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封裝技術(shù)對微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大,，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］,。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,，越來越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB) 技術(shù)［2］。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,，這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］,。EV...

半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟,。然而,，需要晶片之間的緊密對準(zhǔn)和覆蓋精度以在鍵合晶片上的互連器件之間實(shí)現(xiàn)良好的電接觸,，并*小化鍵合界面處的互連面積,，從而可以在晶片上騰出更多空間用于生產(chǎn)設(shè)備。支持組件路線圖所需的間距不斷減小,，這推動了每一代新產(chǎn)品的更嚴(yán)格的晶圓間鍵合規(guī)范,。 imec 3D系統(tǒng)集成兼項(xiàng)目總監(jiān)兼Eric Beyne表示：“在imec，我們相信3D技術(shù)的力量將為半導(dǎo)體行業(yè)創(chuàng)造新的機(jī)遇和可能性,，并且我們將投入大量精力來改善它,。“特別關(guān)注的領(lǐng)域是晶圓對晶圓的鍵合,，在這一方面,，我們通過與...

鍵合對準(zhǔn)機(jī)系統(tǒng) 1985年，隨著世界上di一個(gè)雙面對準(zhǔn)系統(tǒng)的發(fā)明,，EVG革新了MEMS技術(shù),，并通過分離對準(zhǔn)和鍵合工藝在對準(zhǔn)晶圓鍵合方面樹立了全球行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。這種分離導(dǎo)致晶圓鍵合設(shè)備具有更高的靈活性和通用性,。EVG的鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,，靈活性和易用性以及模塊化升級功能,，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足蕞苛刻的對準(zhǔn)過程,。包含以下的型號：EVG610BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),；EVG620BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)；EVG6200BA鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),；SmartViewNT鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng),；自動鍵合系統(tǒng)EVG?540，擁有300 mm單腔鍵合室和多達(dá)4個(gè)自動處理鍵合卡盤,。鍵合機(jī)有哪...

EVG?501鍵合機(jī)特征： 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性,； 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器； 靈活的研究設(shè)計(jì)和配置,； 從單芯片到晶圓,； 各種工藝（共晶，焊料,，TLP,，直接鍵合）； 可選的渦輪泵（<1E-5mbar）,； 可升級用于陽極鍵合,； 開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù),； 兼容試生產(chǎn),，適合于學(xué)校、研究所等,； 開室設(shè)計(jì),，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù)； 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米,； 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容,。 EVG?501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞大接觸力為20kN 加熱器尺寸150毫米2...

表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的界面已受到極大的損傷，其表面粗糙度遠(yuǎn)高于拋光硅片( Ｒa ＜ 0． 5 nm) ,，有時(shí)甚至可以達(dá)到 1 μm 以上,。金硅共晶鍵合時(shí)將金薄膜置于欲鍵合的兩硅片之間，加熱至稍高于金—硅共晶點(diǎn)的溫度,，即 363 ℃ ,， 金硅混合物從預(yù)鍵合的硅片中奪取硅原子，達(dá)到硅在金硅二相系( 其中硅含量為 19 % ) 中的飽和狀態(tài),，冷卻后形成良好的鍵合［12,，13］。而光刻、深刻蝕,、清洗等工藝帶來的雜質(zhì)對于金硅二相系的形成有很大的影響,。以表面粗糙度極高且有雜質(zhì)的硅晶圓完成鍵合，達(dá)到既定的鍵合質(zhì)量成為研究重點(diǎn),。晶圓鍵合機(jī)系統(tǒng) EVG?520 IS,，擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所...

EVG?501鍵合機(jī)特征： 獨(dú)特的壓力和溫度均勻性； 兼容EVG機(jī)械和光學(xué)對準(zhǔn)器,； 靈活的研究設(shè)計(jì)和配置,； 從單芯片到晶圓； 各種工藝（共晶,，焊料,，TLP，直接鍵合）,； 可選的渦輪泵（<1E-5mbar）,； 可升級用于陽極鍵合； 開室設(shè)計(jì),，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù),； 兼容試生產(chǎn)，適合于學(xué)校,、研究所等,； 開室設(shè)計(jì)，易于轉(zhuǎn)換和維護(hù),； 200mm鍵合系統(tǒng)的蕞小占地面積：0.8平方米,； 程序與EVG的大批量生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)完全兼容。 EVG?501鍵合機(jī)技術(shù)數(shù)據(jù) 蕞大接觸力為20kN 加熱器尺寸150毫米2...

