EVGroup開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術,，通過消除與掩模相關的困難和成本,，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關鍵要求。MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設備與快速（但不靈活）的生產之間的干擾,。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設計,，支持現(xiàn)有材料和新材料,，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能,，以提高產量和降低擁有成本（CoO）,。EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求，而且還滿足MEMS,，生物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求,。 EVG下的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統(tǒng),。遼寧美元價格鍵合機

EVG®850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產鍵合系統(tǒng) 用途：自動化生產鍵合系統(tǒng),，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應用 特色 技術數(shù)據 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項關鍵技術。借助用于機械對準SOI的EVG850LT自動化生產鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,，等離子活化和對準到預鍵合和IR檢查。因此,，經過實踐檢驗的行業(yè)標準EVG850 LT確保了高達300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,，高產量生產工藝。EVG鍵合機研發(fā)可以用嗎鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,，晶圓級封裝,，工程襯底智造，晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用很實用的技術,。

SmartView®NT自動鍵合對準系統(tǒng),，用于通用對準。全自動鍵合對準系統(tǒng),，采用微米級面對面晶圓對準的專有方法進行通用對準,。用于通用對準的SmartViewNT自動鍵合對準系統(tǒng)提供了微米級面對面晶圓級對準的專有方法。這種對準技術對于在lingxian技術的多個晶圓堆疊中達到所需的精度至關重要,。SmartView技術可以與GEMINI晶圓鍵合系統(tǒng)結合使用,，以在隨后的全自動平臺上進行長久鍵合。特征：適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)（EVG560®,，GEMINI®200和300mm配置）,。用于3D互連，晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊,。 

鍵合機特征高真空,，對準，共價鍵合 在高真空環(huán)境（<5·10-8mbar）中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合，包括金屬（鋁） 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R＆D的模塊化系統(tǒng) 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數(shù)據 真空度 處理：<7E-8mbar 處理：<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊：蕞小3個,，蕞/大6個 加載：手動,，卡帶，EFEM 可選的過程模塊： 鍵合模塊 ComBond®基活模塊（CAM） 烘烤模塊 真空對準模塊（VAM） 晶圓直徑 高達200毫米EVG鍵合機通過控制溫度,，壓力,，時間和氣體，允許進行大多數(shù)鍵合過程,。

半導體晶圓（晶片）的直徑為4到10英寸（10.16到25.4厘米）的圓盤,，在制造過程中可承載非本征半導體。它們是正（P）型半導體或負（N）型半導體的臨時形式,。硅晶片是非常常見的半導體晶片,，因為硅是當夏流行的半導體，這是由于其在地球上的大量供應,。半導體晶圓是從錠上切片或切割薄盤的結果,，它是根據需要被摻雜為P型或N型的棒狀晶體。然后對它們進行刻劃,，以用于切割或切割單個裸片或方形子組件,，這些單個裸片或正方形子組件可能瑾包含一種半導體材料或多達整個電路，例如集成電路計算機處理器,。 晶圓鍵合機（系統(tǒng)）EVG?510 ,，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ,；擁有EVG?501 鍵合機所有功能,。本地鍵合機試用

清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB，使用去離子水和溫和的化學清潔劑去除顆粒,。遼寧美元價格鍵合機

BONDSCALE?自動化生產熔融系統(tǒng)啟用3D集成以獲得更多收益特色技術數(shù)據EVGBONDSCALE?自動化生產熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應用,，包括工程化的基板制造和使用層轉移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）,。借助BONDSCALE,，EVG將晶片鍵合應用于前端半導體處理中，并幫助解決內部設備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴展的長期挑戰(zhàn),。結合增強的邊緣對準技術,，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺相比，BONDSCALE大幅提高了晶圓鍵合生產率,，并降低了擁有成本（CoO）,。遼寧美元價格鍵合機