晶圓級封裝在封裝方式上與傳統(tǒng)制造不同。該技術(shù)不是將電路分開然后在繼續(xù)進行測試之前應(yīng)用封裝和引線，而是用于集成多個步驟,。在晶片切割之前,，將封裝的頂部和底部以及焊錫引線應(yīng)用于每個集成電路。測試通常也發(fā)生在晶片切割之前,。像許多其他常見的組件封裝類型一樣,，用晶圓級封裝制造的集成電路是一種表面安裝技術(shù)。通過熔化附著在元件上的焊球,，將表面安裝器件直接應(yīng)用于電路板的表面,。晶圓級組件通常可以與其他表面貼裝設(shè)備類似地使用,。例如,，它們通常可以在卷帶機上購買,，以用于稱為拾取和放置機器的自動化組件放置系統(tǒng),。 EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設(shè)計，能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術(shù)轉(zhuǎn)換,。山西EV Group鍵合機

EVG®850TB 自動化臨時鍵合系統(tǒng) 全自動將臨時晶圓晶圓鍵合到剛性載體上特色技術(shù)數(shù)據(jù) 全自動的臨時鍵合系統(tǒng)可在一個自動化工具中實現(xiàn)整個臨時鍵合過程-從臨時鍵合劑的施加,，烘焙，將設(shè)備晶圓與載體晶圓的對準和鍵合開始,。與所有EVG的全自動工具一樣,，設(shè)備布局是模塊化的，這意味著可以根據(jù)特定過程對吞吐量進行優(yōu)化,?？蛇x的在線計量模塊允許通過反饋回路進行全過程監(jiān)控和參數(shù)優(yōu)化。 由于EVG的開放平臺,，因此可以使用不同類型的臨時鍵合粘合劑,，例如旋涂熱塑性塑料，熱固性材料或膠帶,。福建GEMINI鍵合機晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合設(shè)備,。

GEMINI ® FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實現(xiàn)高精度對準和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟,。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴展了當(dāng)前標(biāo)準,，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率，更高的對準度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準器,，該鍵合對準器是專門為 <50 nm的熔融和混合晶片鍵合對準要求而開發(fā)的,。

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺與鍵合機控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強度,，使用恒溫爐進行低溫退火,，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻等問題,。高低溫循環(huán)測試試驗與既定拉力破壞性試驗結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強度的同時,，具有工藝溫度低、容易實現(xiàn)圖形化,、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點,。EVG鍵合機鍵合工藝可在真空或受控氣體條件下進行。

長久鍵合系統(tǒng) EVG晶圓鍵合方法的引入將鍵合對準與鍵合步驟分離開來,，立即在業(yè)內(nèi)掀起了市場閣命,。利用高溫和受控氣體環(huán)境下的高接觸力，這種新穎的方法已成為當(dāng)今的工藝標(biāo)準,，EVG的鍵合機設(shè)備占據(jù)了半自動和全自動晶圓鍵合機的主要市場份額,，并且安裝的機臺已經(jīng)超過1500個。EVG的晶圓鍵合機可提供蕞/佳的總擁有成本（TCO）,，并具有多種設(shè)計功能,，可優(yōu)化鍵合良率。針對MEMS,，3D集成或gao級封裝的不同市場需求,，EVG優(yōu)化了用于對準的多個模塊。下面是關(guān)于EVG的鍵合機EVG500系列介紹,。鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,，晶圓級封裝，工程襯底智造,，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用實用的技術(shù),。山西EV Group鍵合機

晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動晶圓鍵合機器。山西EV Group鍵合機

共晶鍵合［8,，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點,，以其作為中間鍵合介質(zhì)層,，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實現(xiàn),。因此,，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,，通常有鋁,、金、鈦,、鉻,、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好,，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強金層與硅襯底的結(jié)合力,，同時鈦也具有阻擋擴散層的作用,， 可以阻止金向硅中擴散［10，11］,。 山西EV Group鍵合機