封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,，已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術［1］,。實現(xiàn)封裝的技術手段很多,，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝,。隨著 MEMS 技術的發(fā)展，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,，SDB)  技術［2］,。由于表面有微結構的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,，要進行復雜的拋光處理,，這DADA加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。 EVG鍵合機晶圓鍵合類型有：陽極鍵合,、瞬間液相鍵合,、共熔鍵合、黏合劑鍵合,、熱壓鍵合等多種類型,。臨時鍵合鍵合機有誰在用

臨時鍵合系統(tǒng)：臨時鍵合是為薄晶圓或超薄晶圓提供機械支撐的必不可少的過程,，這對于3DIC,，功率器件和FoWLP晶圓以及處理易碎基板（例如化合物半導體）非常重要。借助于中間臨時鍵合粘合劑將器件晶片鍵合到載體晶片上,，從而可以通過附加的機械支撐來處理通常易碎的器件晶片,。在關鍵工藝之后，將晶片堆疊剝離,。EVG出色的鍵合技術在其臨時鍵合設備中得到充分體現(xiàn),，該設備自2001年以來一直由該公司提供。包含型號：EVG805解鍵合系統(tǒng),；EVG820涂敷系統(tǒng),；EVG850TB臨時鍵合系統(tǒng)；EVG850DB自動解鍵合系統(tǒng),。 廣東鍵合機保修期多久EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設計,，能夠實現(xiàn)從研發(fā)到大批量生產的簡單技術轉換。

EVG®301特征使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進行高/效清潔單面清潔刷（選件）用于晶圓清洗的稀釋化學品防止從背面到正面的交叉污染完全由軟件控制的清潔過程選件帶有紅外檢查的預鍵合臺非SEMI標準基材的工具技術數(shù)據(jù)晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米清潔系統(tǒng)開室,，旋轉器和清潔臂腔室：由PP或PFA制成（可選）清潔介質：去離子水（標準）,，其他清潔介質（可選）旋轉卡盤：真空卡盤（標準）和邊緣處理卡盤（選件），由不含金屬離子的清潔材料制成旋轉：蕞高3000rpm（5秒內）超音速噴嘴頻率：1MHz（3MHz選件）輸出功率：30-60W去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘有效清潔區(qū)域：? 4.0mm材質：聚四氟乙烯

BONDSCALE?自動化生產熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術數(shù)據(jù)EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用,，包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法,，例如單片3D（M3D）。借助BONDSCALE,，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中,，并幫助解決內部設備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn)。結合增強的邊緣對準技術,，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比,，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產率，并降低了擁有成本（CoO）。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB,，讓晶圓在晶圓鍵合之前進行晶圓對準,。

鍵合對準機系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個雙面對準系統(tǒng)的發(fā)明,，EVG革新了MEMS技術,，并通過分離對準和鍵合工藝在對準晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標準。這種分離導致晶圓鍵合設備具有更高的靈活性和通用性,。EVG的鍵合對準系統(tǒng)提供了蕞高的精度,，靈活性和易用性以及模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產環(huán)境中進行了認證,。EVG鍵對準器的精度可滿足蕞苛刻的對準過程,。包含以下的型號：EVG610BA鍵合對準系統(tǒng)；EVG620BA鍵合對準系統(tǒng),；EVG6200BA鍵合對準系統(tǒng),；SmartViewNT鍵合對準系統(tǒng)；EVG鍵合機可以使用適合每個通用鍵合室的zhuan用卡盤來處理各種尺寸晶圓和鍵合工藝,。EVG320鍵合機價格怎么樣

自動鍵合系統(tǒng)EVG?540,，擁有300 mm單腔鍵合室和多達4個自動處理鍵合卡盤。臨時鍵合鍵合機有誰在用

在鍵合過程中,，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸,。然后它們被夾在兩個電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度）,，和幾百到千伏的電勢被施加,，使得負電極，這就是所謂的陰極,，是在接觸在玻璃中,，正極（陽極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,，然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢谩ж撾姷难鯕鈦碜圆ＡУ碾x子向陽極遷移,，并在到達邊界時與硅反應,，形成二氧化硅（SiO 2）。產生的化學鍵將兩個組件密封在一起,。臨時鍵合鍵合機有誰在用