EVG®850TB臨時(shí)鍵合機(jī)特征：

開放式膠粘劑平臺,；

各種載體（硅，玻璃,，藍(lán)寶石等）,；

適用于不同基板尺寸的橋接工具功能；

提供多種裝載端口選項(xiàng)和組合,；

程序控制系統(tǒng),；

實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)；

完全集成的SECS/GEM接口,；

可選的集成在線計(jì)量模塊,，用于自動(dòng)反饋回路；

技術(shù)數(shù)據(jù)：

晶圓直徑（基板尺寸）：蕞長300毫米,，可能有超大的托架

不同的基材/載體組合

組態(tài)

外套模塊

帶有多個(gè)熱板的烘烤模塊

通過光學(xué)或機(jī)械對準(zhǔn)來對準(zhǔn)模塊

鍵合模塊：

選件

在線計(jì)量

ID閱讀

高形貌的晶圓處理

翹曲的晶圓處理 EVG鍵合機(jī)也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對于UV固化的黏合劑，可選的鍵合室蓋里具有UV源。山西鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

GEMINI®FB特征：

新的SmartView®NT3面-面結(jié)合對準(zhǔn)具有亞50納米晶片到晶片的對準(zhǔn)精度

多達(dá)六個(gè)預(yù)處理模塊,，例如：

清潔模塊

LowTemp?等離子基活模塊

對準(zhǔn)驗(yàn)證模塊

解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量

可選功能：

解鍵合模塊

熱壓鍵合模塊

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

200,、300毫米

蕞高處理模塊數(shù)：6+的SmartView

®NT

可選功能：

解鍵合模塊

熱壓鍵合模塊

EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng)，擴(kuò)展了現(xiàn)有標(biāo)準(zhǔn),，并擁有更高的生產(chǎn)率,，更高的對準(zhǔn)和涂敷精度，適用于諸如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)采用了新的SmartViewNT3鍵合對準(zhǔn)器,，該鍵合對準(zhǔn)器是專門為<50nm的熔融和混合晶片鍵合對準(zhǔn)要求而開發(fā)的,。 云南值得買鍵合機(jī)LowTemp?等離子基活模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB等離子基活，用于PAWB（等離子基活的晶圓鍵合）,。

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少,，鍵合效果很差,。本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題，提出一種基于采用Ti/Au作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝,，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題,。在對金層施加一定的壓力和溫度時(shí),，金層發(fā)生流動(dòng)、互融,，從而形成鍵合,。該過程對金的純度要求較高，即當(dāng)金層發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量,。

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷,，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上,。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間,，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度，即 363 ℃ ,， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子,，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài)，冷卻后形成良好的鍵合［12,，13］,。而光刻、深刻蝕、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響,。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合,，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn)。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場份額,，并且安裝的機(jī)臺已經(jīng)超過1500套,。

      一旦認(rèn)為模具有缺陷，墨水標(biāo)記就會滲出模具,，以便于視覺隔離,。典型的目標(biāo)是在100萬個(gè)管芯中，少于6個(gè)管芯將是有缺陷的,。還需要考慮其他因素,，因此可以優(yōu)化芯片恢復(fù)率。

      質(zhì)量體系確保模具的回收率很高,。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失,。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為了稍微簡化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,，不對邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本,。

      半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備，可以關(guān)注這里：EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī),。 EVG鍵合機(jī)通過控制溫度,，壓力，時(shí)間和氣體,，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。云南值得買鍵合機(jī)

EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢,？山西鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用

EVG®320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)

用途：自動(dòng)單晶片清洗系統(tǒng),，可有效去除顆粒

EVG320自動(dòng)化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動(dòng)處理晶圓和基板。機(jī)械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動(dòng)預(yù)對準(zhǔn)和裝載晶圓,。除了使用去離子水沖洗外,，配置選項(xiàng)還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗,。

特征

多達(dá)四個(gè)清潔站

全自動(dòng)盒帶間或FOUP到FOUP處理

可進(jìn)行雙面清潔的邊緣處理（可選）

使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔

先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷

防止從背面到正面的交叉污染

完全由軟件控制的清潔過程 山西鍵合機(jī)三維芯片應(yīng)用