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RF濾波器鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用

來(lái)源: 發(fā)布時(shí)間:2021-01-10

      一旦認(rèn)為模具有缺陷,墨水標(biāo)記就會(huì)滲出模具,,以便于視覺(jué)隔離,。典型的目標(biāo)是在100萬(wàn)個(gè)管芯中,少于6個(gè)管芯將是有缺陷的,。還需要考慮其他因素,,因此可以?xún)?yōu)化芯片恢復(fù)率。

      質(zhì)量體系確保模具的回收率很高,。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會(huì)部分丟失,。芯片上電路的實(shí)際生產(chǎn)需要時(shí)間和資源。為了稍微簡(jiǎn)化這種高度復(fù)雜的生產(chǎn)方法,,不對(duì)邊緣上的大多數(shù)模具進(jìn)行進(jìn)一步處理以節(jié)省時(shí)間和資源的總成本,。

      半導(dǎo)體晶圓的光刻和鍵合技術(shù)以及應(yīng)用設(shè)備,可以關(guān)注這里:EVG光刻機(jī)和鍵合機(jī),。 我們的服務(wù)包括通過(guò)安全的連接,,電話(huà)或電子郵件,對(duì)包括現(xiàn)場(chǎng)驗(yàn)證,,進(jìn)行實(shí)時(shí)遠(yuǎn)程診斷和設(shè)備/工藝排除故障,。RF濾波器鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用

二、EVG501晶圓鍵合機(jī)特征:

   帶有150 mm或200 mm加熱器的鍵合室

   獨(dú)特的壓力和溫度均勻性

   與EVG的機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器兼容

   靈活的設(shè)計(jì)和研究配置

     

從單芯片到晶圓   

各種工藝(共晶,,焊料,,TLP,直接鍵合)  

可選渦輪泵(<1E-5 mbar)  

可升級(jí)陽(yáng)極鍵合   

開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì),,便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)

兼容試生產(chǎn)需求:

同類(lèi)產(chǎn)品中的蕞低擁有成本

開(kāi)放式腔室設(shè)計(jì),,便于轉(zhuǎn)換和維護(hù)

蕞小占地面積的200 mm鍵合系統(tǒng):0.8㎡

程序與EVG HVM鍵合系統(tǒng)完全兼容


以上產(chǎn)品由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持。 **鍵合機(jī)有哪些品牌EVG鍵合機(jī)可配置為黏合劑,,陽(yáng)極,,直接/熔融,,玻璃料,焊料(包括共晶和瞬態(tài)液相)和金屬擴(kuò)散/熱壓縮工藝,。

鍵合卡盤(pán)承載來(lái)自對(duì)準(zhǔn)器對(duì)準(zhǔn)的晶圓堆疊,,以執(zhí)行隨后的鍵合過(guò)程??梢允褂眠m合每個(gè)通用鍵合室的**卡盤(pán)來(lái)處理各種尺寸的晶圓和鍵合應(yīng)用,。 EVG?501/EVG?510/EVG?520IS是用于研發(fā)的鍵合機(jī)。 晶圓鍵合類(lèi)型 ■陽(yáng)極鍵合 ■黏合劑鍵合 ■共熔鍵合 ■瞬間液相鍵合 ■熱壓鍵合 EVG鍵合機(jī)特征 ■基底高達(dá)200mm ■壓力高達(dá)100kN ■溫度高達(dá)550°C ■真空氣壓低至1·10-6mbar ■可選:陽(yáng)極,,UV固化,,650℃加熱器 EVG鍵合機(jī)加工服務(wù) EVG設(shè)備的晶圓加工服務(wù)包含如下: ■等離子活化直接鍵合 ■ComBond? -硅和化合物半導(dǎo)體的導(dǎo)電鍵合 ■高真空對(duì)準(zhǔn)鍵合 ■臨時(shí)鍵合和熱、機(jī)械或者激光剖離 ■混合鍵合 ■黏合劑鍵合 ■集體D2W鍵合

EVG®520IS晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng):

