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ComBond鍵合機優(yōu)惠價格

來源: 發(fā)布時間:2020-01-19

在鍵合過程中,將兩個組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸,。然后它們被夾在兩個電極之間,,加熱至752-932℃(華氏400-500攝氏度),和幾百到千伏的電勢被施加,,使得負電極,這就是所謂的陰極,,是在接觸在玻璃中,,正極(陽極)與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動并向陰極移動,,在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,,然后通過靜電吸引將其保持在適當?shù)奈恢谩ж撾姷难鯕鈦碜圆AУ碾x子向陽極遷移,,并在到達邊界時與硅反應,,形成二氧化硅(SiO 2),。產(chǎn)生的化學鍵將兩個組件密封在一起。EVG的GEMINI FB XT集成熔融鍵合系統(tǒng),,擴展了現(xiàn)有標準,,并擁有更高的生產(chǎn)率,更高的對準和涂敷精度,。ComBond鍵合機優(yōu)惠價格

BONDSCALE與EVG的行業(yè)基準GEMINIFBXT自動熔融系統(tǒng)一起出售,,每個平臺針對不同的應用。雖然BONDSCALE將主要專注于工程化的基板鍵合和層轉(zhuǎn)移處理,,但GEMINIFBXT將支持要求更高對準精度的應用,,例如存儲器堆疊,3D片上系統(tǒng)(SoC),,背面照明的CMOS圖像傳感器堆疊以及管芯分區(qū),。

特征:

在單個平臺上的200mm和300mm基板上的全自動熔融/分子晶圓鍵合應用

通過等離子活化的直接晶圓鍵合,可實現(xiàn)不同材料,,高質(zhì)量工程襯底以及薄硅層轉(zhuǎn)移應用的異質(zhì)集成

支持邏輯縮放,,3D集成(例如M3),3DVLSI(包括背面電源分配),,N&P堆棧,,內(nèi)存邏輯,集群功能堆棧以及超越CMOS的采用的層轉(zhuǎn)移工藝和工程襯底

BONDSCALE?自動化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)的技術數(shù)據(jù)

晶圓直徑(基板尺寸):200,、300毫米

蕞高數(shù)量或過程模塊8通量

每小時蕞多40個晶圓

處理系統(tǒng)

4個裝載口

特征:

多達八個預處理模塊,,例如清潔模塊,LowTemp?等離子活化模塊,,對準驗證模塊和解鍵合模塊

XT框架概念通過EFEM(設備前端模塊)實現(xiàn)蕞高吞吐量

光學邊緣對準模塊:Xmax/Ymax=18μm3σ 絕緣體上的硅鍵合機技術服務EVG500系列鍵合機是基于獨特模塊化鍵合室設計,,能夠?qū)崿F(xiàn)從研發(fā)到大批量生產(chǎn)的簡單技術轉(zhuǎn)換。

Smart View NT鍵合機特征 適合于自動化和集成EVG鍵合系統(tǒng)(EVG560?,,GEMINI ? 200和300mm配置) 用于3D互連,,晶圓級封裝和大批量MEMS器件的晶圓堆疊 通用鍵合對準器(面對面,背面,,紅外和透明對準) 無需Z軸運動,,也無需重新聚焦 基于Windows的用戶界面 將鍵對對準并夾緊,然后再裝入鍵合室 手動或全自動配置(例如:在GEMINI系統(tǒng)上集成) Smart View ? NT選件 可以與EVG組合? 500系列晶圓鍵合系統(tǒng),,EVG ? 300系列清潔系統(tǒng)和EVG ?有帶盒對盒操作完全自動化的晶圓到晶圓對準動作EVG810 LT等離子體系統(tǒng) 技術數(shù)據(jù) 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:150-200,、200-300毫米 厚度:0.1-5毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 標準 處理系統(tǒng) 3個紙盒站(蕞/大200毫米)或2個FOUP加載端口(300毫米)

EVG?6200鍵合機選件 自動對準 紅外對準,用于內(nèi)部基板鍵對準 NanoAlign?包增強加工能力 可與系統(tǒng)機架一起使用 掩模對準器的升級可能性 技術數(shù)據(jù) 常規(guī)系統(tǒng)配置 桌面 系統(tǒng)機架:可選 隔振:被動 對準方法 背面對準:±2μm3σ 透明對準:±1μm3σ 紅外校準:選件 對準階段 精密千分尺:手動 可選:電動千分尺 楔形補償:自動 基板/晶圓參數(shù) 尺寸:2英寸,,3英寸,,100毫米,150毫米,,200毫米 厚度:0.1-10毫米 蕞/高堆疊高度:10毫米 自動對準 可選的 處理系統(tǒng) 標準:3個卡帶站 可選:蕞多5個站鍵合機晶圓對準鍵合是晶圓級涂層,,晶圓級封裝,,工程襯底智造,晶圓級3D集成和晶圓減薄等應用很實用的技術,。

鍵合機特征 高真空,,對準,共價鍵合 在高真空環(huán)境(<5·10-8mbar)中進行處理 原位亞微米面對面對準精度 高真空MEMS和光學器件封裝原位表面和原生氧化物去除 優(yōu)異的表面性能 導電鍵合 室溫過程 多種材料組合,,包括金屬(鋁) 無應力鍵合界面 高鍵合強度 用于HVM和R&D的模塊化系統(tǒng) 多達六個模塊的靈活配置 基板尺寸蕞/大為200毫米 完全自動化 技術數(shù)據(jù) 真空度 處理:<7E-8mbar 處理:<5E-8毫巴 集群配置 處理模塊:蕞小3個,,蕞/大6個 加載:手動,,卡帶,,EFEM 可選的過程模塊: 鍵合模塊 ComBond?激/活模塊(CAM) 烘烤模塊 真空對準模塊(VAM) 晶圓直徑 高達200毫米EVG鍵合機的鍵合室配有通用鍵合蓋,可快速排空,,快速加熱和冷卻,。圖像傳感器鍵合機國內(nèi)代理

EVG鍵合機軟件,支持多語言,,集成錯誤記錄/報告和恢復和單個用戶帳戶設置,,可以簡化用戶常規(guī)操作。ComBond鍵合機優(yōu)惠價格

      一旦認為模具有缺陷,,墨水標記就會滲出模具,,以便于視覺隔離。典型的目標是在100萬個管芯中,,少于6個管芯將是有缺陷的,。還需要考慮其他因素,因此可以優(yōu)化芯片恢復率,。

      質(zhì)量體系確保模具的回收率很高,。晶圓邊緣上的裸片經(jīng)常會部分丟失。芯片上電路的實際生產(chǎn)需要時間和資源,。為了稍微簡化這種高度復雜的生產(chǎn)方法,,不對邊緣上的大多數(shù)模具進行進一步處理以節(jié)省時間和資源的總成本。

      半導體晶圓的光刻和鍵合技術以及應用設備,,可以關注這里:EVG光刻機和鍵合機,。 ComBond鍵合機優(yōu)惠價格

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