共晶鍵合［8,，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),，以其作為中間鍵合介質(zhì)層,，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn)。因此,，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,，通常有鋁,、金、鈦,、鉻,、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好,，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用,， 可以阻止金向硅中擴(kuò)散［10，11］,。Smart View?NT-適用于GEMINI和GEMINI FB,，讓晶圓在晶圓鍵合之前進(jìn)行晶圓對準(zhǔn)。進(jìn)口鍵合機(jī)學(xué)校會(huì)用嗎

完美的多用戶概念（無限數(shù)量的用戶帳戶,，各種訪問權(quán)限,，不同的用戶界面語言） 桌面系統(tǒng)設(shè)計(jì)，占用空間蕞小 支持紅外對準(zhǔn)過程 EVG?610BA鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機(jī)架：可選 隔振：被動(dòng) 對準(zhǔn)方法 背面對準(zhǔn)：±2μm3σ 透明對準(zhǔn)：±1μm3σ 紅外校準(zhǔn)：選件 對準(zhǔn)階段 精密千分尺：手動(dòng) 可選：電動(dòng)千分尺 楔形補(bǔ)償：自動(dòng) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸：2英寸,，3英寸,，100毫米,，150毫米，200毫米 厚度：0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度：10毫米 自動(dòng)對準(zhǔn) 可選的 處理系統(tǒng) 標(biāo)準(zhǔn)：2個(gè)卡帶站 可選：蕞多5個(gè)站中國香港GEMINI FB鍵合機(jī)自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng)EVG?560,，擁有多達(dá)4個(gè)鍵合室,，能滿足各種鍵合操作；可以自動(dòng)裝卸鍵合室和冷卻站,。

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)）,，超音速噴嘴，超音速面積傳感器,，噴嘴,，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)），NH4OH和H2O2（蕞/大）,。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持

EVG®805解鍵合系統(tǒng)用途：薄晶圓解鍵合。

EVG805是半自動(dòng)系統(tǒng),，用于剝離臨時(shí)鍵合和加工過的晶圓疊層,，該疊層由器件晶圓，載體晶圓和中間臨時(shí)鍵合膠組成,。該工具支持熱剝離或機(jī)械剝離,。可以將薄晶圓卸載到單個(gè)基板載體上,，以在工具之間安全可靠地運(yùn)輸,。

特征：

開放式膠粘劑平臺(tái)

解鍵合選項(xiàng)：

熱滑解鍵合

解鍵合

機(jī)械解鍵合

程序控制系統(tǒng)

實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過程參數(shù)

薄晶圓處理的獨(dú)特功能

多種卡盤設(shè)計(jì)，可支撐蕞大300mm的晶圓/基板和載體

高形貌的晶圓處理

技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）

晶片蕞大300mm

高達(dá)12英寸的薄膜

組態(tài)

1個(gè)解鍵合模塊

選件

紫外線輔助解鍵合

高形貌的晶圓處理

不同基板尺寸的橋接能力 EVG鍵合機(jī)通過在高真空,，精確控制的真空,、溫度或高壓條件下鍵合，可以滿足各種苛刻的應(yīng)用,。

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,，***用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結(jié)合將兩個(gè)表面密封在一起,。這種鍵合技術(shù)蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上,。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合,，與大多數(shù)其他鍵合技術(shù)不同,，它通常不需要中間層，但不同之處在于,，它依賴于當(dāng)離子運(yùn)動(dòng)時(shí)表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓,。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上。但是,，它特別適用于硅玻璃粘接,。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉），以提供可移動(dòng)的正離子,。通常使用一種特定類型的玻璃,，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）。 EVG鍵合機(jī)鍵合卡盤承載來自對準(zhǔn)器對準(zhǔn)的晶圓堆疊,，用來執(zhí)行隨后的鍵合過程,。EVG850 TB鍵合機(jī)聯(lián)系電話

EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢,？進(jìn)口鍵合機(jī)學(xué)校會(huì)用嗎

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究,，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成，但非晶硅的實(shí)際應(yīng)用限制較大,?？蹬d華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結(jié)構(gòu)，但不涉及對準(zhǔn)問題,，實(shí)際應(yīng)用的價(jià)值較小,。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術(shù)對 MEMS 器件進(jìn)行了圓片級封裝［6］，其鍵合強(qiáng)度可以達(dá)到 36 MPa,，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,，不適用一些敏感器件的封裝處理。袁星等人［7]對帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅直接鍵合進(jìn)行了研究,，但其硅片不涉及光刻,、深刻蝕、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,，故其鍵合工藝限制較大,。進(jìn)口鍵合機(jī)學(xué)校會(huì)用嗎

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司坐落在中國(上海)自由貿(mào)易試驗(yàn)區(qū)加太路39號第五層六十五部位，是一家專業(yè)的磁記錄,、半導(dǎo)體,、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口,、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù),，國際貿(mào)易、轉(zhuǎn)口貿(mào)易,，商務(wù)信息咨詢服務(wù),。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)】磁記錄,、半導(dǎo)體,、光通訊生產(chǎn)及測試儀器的批發(fā)、進(jìn)出口,、傭金代理（拍賣除外）及其相關(guān)配套服務(wù),，國際貿(mào)易,、轉(zhuǎn)口貿(mào)易，商務(wù)信息咨詢服務(wù),。 【依法須經(jīng)批準(zhǔn)的項(xiàng)目,，經(jīng)相關(guān)部門批準(zhǔn)后方可開展經(jīng)營活動(dòng)】公司。公司目前擁有較多的高技術(shù)人才,，以不斷增強(qiáng)企業(yè)重點(diǎn)競爭力,，加快企業(yè)技術(shù)創(chuàng)新，實(shí)現(xiàn)穩(wěn)健生產(chǎn)經(jīng)營,。岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司主營業(yè)務(wù)涵蓋磁記錄,，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn),，測試儀器的批發(fā),，堅(jiān)持“質(zhì)量保證、良好服務(wù),、顧客滿意”的質(zhì)量方針,，贏得廣大客戶的支持和信賴。一直以來公司堅(jiān)持以客戶為中心,、磁記錄,，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn),，測試儀器的批發(fā)市場為導(dǎo)向,，重信譽(yù)，保質(zhì)量,，想客戶之所想,，急用戶之所急，全力以赴滿足客戶的一切需要,。