焊使用工具將導(dǎo)線施加到微芯片上時(shí)對(duì)其產(chǎn)生壓力,。將導(dǎo)線牢固地固定到位后，將超聲波能量施加到表面上,，并在多個(gè)區(qū)域中建立牢固的結(jié)合,。楔形鍵合所需的時(shí)間幾乎是類似球形鍵合所需時(shí)間的兩倍,，但它也被認(rèn)為是更穩(wěn)定的連接，并且可以用鋁或其他幾種合金和金屬來(lái)完成,。

      不建議業(yè)余愛好者在未獲得適當(dāng)指導(dǎo)的情況下嘗試進(jìn)行球焊或楔焊,，因?yàn)楹妇€的敏感性和損壞電路的風(fēng)險(xiǎn)。已開發(fā)的技術(shù)使這兩個(gè)過(guò)程都可以完全自動(dòng)化,，并且?guī)缀醪辉傩枰止ね瓿梢€鍵合,。蕞終結(jié)果是實(shí)現(xiàn)了更加精確的連接，這種連接往往比傳統(tǒng)的手工引線鍵合方法產(chǎn)生的連接要持久,。 EVG501鍵合機(jī)：桌越的壓力和溫度均勻性、高真空鍵合室,、自動(dòng)鍵合和數(shù)據(jù)記錄,。高校鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

EVG®301技術(shù)數(shù)據(jù)

晶圓直徑（基板尺寸）：200和100-300毫米

清潔系統(tǒng)

開室，旋轉(zhuǎn)器和清潔臂

腔室：由PP或PFA制成（可選）

清潔介質(zhì)：去離子水（標(biāo)準(zhǔn)）,，其他清潔介質(zhì)（可選）

旋轉(zhuǎn)卡盤：真空卡盤（標(biāo)準(zhǔn)）和邊緣處理卡盤（選件）,，由不含金屬離子的清潔材料制成

旋轉(zhuǎn)：蕞高3000rpm（5秒內(nèi)）

超音速噴嘴

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：30-60W

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效清潔區(qū)域：?4.0mm

材質(zhì)：聚四氟乙烯

兆聲區(qū)域傳感器

頻率：1MHz（3MHz選件）

輸出功率：蕞大2.5W/cm2有效面積（蕞大輸出200W）

去離子水流量：蕞高1.5升/分鐘

有效的清潔區(qū)域：三角形，確保每次旋轉(zhuǎn)時(shí)整個(gè)晶片的輻射均勻性

材質(zhì)：不銹鋼和藍(lán)寶石

刷子

材質(zhì)：PVA

可編程參數(shù)：刷子和晶圓速度（rpm）

可調(diào)參數(shù)（刷壓縮,，介質(zhì)分配）

青海EVG510鍵合機(jī)EVG鍵合機(jī)提供的加工服務(wù),。

封裝技術(shù)對(duì)微機(jī)電系統(tǒng) (micro-electro-mechanical system,MEMS) 器件尺寸及功能的影響巨大，已成為 MEMS技術(shù)發(fā)展和實(shí)用化的關(guān)鍵技術(shù)［1］,。實(shí)現(xiàn)封裝的技術(shù)手段很多,，其中較關(guān)鍵的工藝步驟就是鍵合工藝。隨著 MEMS 技術(shù)的發(fā)展,，越來(lái)越多的器件封裝需要用到表面帶有微結(jié)構(gòu)的硅片鍵合,，然而MEMS器件封裝一般采用硅—硅直接鍵合( silicon directly bonding，SDB)  技術(shù)［2］,。由于表面有微結(jié)構(gòu)的硅片界面已經(jīng)受到極大的損傷,，其平整度和光滑度遠(yuǎn)遠(yuǎn)達(dá)不到SDB的要求，要進(jìn)行復(fù)雜的拋光處理,，這**加大了工藝的復(fù)雜性和降低了器件的成品率［3］,。

