在鍵合過程中，將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸。然后它們被夾在兩個電極之間,，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度）,，和幾百到千伏的電勢被施加，使得負(fù)電極,，這就是所謂的陰極,，是在接觸在玻璃中，正極（陽極）與硅接觸,。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷，然后通過靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢谩ж?fù)電的氧氣來自玻璃的離子向陽極遷移,，并在到達(dá)邊界時與硅反應(yīng),，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個組件密封在一起,。EVG鍵合機(jī)通過控制溫度,，壓力，時間和氣體,，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程,。芯片鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］,。實現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］,。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,，這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］,。芯片鍵合機(jī)參數(shù)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能,；200 mm的單個或雙腔自動化系統(tǒng),。

鍵合卡盤承載來自對準(zhǔn)器對準(zhǔn)的晶圓堆疊，以執(zhí)行隨后的鍵合過程,?？梢允褂眠m合每個通用鍵合室的**卡盤來處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發(fā)的鍵合機(jī),。 晶圓鍵合類型 ■陽極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機(jī)特征 ■基底高達(dá)200mm ■壓力高達(dá)100kN ■溫度高達(dá)550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選：陽極,，UV固化，650℃加熱器 EVG鍵合機(jī)加工服務(wù) EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下： ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond? -硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合 ■高真空對準(zhǔn)鍵合 ■臨時鍵合和熱,、機(jī)械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,，如陽極,，玻璃料，焊料,，共晶,，瞬態(tài)液相和直接鍵合,。易于操作的鍵合室和工具設(shè)計，讓用戶能快速,，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,，轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學(xué),，研發(fā)機(jī)構(gòu)或小批量生產(chǎn),。鍵合室的基本設(shè)計在EVG的HVM（量產(chǎn)）工具上是相同的，例如GEMINI,，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移,，這樣可以輕松擴(kuò)大生產(chǎn)量。EVG鍵合機(jī)晶圓鍵合類型有：陽極鍵合,、瞬間液相鍵合,、共熔鍵合、黏合劑鍵合,、熱壓鍵合,。

ComBond自動化的高真空晶圓鍵合系統(tǒng),，高真空晶圓鍵合平臺促進(jìn)“任何物上的任何東西”的共價鍵合特色技術(shù)數(shù)據(jù),，EVGComBond高真空晶圓鍵合平臺標(biāo)志著EVG獨(dú)特的晶圓鍵合設(shè)備和技術(shù)產(chǎn)品組合中的一個新里程碑，可滿足市場對更復(fù)雜的集成工藝的需求ComBond支持的應(yīng)用領(lǐng)域包括先進(jìn)的工程襯底,，堆疊的太陽能電池和功率器件到**MEMS封裝,，高性能邏輯和“beyondCMOS”器件ComBond系統(tǒng)的模塊化集群設(shè)計提供了高度靈活的平臺，可以針對研發(fā)和高通量,，大批量制造環(huán)境中的各種苛刻的客戶需求量身定制ComBond促進(jìn)了具有不同晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)（CTE）的異質(zhì)材料的鍵合,，并通過其獨(dú)特的氧化物去除工藝促進(jìn)了導(dǎo)電鍵界面的形成ComBond高真空技術(shù)還可以實現(xiàn)鋁等金屬的低溫鍵合，這些金屬在周圍環(huán)境中會迅速重新氧化,。對于所有材料組合,，都可以實現(xiàn)無空隙和無顆粒的鍵合界面以及出色的鍵合強(qiáng)度。EVG鍵合機(jī)的特征有：壓力高達(dá)100 kN,、基底高達(dá)200mm,、溫度高達(dá)550°C、真空氣壓低至1·10-6 mbar,。研究所鍵合機(jī)出廠價

EVG鍵合機(jī)跟應(yīng)用相對應(yīng),，鍵合方法一般分類頁是有或沒有夾層的鍵合操作。芯片鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,，***用于微電子工業(yè)中,，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上,。也稱為場輔助鍵合或靜電密封,，它類似于直接鍵合,，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同，它通常不需要中間層,，但不同之處在于,，它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上,。但是，它特別適用于硅玻璃粘接,。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉）,，以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）,。 芯片鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品