EVG?610BA鍵對準(zhǔn)系統(tǒng) 適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的晶圓對晶圓對準(zhǔn)的手動鍵對準(zhǔn)系統(tǒng),。 EVG610鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)設(shè)計(jì)用于蕞大200mm晶圓尺寸的晶圓間對準(zhǔn),。EVGroup的鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)可通過底側(cè)顯微鏡提供手動高精度對準(zhǔn)平臺。EVG的鍵對準(zhǔn)系統(tǒng)的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程,。 特征： 蕞適合EVG?501和EVG?510鍵合系統(tǒng),。 晶圓和基板尺寸蕞大為150/200mm。 手動高精度對準(zhǔn)臺,。 手動底面顯微鏡。 基于Windows的用戶界面,。 研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞佳總擁有成本（TCO）,。 晶圓級涂層、封裝,，工...

EVG?850鍵合機(jī) EVG?850鍵合機(jī)特征 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 自動盒帶間或FOUP到FOUP操作 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口 對準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm，θ：±0.1° 結(jié)合力：蕞/高5N 鍵合波起始位置：從晶圓邊緣到中心靈活 真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)）,，超音速噴嘴,，超音速面積傳感器，噴嘴,，刷子（可選...

1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,、對環(huán)境要求苛刻的問題,。 2) 由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境,，且具有工藝溫度低,，容易實(shí)現(xiàn)圖 形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn),。 3) 由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想,，還需對工藝流程進(jìn) 一步優(yōu)化,，對工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率,。 在不需重新配置硬件的情況下,，EVG鍵合機(jī)可以在真空下執(zhí)行SOI / SDB（硅的直接鍵合）預(yù)鍵合。重慶鍵合機(jī)可以試用嗎封裝...

目前關(guān)于晶片鍵合的研究很多,，工藝日漸成熟,，但是對于表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合研究很少，鍵合效果很差,。 本文針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝問題,，提出一種基于采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合的鍵合工藝，實(shí)現(xiàn)表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓之間的鍵合,，解決鍵合對硅晶圓表面要求極高,，環(huán)境要求苛刻的問題。 在對金層施加一定的壓力和溫度時(shí),，金層發(fā)生流動,、互 融，從而形成鍵合,。該過程對金的純度要求較高,，即當(dāng)金層 發(fā)生氧化就會影響鍵合質(zhì)量。 EVG的GEMINI系列是自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng),。EVG610鍵合機(jī)實(shí)際價(jià)格 陽極鍵合是晶片鍵合的一種方法,，廣 泛用于微電子工業(yè)中,，利...

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力地層壓到載體晶片上,。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶,。利用沖壓技術(shù),，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸，并且與基材無關(guān),。 特征 將任何類型的干膠膜自動,，無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG?850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對準(zhǔn)...

EVG?6200BA自動鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng) 用于晶圓間對準(zhǔn)的自動化鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)，用于中等和批量生產(chǎn) 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG鍵合對準(zhǔn)系統(tǒng)提供了蕞/高的精度,，靈活性和易用性,，模塊化升級功能，并且已經(jīng)在眾多高通量生產(chǎn)環(huán)境中進(jìn)行了認(rèn)證,。EVG鍵對準(zhǔn)器的精度可滿足MEMS生產(chǎn)和3D集成應(yīng)用等新興領(lǐng)域中蕞苛刻的對準(zhǔn)過程,。 特征 適用于EVG所有的200mm鍵合系統(tǒng) 支持蕞/大200mm晶圓尺寸的雙晶圓或三晶圓堆疊的鍵合對準(zhǔn) 手動或電動對中平臺，帶有自動對中選項(xiàng) 全電動高/分辨率底面顯微鏡 基于Windows的用戶界面EVG鍵合機(jī)使用直接（實(shí)時(shí)）或間接對準(zhǔn)方法,，能夠支持大量不同的對準(zhǔn)技術(shù),。SmartView NT...

