陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法，廣FAN用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起,。這種鍵合技術(shù)ZUI常用于將玻璃層密封到硅晶圓上,。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合,，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,，它通常不需要中間層，但不同之處在于,，它依賴于當(dāng)離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓,。可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上,。但是，它特別適用于硅玻璃粘接,。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉）,，以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na2O）,。 鍵合機(jī)晶圓對準(zhǔn)鍵合是晶圓級涂層，晶圓級封裝,，工程襯底智造,，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應(yīng)用實用的技術(shù)。EVG510鍵合機(jī)國內(nèi)用戶

EVG®560自動晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動晶圓鍵合系統(tǒng),，用于大批量生產(chǎn)特色技術(shù)數(shù)據(jù)EVG560自動化晶圓鍵合系統(tǒng)蕞多可容納四個鍵合室,，并具有各種鍵合室配置選項，適用于所有鍵合工藝和蕞/大300mm的晶圓,。EVG560鍵合機(jī)基于相同的鍵合室設(shè)計,，并結(jié)合了EVG手動鍵合系統(tǒng)的主要功能以及增強的過程控制和自動化功能，可提供高產(chǎn)量的生產(chǎn)鍵合,。機(jī)器人處理系統(tǒng)會自動加載和卸載處理室,。特征全自動處理,，可自動裝卸鍵合卡盤多達(dá)四個鍵合室，用于各種鍵合工藝與包括Smaiew的EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器兼容同時在頂部和底部快速加熱和冷卻自動加載和卸載鍵合室和冷卻站遠(yuǎn)程在線診斷技術(shù)數(shù)據(jù)蕞/大加熱器尺寸150,、200,、300毫米裝載室使用5軸機(jī)器人蕞/高鍵合模塊4個。 四川低溫鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)軟件,，支持多語言,，集成錯誤記錄/報告和恢復(fù)和單個用戶帳戶設(shè)置，可以簡化用戶常規(guī)操作,。

EVG®620BA鍵合機(jī)選件 自動對準(zhǔn) 紅外對準(zhǔn),，用于內(nèi)部基板鍵對準(zhǔn) NanoAlign®包增強加工能力 可與系統(tǒng)機(jī)架一起使用 掩模對準(zhǔn)器的升級可能性 技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動 可選：電動千分尺 楔形補償：自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸，3英寸,，100毫米,，150毫米 厚度：0.1-10毫米 ZUI高堆疊高度：10毫米 自動對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：3個卡帶站 可選：ZUI多5個站 

在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸,。然后它們被夾在兩個電極之間,，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度），和幾百到千伏的電勢被施加,，使得負(fù)電極,，這就是所謂的陰極，是在接觸在玻璃中,，正極（陽極）與硅接觸,。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,，然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢?。帶?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移，并在到達(dá)邊界時與硅反應(yīng),，形成二氧化硅（SiO 2）,。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起。EVG500系列鍵合機(jī)擁有多種鍵合方法,，包括陽極,，熱壓縮，玻璃料,，環(huán)氧樹脂,，UV和熔融鍵合。

EVG®850DB自動解鍵合機(jī)系統(tǒng)全自動解鍵合,，清潔和卸載薄晶圓特色技術(shù)數(shù)據(jù)在全自動解鍵合機(jī)中,，經(jīng)過處理的臨時鍵合晶圓疊層被分離和清洗，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個工具中得到支撐,。支持的剝離方法包括UV激光,，熱剝離和機(jī)械剝離,。使用所有解鍵合方法，都可以通過薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來支撐設(shè)備晶圓,。特征在有形和無形的情況下,，都能可靠地處理變薄的、彎曲和翹曲的晶片自動清洗解鍵合晶圓程序控制系統(tǒng)實時監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)自動化工具中完全集成的SECS/GEM界面適用于不同基板尺寸的橋接工具功能模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量技術(shù)數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）高達(dá)300毫米高達(dá)12英寸的薄膜面積組態(tài)解鍵合模塊清潔模塊薄膜裱框機(jī)選件ID閱讀多種輸出格式高形貌的晶圓處理翹曲的晶圓處理 晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究,。EVG501鍵合機(jī)美元價格

EVG鍵合機(jī)的鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空,，快速加熱和冷卻,。EVG510鍵合機(jī)國內(nèi)用戶

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多，工藝日漸成熟,，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,，鍵合效果很差。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,，實現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,，環(huán)境要求苛刻的問題,。在對金層施加一定的壓力和溫度時，金層發(fā)生流動,、互融,，從而形成鍵合。該過程對金的純度要求較高,，即當(dāng)金層發(fā)生氧化時就會影響鍵合質(zhì)量,。EVG510鍵合機(jī)國內(nèi)用戶