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來源: 發(fā)布時間:2021-05-10

封裝技術對微機電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,已成為 MEMS技術發(fā)展和實用化的關鍵技術[1],。實現封裝的技術手段很多,,其中較關鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術的發(fā)展,,越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結構的硅片鍵合,,然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding,SDB)  技術[2],。由于表面有微結構的硅片界面已經受到極大的損傷,,其平整度和光滑度遠遠達不到SDB的要求,要進行復雜的拋光處理,,這**加大了工藝的復雜性和降低了器件的成品率[3],。EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于GEMINI支持UV固化的粘合劑鍵合。浙江鍵合機美元價

陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,,***用于微電子工業(yè)中,,利用熱量和靜電場的結合將兩個表面密封在一起。這種鍵合技術蕞常用于將玻璃層密封到硅晶圓上,。也稱為場輔助鍵合或靜電密封,,它類似于直接鍵合,與大多數其他鍵合技術不同,,它通常不需要中間層,,但不同之處在于,它依賴于當離子運動時表面之間的靜電吸引對組件施加高電壓,。

      可以使用陽極鍵合將金屬鍵合到玻璃上,,并使用玻璃的薄中間層將硅鍵合到硅上,。但是,它特別適用于硅玻璃粘接,。玻璃需要具有高含量的堿金屬(例如鈉),,以提供可移動的正離子。通常使用一種特定類型的玻璃,,其中包含約3.5%的氧化鈉(Na 2 O)。 山東實際價格鍵合機EVG的GEMINI系列是頂及大批量生產系統(tǒng),,同時結合了自動光學對準和鍵合操作功能,。

Abouie M 等人[4]針對金—硅共晶鍵合過程中凹坑對鍵合質量的影響展開研究,提出一種以非晶硅為基材的金—硅共晶鍵合工藝以減少凹坑的形成,,但非晶硅的實際應用限制較大,。康興華等人[5]加工了簡單的多層硅—硅結構,,但不涉及對準問題,,實際應用的價值較小。陳穎慧等人[6]以金— 硅共晶鍵合技術對 MEMS 器件進行了圓片級封裝[6],,其鍵合強度可以達到 36 MPa,,但鍵合面積以及鍵合密封性不太理想,不適用一些敏感器件的封裝處理,。袁星等人[7]對帶有微結構的硅—硅直接鍵合進行了研究,,但其硅片不涉及光刻、深刻蝕,、清洗等對硅片表面質量影響較大的工藝,,故其鍵合工藝限制較大。

EVG501是一種高度靈活的晶圓鍵合系統(tǒng),,可處理從單芯片到150 mm(200 mm鍵合室的情況下為200 mm)的基片,。該工具支持所有常見的晶圓鍵合工藝,如陽極,,玻璃料,,焊料,共晶,,瞬態(tài)液相和直接鍵合,。易于操作的鍵合室和工具設計,讓用戶能快速,,輕松地重新裝配不同的晶圓尺寸和工藝,,轉換時間小于5分鐘。這種多功能性非常適合大學,,研發(fā)機構或小批量生產,。鍵合室的基本設計在EVG的HVM(量產)工具上是相同的,,例如GEMINI,鍵合程序很容易轉移,,這樣可以輕松擴大生產量,。EVG服務:高真空對準鍵合、集體D2W鍵合,、臨時鍵合和熱,、混合鍵合、機械或者激光剖離,、黏合劑鍵合,。

EVG 晶圓鍵合機上的鍵合過程 支持全系列晶圓鍵合工藝對于當今和未來的器件制造是至關重要。鍵合方法的一般分類是有或沒有夾層的鍵合操作,。雖然對于無夾層鍵合(直接鍵合,,材料和表面特征利于鍵合,但為了與夾層結合,,鍵合材料的沉積和組成決定了鍵合線的材質,。 EVG 鍵合機軟件支持 基于Windows的圖形用戶界面的設計,注重用戶友好性,,并可輕松引導操作員完成每個流程步驟,。多語言支持,單個用戶帳戶設置和集成錯誤記錄/報告和恢復,,可以簡化用戶的日常操作,。所有EVG系統(tǒng)都可以遠程通信。因此,,我們的服務包括通過安全連接,,電話或電子郵件,對包括經過現場驗證的,,實時遠程診斷和排除故障,。EVG經驗豐富的工藝工程師隨時準備為您提供支持,這得益于我們分布于全球的支持結構,,包括三大洲的潔凈室空間:歐洲 (HQ), 亞洲 (日本) 和北美 (美國).EVG的GEMINI系列是自動化生產晶圓鍵合系統(tǒng),。山西鍵合機技術服務

自動晶圓鍵合機系統(tǒng)EVG?560,擁有多達4個鍵合室,,能滿足各種鍵合操作,;可以自動裝卸鍵合室和冷卻站。浙江鍵合機美元價

EV Group開發(fā)了MLE?(無掩模曝光)技術,,通過消 除與掩模相關的困難和成本,,滿足了HVM世界中設計靈活性和蕞小開發(fā)周期的關鍵要求。 MLE?解決了多功能(但緩慢)的開發(fā)設備與快 速(但不靈活)的生產之間的干擾,。它提供了可擴展的解決方案,,可同時進行裸片和晶圓級設計,,支持現有材料和新材料,并以高可靠性提供高速適應性,,并具有多級冗余功能,,以提高產量和降低擁有成本(CoO)。

EVG的MLE?無掩模曝光光刻技術不僅滿足先進封裝中后端光刻的關鍵要求,,而且還滿足MEMS,,生 物醫(yī)學和印刷電路板制造的要求。 浙江鍵合機美元價

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