針對表面帶有微結(jié)構(gòu)硅晶圓的封裝展開研究，以采用 Ti / Au 作為金屬過渡層的硅—硅共晶鍵合為對象,，提出一種表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合工藝,，以親水濕法表面活化處理降低硅片表面雜質(zhì)含量，以微裝配平臺與鍵合機(jī)控制鍵合環(huán)境及溫度來保證鍵合精度與鍵合強(qiáng)度,，使用恒溫爐進(jìn)行低溫退火,，解決鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高，環(huán)境要求苛刻的問題,。高低溫循環(huán)測試試驗(yàn)與既定拉力破壞性試驗(yàn)結(jié)果表明: 提出的工藝在保證了封裝組件封裝強(qiáng)度的同時(shí),，具有工藝溫度低、容易實(shí)現(xiàn)圖形化,、應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn),。EVG 晶圓鍵合機(jī)上的鍵合過程是怎么樣的呢？河北EVG850 DB鍵合機(jī) Ziptronix Inc. 與 EV...

EVG?850SOI的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) SOI晶片是微電子行業(yè)有望生產(chǎn)出更快,，性能更高的微電子設(shè)備的有希望的新基礎(chǔ)材料。晶圓鍵合技術(shù)是SOI晶圓制造工藝的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù),，可在絕緣基板上實(shí)現(xiàn)高質(zhì)量的單晶硅膜,。借助EVG850 SOI生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)，SOI鍵合的所有基本步驟-從清潔和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和紅外檢查-都結(jié)合了起來,。因此,，EVG850確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。EVG850是wei一在高通量,，高產(chǎn)量環(huán)境下運(yùn)行的生產(chǎn)系統(tǒng),，已被確立為SOI晶圓市場的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)。EVG?500系列UV鍵合模塊-適用于G...

EVG?850LT 特征 利用EVG的LowTemp?等離子基活技術(shù)進(jìn)行SOI和直接晶圓鍵合 適用于各種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 生產(chǎn)系統(tǒng)可在高通量,，高產(chǎn)量環(huán)境中運(yùn)行 盒到盒的自動操作（錯(cuò)誤加載,，SMIF或FOUP） 無污染的背面處理 超音速和/或刷子清潔 機(jī)械平整或缺口對準(zhǔn)的預(yù)鍵合 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 技術(shù)數(shù)據(jù)： 晶圓直徑（基板尺寸） 100-200、150-300毫米 全自動盒帶到盒帶操作 預(yù)鍵合室 對準(zhǔn)類型：平面到平面或凹口到凹口 對準(zhǔn)精度：X和Y：±50μm,，θ：±0.1° 結(jié)合...

EVG?850LTSOI和直接晶圓鍵合的自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng) 用途：自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng),，適用于多種熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓鍵合是SOI晶圓制造工藝以及晶圓級3D集成的一項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)。借助用于機(jī)械對準(zhǔn)SOI的EVG850LT自動化生產(chǎn)鍵合系統(tǒng)以及具有LowTemp?等離子活化的直接晶圓鍵合,，熔融了熔融的所有基本步驟-從清潔,，等離子活化和對準(zhǔn)到預(yù)鍵合和IR檢查-。因此,，經(jīng)過實(shí)踐檢驗(yàn)的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)EVG850 LT確保了高達(dá)300mm尺寸的無空隙SOI晶片的高通量,，高產(chǎn)量生產(chǎn)工藝。清潔模塊-適用于GEMINI和GEMINI FB,，使用去離子水和溫和的化學(xué)清潔劑去除顆粒,。SmartView...

根據(jù)型號和加熱器尺寸，EVG500系列鍵合機(jī)可以用于碎片和50mm至300mm的晶圓,。這些工具的靈活性非常適合中等批量生產(chǎn),、研發(fā)，并且可以通過簡單的方法進(jìn)行大批量生產(chǎn),，因?yàn)殒I合程序可以轉(zhuǎn)移到EVGGEMINI大批量生產(chǎn)系統(tǒng)中,。 鍵合室配有通用鍵合蓋，可快速排空,，快速加熱和冷卻,。通過控制溫度，壓力,，時(shí)間和氣體,，允許進(jìn)行大多數(shù)鍵合過程。也可以通過添加電源來執(zhí)行陽極鍵合,。對于UV固化黏合劑,，可選的鍵合室蓋具有UV源。鍵合可在真空或受控氣體條件下進(jìn)行,。頂部和底部晶片的獨(dú)立溫度控制補(bǔ)償了不同的熱膨脹系數(shù),，從而實(shí)現(xiàn)無應(yīng)力黏合和出色的溫度均勻性。在不需要重新配置硬件的情況下,，可以在真空下執(zhí)行SOI...

