封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,，已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術［1］,。實現(xiàn)封裝的技術手段很多，其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝,。隨著 MEMS 技術的發(fā)展,，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,，SDB)  技術［2］,。由于表面有微結構的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷，其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,，要進行復雜的拋光處理,，這**加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率［3］。EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合,。浙江鍵合機美元價

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,，***用于微電子工業(yè)中，利用熱量和靜電場的結合將兩個表面密封在一起,。這種鍵合技術蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上,。也稱為場輔助鍵合或靜電密封，它類似于直接鍵合,，與大多數(shù)其他鍵合技術不同,，它通常不需要中間層，但不同之處在于,，它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓,。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上，并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上,。但是,，它特別適用于硅玻璃粘接。玻璃需要具有高含量的堿金屬（例如鈉）,，以提供可移動的正離子,。通常使用一種特定類型的玻璃，其中包含約3.5％的氧化鈉（Na 2 O）,。 山東實際價格鍵合機EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產(chǎn)系統(tǒng),，同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能,。

Abouie M 等人［4］針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質(zhì)量的影響展開研究，提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,，但非晶硅的實際應用限制較大,。康興華等人［5］加工了簡單的多層硅—硅結構,，但不涉及對準問題,，實際應用的價值較小。陳穎慧等人［6］以金— 硅共晶鍵合技術對 MEMS 器件進行了圓片級封裝［6］,，其鍵合強度可以達到 36 MPa,，但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想，不適用一些敏感器件的封裝處理,。袁星等人［7]對帶有微結構的硅—硅直接鍵合進行了研究,，但其硅片不涉及光刻、深刻蝕,、清洗等對硅片表面質(zhì)量影響較大的工藝,，故其鍵合工藝限制較大。

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),，可處理從單芯片到150 mm（200 mm鍵合室的情況下為200 mm）的基片,。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝，如陽極,，玻璃料，焊料,，共晶,，瞬態(tài)液相和直接鍵合。易于操作的鍵合室和工具設計,，讓用戶能快速,，輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝，轉(zhuǎn)換時間小于5分鐘,。這種多功能性非常適合大學,，研發(fā)機構或小批量生產(chǎn)。鍵合室的基本設計在EVG的HVM（量產(chǎn)）工具上是相同的,，例如GEMINI,，鍵合程序很容易轉(zhuǎn)移，這樣可以輕松擴大生產(chǎn)量,。EVG服務：高真空對準鍵合,、集體D2W鍵合、臨時鍵合和熱,、混合鍵合,、機械或者激光剖離,、黏合劑鍵合。

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要,。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作,。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合，材料和表面特征利于鍵合,，但為了與夾層結合,，鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質(zhì)。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計,，注重用戶友好性,，并可輕松引導操作員完成每個流程步驟。多語言支持,，單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復,，可以簡化用戶的日常操作。所有EVG系統(tǒng)都可以遠程通信,。因此,，我們的服務包括通過安全連接，電話或電子郵件,，對包括經(jīng)過現(xiàn)場驗證的,，實時遠程診斷和排除故障。EVG經(jīng)驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持,，這得益于我們分布于全球的支持結構,，包括三大洲的潔凈室空間：歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).EVG的GEMINI系列是自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)。山西鍵合機技術服務

自動晶圓鍵合機系統(tǒng)EVG?560,，擁有多達4個鍵合室,，能滿足各種鍵合操作；可以自動裝卸鍵合室和冷卻站,。浙江鍵合機美元價

EV Group開發(fā)了MLE?（無掩模曝光）技術,，通過消 除與掩模相關的困難和成本，滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關鍵要求,。 MLE?解決了多功能（但緩慢）的開發(fā)設備與快 速（但不靈活）的生產(chǎn)之間的干擾,。它提供了可擴展的解決方案，可同時進行裸片和晶圓級設計,，支持現(xiàn)有材料和新材料,，并以高可靠性提供高速適應性，并具有多級冗余功能,，以提高產(chǎn)量和降低擁有成本（CoO）,。

EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求，而且還滿足MEMS,，生 物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求,。 浙江鍵合機美元價

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