單腔或雙腔晶圓鍵合系統(tǒng),,用于小批量生產(chǎn),。

EVG520IS單腔單元可半自動(dòng)操作蕞大200mm的晶圓,適用于小批量生產(chǎn)應(yīng)用,。EVG520IS根據(jù)客戶(hù)反饋和EVGroup的持續(xù)技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)行了重新設(shè)計(jì),,具有EVGroup專(zhuān)有的對(duì)稱(chēng)快速加熱和冷卻卡盤(pán)設(shè)計(jì)。諸如**的頂側(cè)和底側(cè)加熱器,,高壓鍵合能力以及與手動(dòng)系統(tǒng)相同的材料和工藝靈活性等優(yōu)勢(shì),,為所有晶圓鍵合工藝的成功做出了貢獻(xiàn)。

特征:

全自動(dòng)處理,,手動(dòng)裝卸,,包括外部冷卻站

兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對(duì)準(zhǔn)器

單室或雙室自動(dòng)化系統(tǒng)

全自動(dòng)的鍵合工藝執(zhí)行和鍵合蓋移動(dòng)

集成式冷卻站可實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量

選項(xiàng):

高真空能力(1E-6毫巴)

可編程質(zhì)量流量控制器

集成冷卻

技術(shù)數(shù)據(jù)

蕞大接觸力

10、20,、60,、100kN

加熱器尺寸150毫米200毫米

蕞小基板尺寸單芯片100毫米

真空

標(biāo)準(zhǔn):1E-5mbar

可選:1E-6mbar GEMINI FB XT采用了新的Smart View NT3鍵合對(duì)準(zhǔn)器,是專(zhuān)門(mén)為<50 nm的熔融和混合晶片鍵合對(duì)準(zhǔn)要求而開(kāi)發(fā)的,。

EVG的晶圓鍵合機(jī)鍵合室配有通用鍵合蓋,,可快速排空,快速加熱和冷卻,。通過(guò)控制溫度,,壓力,時(shí)間和氣體,,允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過(guò)程,。也可以通過(guò)添加電源來(lái)執(zhí)行陽(yáng)極鍵合。對(duì)于UV固化黏合劑,,可選的鍵合室蓋具有UV源,。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行。頂部和底部晶片的**溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),從而實(shí)現(xiàn)無(wú)應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性,。在不需要重新配置硬件的情況下,可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB(硅的直接鍵合)預(yù)鍵合,。


以上的鍵合機(jī)由岱美儀器供應(yīng)并提供技術(shù)支持,。 EVG500系列鍵合機(jī)是基于獨(dú)特模塊化鍵合室設(shè)計(jì),能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡(jiǎn)單技術(shù)轉(zhuǎn)換,。熔融鍵合鍵合機(jī)美元價(jià)格

EVG所有鍵合機(jī)系統(tǒng)都可以通過(guò)遠(yuǎn)程通信的,。RF濾波器鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用

Abouie M 等人[4]針對(duì)金—硅共晶鍵合過(guò)程中凹坑對(duì)鍵合質(zhì)量的影響展開(kāi)研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,,但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大,。康興華等人[5]加工了簡(jiǎn)單的多層硅—硅結(jié)構(gòu),,但不涉及對(duì)準(zhǔn)問(wèn)題,,實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對(duì) MEMS 器件進(jìn)行了圓片級(jí)封裝[6],,其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理,。袁星等人[7]對(duì)帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕,、清洗等對(duì)硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,,故其鍵合工藝限制較大。RF濾波器鍵合機(jī)芯片堆疊應(yīng)用

岱美儀器技術(shù)服務(wù)(上海)有限公司位于中國(guó)(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)加太路39號(hào)第五層六十五部位,。公司業(yè)務(wù)涵蓋磁記錄,,半導(dǎo)體,光通訊生產(chǎn),,測(cè)試儀器的批發(fā)等,,價(jià)格合理,品質(zhì)有保證,。公司注重以質(zhì)量為中心,,以服務(wù)為理念,秉持誠(chéng)信為本的理念,,打造儀器儀表良好品牌,。在社會(huì)各界的鼎力支持下,持續(xù)創(chuàng)新,,不斷鑄造高品質(zhì)服務(wù)體驗(yàn),,為客戶(hù)成功提供堅(jiān)實(shí)有力的支持。