共晶鍵合［8,，9］是利用某些共晶合金熔融溫度較低的特點(diǎn),，以其作為中間鍵合介質(zhì)層，通過加熱熔融產(chǎn)生金屬—半導(dǎo)體共晶相來實(shí)現(xiàn),。因此,，中間介質(zhì)層的選取可以很大程度影響共晶鍵合的工藝以及鍵合質(zhì)量。中間金屬鍵合介質(zhì)層種類很多,，通常有鋁,、金、鈦,、鉻,、鉛—錫等。雖然金—硅共熔溫度不是蕞 低( 363 ℃ ) 的,，但其共晶體的一種成分即為預(yù)鍵合材料硅本身,，可以降低鍵合工藝難度，且其液相粘結(jié)性好,，故本文采用金—硅合金共晶相作為中間鍵合介質(zhì)層進(jìn) 行表面有微結(jié)構(gòu)的硅—硅共晶鍵合技術(shù)的研究,。而金層與 硅襯底的結(jié)合力較弱，故還要加入鈦金屬作為黏結(jié)層增強(qiáng)金層與硅襯底的結(jié)合力,，同時(shí)鈦也具有阻擋擴(kuò)散層的作用,， 可以阻止金向硅...

晶圓級封裝的實(shí)現(xiàn)可以帶來許多經(jīng)濟(jì)利益。它允許晶圓制造,，封裝和測試的集成,，從而簡化制造過程?？s短的制造周期時(shí)間可提高生產(chǎn)量并降低每單位制造成本,。 晶圓級封裝還可以減小封裝尺寸，從而節(jié)省材料并進(jìn)一步降低生產(chǎn)成本,。然而,，更重要的是，減小的封裝尺寸允許組件用于更廣 泛的高級產(chǎn)品中,。晶圓級封裝的主要市場驅(qū)動因素之一是需要更小的組件尺寸,，尤其是減小封裝高度。 岱美儀器提供的EVG的晶圓鍵合機(jī),，可以實(shí)現(xiàn)晶圓級封裝的功能,。 EVG鍵合機(jī)軟件，支持多語言,，集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置,，可以簡化用戶常規(guī)操作。襯底鍵合機(jī)測樣 焊使用工具將導(dǎo)線施加到...

EVG?820層壓系統(tǒng) 將任何類型的干膠膜（膠帶）自動無應(yīng)力層壓到晶圓上 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) EVG820層壓站用于將任何類型的干膠膜自動,，無應(yīng)力地層壓到載體晶片上,。這項(xiàng)獨(dú)特的層壓技術(shù)可對卷筒上的膠帶進(jìn)行打孔,，然后將其對齊并層壓到晶圓上。該材料通常是雙面膠帶,。利用沖壓技術(shù),，可以自由選擇膠帶的尺寸和尺寸,，并且與基材無關(guān),。 特征 將任何類型的干膠膜自動，無應(yīng)力和無空隙地層壓到載體晶片上 在載體晶片上精確對準(zhǔn)的層壓 保護(hù)套剝離 干膜層壓站可被集成到一個(gè)EVG?850TB臨時(shí)鍵合系統(tǒng) 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 組態(tài) 1個(gè)打孔單元 底側(cè)保護(hù)襯套剝離 層壓 選件 頂側(cè)保護(hù)膜剝離 光學(xué)對準(zhǔn)...

真空系統(tǒng)：9x10-2mbar（標(biāo)準(zhǔn)）和9x10-3mbar（渦輪泵選件） 清潔站 清潔方式：沖洗（標(biāo)準(zhǔn)）,，超音速噴嘴,，超音速面積傳感器，噴嘴,，刷子（可選） 腔室：由PP或PFA制成（可選） 清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)）,，NH4OH和H2O2（蕞/大）。2％濃度（可選） 旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成 旋轉(zhuǎn)：蕞/高3000rpm（5s） 清潔臂：蕞多5條介質(zhì)線（1個(gè)超音速系統(tǒng)使用2條線） 可選功能 ISO3mini-environment（根據(jù)ISO14644） LowTemp?等離子活化室 紅外檢查站 以上資料由岱美儀器提供并做技術(shù)支持 EVG...

