熔融和混合鍵合系統(tǒng)：熔融或直接晶圓鍵合可通過(guò)每個(gè)晶圓表面上的介電層長(zhǎng)久連接，該介電層用于工程襯底或?qū)愚D(zhuǎn)移應(yīng)用,，例如背面照明的CMOS圖像傳感器,。混合鍵合擴(kuò)展了與鍵合界面中嵌入的金屬焊盤(pán)的熔融鍵合,，從而允許晶片面對(duì)面連接,。混合綁定的主要應(yīng)用是高級(jí)3D設(shè)備堆疊,。EVG的熔融和混合鍵合設(shè)備包含：EVG301單晶圓清洗系統(tǒng),；EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)；EVG810LT低溫等離子基活系統(tǒng),；EVG850LTSOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；EVG850SOI和晶圓直接鍵合自動(dòng)化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),；GEMINIFB自動(dòng)化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),；BONDSCALE自動(dòng)化熔融鍵合生產(chǎn)系統(tǒng)。EMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。EVG320鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

晶圓級(jí)封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同,。該技術(shù)不是將電路分開(kāi)然后在繼續(xù)進(jìn)行測(cè)試之前應(yīng)用封裝和引線,，而是用于集成多個(gè)步驟。在晶片切割之前,，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個(gè)集成電路,。測(cè)試通常也發(fā)生在晶片切割之前。像許多其他常見(jiàn)的組件封裝類(lèi)型一樣,，用晶圓級(jí)封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù),。通過(guò)熔化附著在元件上的焊球，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面,。晶圓級(jí)組件通?？梢耘c其他表面貼裝設(shè)備類(lèi)似地使用。例如,，它們通?？梢栽诰韼C(jī)上購(gòu)買(mǎi)，以用于稱(chēng)為拾取和放置機(jī)器的自動(dòng)化組件放置系統(tǒng),。 海南鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額,，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套。

晶圓級(jí)封裝是指在將要制造集成電路的晶圓分離成單獨(dú)的電路之前，通過(guò)在每個(gè)電路周?chē)┘臃庋b來(lái)制造集成電路,。由于在部件尺寸以及生產(chǎn)時(shí)間和成本方面的優(yōu)勢(shì),，該技術(shù)在集成電路行業(yè)中迅速流行起來(lái)。以此方式制造的組件被認(rèn)為是芯片級(jí)封裝的一種,。這意味著其尺寸幾乎與內(nèi)部電子電路所位于的裸片的尺寸相同,。集成電路的常規(guī)制造通常開(kāi)始于將在其上制造電路的硅晶片的生產(chǎn)。通常將純硅錠切成薄片,，稱(chēng)為晶圓,，這是建立微電子電路的基礎(chǔ)。這些電路通過(guò)稱(chēng)為晶圓切割的工藝來(lái)分離,。分離后,，將它們封裝成單獨(dú)的組件，然后將焊料引線施加到封裝上,。 

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準(zhǔn)GEMINIFBXT自動(dòng)熔融系統(tǒng)一起出售,，每個(gè)平臺(tái)針對(duì)不同的應(yīng)用。雖然BONDSCALE將主要專(zhuān)注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,，但GEMINIFBXT將支持要求更高對(duì)準(zhǔn)精度的應(yīng)用,，例如存儲(chǔ)器堆疊，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū),。特征：在單個(gè)平臺(tái)上的200mm和300mm基板上的全自動(dòng)熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用通過(guò)等離子活化的直接晶圓鍵合，可實(shí)現(xiàn)不同材料,，高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應(yīng)用的異質(zhì)集成支持邏輯縮放,，3D集成（例如M3），3DVLSI（包括背面電源分配）,，N＆P堆棧,，內(nèi)存邏輯，集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200,、300毫米ZUI高數(shù)量或過(guò)程模塊8通量每小時(shí)ZUI多40個(gè)晶圓處理系統(tǒng)4個(gè)裝載口特征：多達(dá)八個(gè)預(yù)處理模塊,，例如清潔模塊，LowTemp?等離子活化模塊,，對(duì)準(zhǔn)驗(yàn)證模塊和解鍵合模塊XT框架概念通過(guò)EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)ZUI高吞吐量光學(xué)邊緣對(duì)準(zhǔn)模塊：Xmax/Ymax=18μm3σ EVG鍵合機(jī)頂部和底部晶片的獨(dú)li溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),，實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力鍵合和出色的溫度均勻性。

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片,。該工具支持所有常見(jiàn)的晶圓鍵合工藝，如陽(yáng)極,，玻璃料,，焊料,，共晶，瞬態(tài)液相和直接鍵合,。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計(jì),，讓用戶(hù)能快速，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,，轉(zhuǎn)換時(shí)間小于5分鐘,。這種多功能性非常適合大學(xué)，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn),。鍵合室的基本設(shè)計(jì)在EVG的HVM（量產(chǎn)）工具上是相同的,，例如GEMINI，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,，這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量,。 以上應(yīng)用工藝也讓MEMS器件，RF濾波器和BSI（背面照明）CIS（CMOS圖像傳感器）的生產(chǎn)迅速增長(zhǎng),。海南鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格

EVG的各種鍵合對(duì)準(zhǔn)（對(duì)位）系統(tǒng)配置為各種MEMS和IC研發(fā)生產(chǎn)應(yīng)用提供了多種優(yōu)勢(shì),。EVG320鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具,，以便于視覺(jué)隔離,。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的,。還需要考慮其他因素,，因此可以?xún)?yōu)化芯片恢復(fù)率,。質(zhì)量體系確保模具的回收率很高,。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源,。為了稍微簡(jiǎn)化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,，不對(duì)邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本。半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,，可以關(guān)注這里：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī),。 EVG320鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品