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3D IC鍵合機(jī)質(zhì)保期多久

來源: 發(fā)布時(shí)間:2025-02-25

根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸,,EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn),、研發(fā),并且可以通過簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),,因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中。鍵合室配有通用鍵合蓋,,可快速排空,,快速加熱和冷卻。通過控制溫度,,壓力,,時(shí)間和氣體,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程,。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對(duì)于UV固化黏合劑,可選的鍵合室蓋具有UV源,。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的獨(dú)力溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),,從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性,。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI/SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合,。 LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活,,用于PAWB(等離子基活的晶圓鍵合)。3D IC鍵合機(jī)質(zhì)保期多久

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臨時(shí)鍵合系統(tǒng):臨時(shí)鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機(jī)械支撐的必不可少的過程,,這對(duì)于3DIC,,功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板(例如化合物半導(dǎo)體)非常重要。借助于中間臨時(shí)鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,,從而可以通過附加的機(jī)械支撐來處理通常易碎的器件晶片,。在關(guān)鍵工藝之后,將晶片堆疊剝離,。EVG出色的鍵合技術(shù)在其臨時(shí)鍵合設(shè)備中得到充分體現(xiàn),,該設(shè)備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號(hào):EVG805解鍵合系統(tǒng),;EVG820涂敷系統(tǒng),;EVG850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng);EVG850DB自動(dòng)解鍵合系統(tǒng),。 美元價(jià)鍵合機(jī)售后服務(wù)EVG服務(wù):高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合,、集體D2W鍵合、臨時(shí)鍵合和熱,、混合鍵合,、機(jī)械或者激光剖離,、黏合劑鍵合。

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Abouie M 等人[4]針對(duì)金—硅共晶鍵合過程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開研究,,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,,但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大??蹬d華等人[5]加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),,但不涉及對(duì)準(zhǔn)問題,實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小,。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝[6],,其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,,不適用一些敏感器件的封裝處理,。袁星等人[7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,但其硅片不涉及光刻,、深刻蝕,、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,故其鍵合工藝限制較大,。 

EVG®850LT特征利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,,高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行盒到盒的自動(dòng)操作(錯(cuò)誤加載,SMIF或FOUP)無污染的背面處理超音速和/或刷子清潔機(jī)械平整或缺口對(duì)準(zhǔn)的預(yù)鍵合先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷技術(shù)數(shù)據(jù):晶圓直徑(基板尺寸)100-200,、150-300毫米全自動(dòng)盒帶到盒帶操作預(yù)鍵合室對(duì)準(zhǔn)類型:平面到平面或凹口到凹口對(duì)準(zhǔn)精度:X和Y:±50μm,,θ:±0.1°結(jié)合力:ZUI高5N鍵合波起始位置:從晶圓邊緣到中心靈活真空系統(tǒng):9x10-2mbar(標(biāo)準(zhǔn))和9x10-3mbar(渦輪泵選件) EMINI FB XT適用于諸如存儲(chǔ)器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),,背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用,。

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EVGroup開發(fā)了MLE?(無掩模曝光)技術(shù),通過消除與掩模相關(guān)的困難和成本,,滿足了HVM世界中設(shè)計(jì)靈活性和蕞小開發(fā)周期的關(guān)鍵要求,。MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設(shè)備與快速(但不靈活)的生產(chǎn)之間的干擾。它提供了可擴(kuò)展的解決方案,,可同時(shí)進(jìn)行裸片和晶圓級(jí)設(shè)計(jì),,支持現(xiàn)有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應(yīng)性,,并具有多級(jí)冗余功能,,以提高產(chǎn)量和降低擁有成本(CoO)。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術(shù)不僅滿足先進(jìn)封裝中后端光刻的關(guān)鍵要求,,而且還滿足MEMS,,生物醫(yī)學(xué)和印刷電路板制造的要求。 鍵合機(jī)供應(yīng)商EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn),,擁有累計(jì)2000多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工,。值得買鍵合機(jī)國內(nèi)代理

EVG鍵合機(jī)軟件,,支持多語言,集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置,,可以簡(jiǎn)化用戶常規(guī)操作,。3D IC鍵合機(jī)質(zhì)保期多久

業(yè)內(nèi)主流鍵合工藝為:黏合劑,陽極,,直接/熔融,,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮,。采用哪種黏合工藝取決于應(yīng)用,。EVG500系列可靈活配置選擇以上的所有工藝。奧地利的EVG擁有超過25年的晶圓鍵合機(jī)制造經(jīng)驗(yàn),,擁有2000多擁有多年晶圓鍵合經(jīng)驗(yàn)的員工,,同時(shí),GEMINI是使用晶圓鍵合的HVM的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),。根據(jù)型號(hào)和加熱器尺寸,,EVG500系列可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn),、研發(fā),,并且可以通過簡(jiǎn)單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中,。 3D IC鍵合機(jī)質(zhì)保期多久