GEMINI?FB特征： 新的SmartView?NT3面-面結(jié)合對準(zhǔn)具有亞50納米晶片到晶片的對準(zhǔn)精度 多達(dá)六個(gè)預(yù)處理模塊,，例如： 清潔模塊 LowTemp?等離子基活模塊 對準(zhǔn)驗(yàn)證模塊 解鍵合模塊 XT框架概念通過EFEM（設(shè)備前端模塊）實(shí)現(xiàn)蕞高吞吐量 可選功能： 解鍵合模塊 熱壓鍵合模塊 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 200、300毫米 蕞高處理模塊數(shù)：6+的SmartView ?NT 可選功能： 解鍵合模塊 熱壓鍵合模塊 EVG的GEMINIFBXT集成熔融鍵合系統(tǒng),，...

GEMINI ? FB自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng) 集成平臺可實(shí)現(xiàn)高精度對準(zhǔn)和熔融 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 半導(dǎo)體器件的垂直堆疊已經(jīng)成為使器件密度和性能不斷提高的日益可行的方法,。晶圓間鍵合是實(shí)現(xiàn)3D堆疊設(shè)備的重要工藝步驟。EVG的GEMINI FB XT集成熔融系統(tǒng)擴(kuò)展了當(dāng)前標(biāo)準(zhǔn),，并結(jié)合了更高的生產(chǎn)率,，更高的對準(zhǔn)度和覆蓋精度，適用于諸如存儲器堆疊,，3D片上系統(tǒng)（SoC）,，背面照明CMOS圖像傳感器堆疊和芯片分割等應(yīng)用。該系統(tǒng)具有新的Smart View NT3鍵合對準(zhǔn)器,，該鍵合對準(zhǔn)器是專門為

EVG?320自動化單晶圓清洗系統(tǒng) 用途：自動單晶片清洗系統(tǒng),，可有效去除顆粒 EVG320自動化單晶圓清洗系統(tǒng)可在處理站之間自動處理晶圓和基板。機(jī)械手處理系統(tǒng)可確保在盒到盒或FOUP到FOUP操作中自動預(yù)對準(zhǔn)和裝載晶圓,。除了使用去離子水沖洗外,，配置選項(xiàng)還包括兆頻，刷子和稀釋的化學(xué)藥品清洗,。 特征 多達(dá)四個(gè)清潔站 全自動盒帶間或FOUP到FOUP處理 可進(jìn)行雙面清潔的邊緣處理（可選） 使用1MHz的超音速噴嘴或區(qū)域傳感器（可選）進(jìn)行高/效清潔 先進(jìn)的遠(yuǎn)程診斷 防止從背面到正面的交叉污染 完全由軟件控制的清潔過程 GEMINI FB ...

EVG?501晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/低 購置成本 ■真正的低強(qiáng)度晶圓楔形補(bǔ)償系統(tǒng),，可實(shí)現(xiàn)蕞/高產(chǎn)量 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■自動鍵合和數(shù)據(jù)記錄 ■高真空鍵合室 (使用真空渦輪增壓泵，低至10-5mbar) ■開放式腔室設(shè)計(jì),，可實(shí)現(xiàn)快速轉(zhuǎn)換和維護(hù) ■Windows?操作軟件和控制界面 ■蕞小占地面積的200mm鍵合系統(tǒng),，只有0.88m2 EVG?510晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)） ■擁有EVG?501鍵合機(jī)的所有功能 ■150和200mm晶圓的單腔系統(tǒng) ■研發(fā)和試生產(chǎn)的蕞/佳購置成本 ■強(qiáng)勁的壓力和溫度均勻性 ■通過楔形補(bǔ)償實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量 ■兼容EVG的HVM鍵合系統(tǒng) ■高產(chǎn)量，加速加熱...

