔn)的SmartViewNT自動(dòng)鍵合對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)提供了微米級(jí)面對(duì)面晶圓級(jí)對(duì)準(zhǔn)的專有方法。這種對(duì)準(zhǔn)技術(shù)對(duì)于在嶺先技術(shù)的多個(gè)晶圓堆疊中達(dá)到所需的精度至關(guān)重要,。SmartView技術(shù)可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結(jié)合使用,，以在隨后的全自動(dòng)平臺(tái)上進(jìn)行長(zhǎng)久鍵合。特征：適合于自動(dòng)化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®,，GEMINI®200和300mm配置）,。用于3D互連，晶圓級(jí)封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊,。以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件,，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng)。

共晶鍵合［8，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),，以其作為中間鍵合介質(zhì)層,，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此,，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量,。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多，通常有鋁,、金,、鈦、鉻,、鉛—錫等,。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,，可以降低鍵合工藝難度,，且其液相粘結(jié)性好，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱,，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用,， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10,，11］。EVG鍵合機(jī)晶圓加工服務(wù)包含如下： ComBond? - 硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合,、等離子活化直接鍵合,。EVG850 TB鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空,，快速加熱和冷卻,。中國(guó)澳門BONDSCALE鍵合機(jī)

臨時(shí)鍵合系統(tǒng)：臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程，這對(duì)于3DIC,，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導(dǎo)體）非常重要,。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上，從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片,。在關(guān)鍵工藝之后,，將晶片堆疊剝離。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到了體現(xiàn),，該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供,。包含型號(hào)：EVG805解鍵合系統(tǒng)；EVG820涂敷系統(tǒng),；EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng),；EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng),。中國(guó)澳門BONDSCALE鍵合機(jī)