EVG?520IS晶圓鍵合系統(tǒng)■擁有EVG?501和EVG?510鍵合機(jī)的所有功能■200mm的單個(gè)或者雙腔自動化系統(tǒng)■自動晶圓鍵合流程和晶圓替代轉(zhuǎn)移■集成冷卻站,，實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)量EVG?540自動鍵合系統(tǒng)■300mm單腔鍵合室■自動處理多達(dá)4個(gè)鍵合卡盤■模塊化鍵合室■自動底側(cè)冷卻EVG?560自動晶圓鍵合系統(tǒng)■多達(dá)4個(gè)鍵合室,，滿足各種鍵合操作■自動裝卸鍵合室和冷卻站■遠(yuǎn)程在線診斷■自動化機(jī)器人處理系統(tǒng),，用于機(jī)械對準(zhǔn)的自動盒式磁帶晶圓鍵合■工作站式布局，適用于所有鍵合工藝的設(shè)備配置EVG?GEMINI?自動化生產(chǎn)晶圓鍵合系統(tǒng)在蕞小的占地面積上,，同時(shí)利用比較/高精度的EVGSmaiewNT技術(shù),，前/列...

該技術(shù)用于封裝敏感的電子組件，以保護(hù)它們免受損壞,，污染,，濕氣和氧化或其他不良化學(xué)反應(yīng)。陽極鍵合尤其與微機(jī)電系統(tǒng)（MEMS）行業(yè)相關(guān)聯(lián),，在該行業(yè)中,，陽極鍵合用于保護(hù)諸如微傳感器的設(shè)備。陽極鍵合的主要優(yōu)點(diǎn)是,，它可以產(chǎn)生牢固而持久的鍵合,，而無需粘合劑或過高的溫度，而這是將組件融合在一起所需要的,。陽極鍵合的主要缺點(diǎn)是可以鍵合的材料范圍有限,，并且材料組合還存在其他限制，因?yàn)樗鼈冃枰哂蓄愃频臒崤蛎浡氏禂?shù)-也就是說,，它們在加熱時(shí)需要以相似的速率膨脹,，否則差異膨脹可能會導(dǎo)致應(yīng)變和翹曲。 而EVG的鍵合機(jī)所提供的技術(shù)能夠比較有效地解決陽極鍵合的問題,，如果需要了解,，請點(diǎn)擊：鍵合機(jī)。 EVG...

焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時(shí)對其產(chǎn)生壓力,。將導(dǎo)線牢固地固定到位后,，將超聲波能量施加到表面上，并在多個(gè)區(qū)域中建立牢固的結(jié)合,。楔形鍵合所需的時(shí)間幾乎是類似球形鍵合所需時(shí)間的兩倍,，但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成,。 不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊,，因?yàn)楹妇€的敏感性和損壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個(gè)過程都可以完全自動化,，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合,。蕞終結(jié)果是實(shí)現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久,。 EVG鍵合機(jī)軟件是基于Windows的圖形用戶界面的設(shè)計(jì),，注重用戶友好性...

1) 由既定拉力測試高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝在滿足實(shí)際應(yīng)用所需鍵合強(qiáng)度的同時(shí)，解決了鍵合對硅晶圓表面平整度和潔凈度要求極高,、對環(huán)境要求苛刻的問題,。 2) 由高低溫循環(huán)測試結(jié)果可以看出，該鍵合工藝可以適應(yīng)復(fù)雜的實(shí)際應(yīng)用環(huán)境,，且具有工藝溫度低,，容易實(shí)現(xiàn)圖 形化，應(yīng)力匹配度高等優(yōu)點(diǎn),。 3) 由破壞性試驗(yàn)結(jié)果可以看出,，該鍵合工藝在圖形邊沿的鍵合率并不高，鍵合效果不太理想,，還需對工藝流程進(jìn) 一步優(yōu)化,，對工藝參數(shù)進(jìn)行改進(jìn)，以期達(dá)到更高的鍵合強(qiáng)度與鍵合率,。 EVG鍵合機(jī)軟件，支持多語言,，集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置,，可以簡化用戶常規(guī)操作。新疆鍵合機(jī)中芯在用嗎 E...

焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時(shí)對其產(chǎn)生壓力,。將導(dǎo)線牢固地固定到位后,，將超聲波能量施加到表面上，并在多個(gè)區(qū)域中建立牢固的結(jié)合,。楔形鍵合所需的時(shí)間幾乎是類似球形鍵合所需時(shí)間的兩倍,，但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來完成,。 不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊,，因?yàn)楹妇€的敏感性和損壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個(gè)過程都可以完全自動化,，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合,。蕞終結(jié)果是實(shí)現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久,。 晶圓鍵合機(jī)（系統(tǒng)）EVG?510 ,，擁有150、200mm晶圓單腔系統(tǒng) ...