EVG?850DB自動(dòng)解鍵合機(jī)系統(tǒng) 全自動(dòng)解鍵合，清潔和卸載薄晶圓 特色 技術(shù)數(shù)據(jù) 在全自動(dòng)解鍵合機(jī)中,，經(jīng)過(guò)處理的臨時(shí)鍵合晶圓疊層被分離和清洗,，而易碎的設(shè)備晶圓始終在整個(gè)工具中得到支撐。支持的剝離方法包括UV激光,，熱剝離和機(jī)械剝離,。使用所有解鍵合方法，都可以通過(guò)薄膜框架安裝或薄晶圓處理器來(lái)支撐設(shè)備晶圓,。 特征 在有形和無(wú)形的情況下,，都能可靠地處理變薄的，彎曲和翹曲的晶片 自動(dòng)清洗解鍵合晶圓 程序控制系統(tǒng) 實(shí)時(shí)監(jiān)控和記錄所有相關(guān)過(guò)程參數(shù) 自動(dòng)化工具中完全集成的SECS/GEM界面 適用于不同基板尺寸的橋接工具功能 模塊化的工具布局→根據(jù)特定工藝優(yōu)化了產(chǎn)量 技術(shù)數(shù)據(jù) 晶圓直徑（基板尺寸） 高達(dá)300毫米 高達(dá)12英寸的薄膜面積 組態(tài) 解鍵合模塊 清潔模塊 薄膜裱框機(jī) 選件 ID閱讀 多種輸出格式 高形貌的晶圓處理 翹曲的晶圓處理晶圓鍵合系統(tǒng)EVG501是適用于學(xué)術(shù)界和工業(yè)研究的多功能手動(dòng)晶圓鍵合機(jī)。

在鍵合過(guò)程中,，將兩個(gè)組件的表面弄平并徹底清潔以確保它們之間的緊密接觸,。然后它們被夾在兩個(gè)電極之間，加熱至752-932℃（華氏400-500攝氏度）,，和幾百到千伏的電勢(shì)被施加,，使得負(fù)電極，這就是所謂的陰極,，是在接觸在玻璃中,，正極（陽(yáng)極）與硅接觸。玻璃中帶正電的鈉離子變得可移動(dòng)并向陰極移動(dòng),，在與硅片的邊界附近留下少量的正電荷,，然后通過(guò)靜電吸引將其保持在適當(dāng)?shù)奈恢谩ж?fù)電的氧氣來(lái)自玻璃的離子向陽(yáng)極遷移,，并在到達(dá)邊界時(shí)與硅反應(yīng),，形成二氧化硅（SiO 2）。產(chǎn)生的化學(xué)鍵將兩個(gè)組件密封在一起,。EVG的鍵合機(jī)設(shè)備占據(jù)了半自動(dòng)和全自動(dòng)晶圓鍵合機(jī)的主要市場(chǎng)份額,，并且安裝的機(jī)臺(tái)已經(jīng)超過(guò)1500套。湖南奧地利鍵合機(jī)

EVG鍵合機(jī)軟件,，支持多語(yǔ)言,，集成錯(cuò)誤記錄/報(bào)告和恢復(fù)和單個(gè)用戶帳戶設(shè)置，可以簡(jiǎn)化用戶常規(guī)操作,。高校鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

BONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)

啟用3D集成以獲得更多收益

特色

技術(shù)數(shù)據(jù)

EVGBONDSCALE?自動(dòng)化生產(chǎn)熔融系統(tǒng)旨在滿足廣fan的熔融/分子晶圓鍵合應(yīng)用,，包括工程化的基板制造和使用層轉(zhuǎn)移處理的3D集成方法，例如單片3D（M3D）,。借助BONDSCALE,，EVG將晶片鍵合應(yīng)用于前端半導(dǎo)體處理中，并幫助解決內(nèi)部設(shè)備和系統(tǒng)路線圖（IRDS）中確定的“超摩爾”邏輯器件擴(kuò)展的長(zhǎng)期挑戰(zhàn),。結(jié)合增強(qiáng)的邊緣對(duì)準(zhǔn)技術(shù),，與現(xiàn)有的熔融鍵合平臺(tái)相比，BONDSCALE大da提高了晶圓鍵合生產(chǎn)率,，并降低了擁有成本（CoO）,。 高校鍵合機(jī)推薦產(chǎn)品

岱美儀器技術(shù)服務(wù)（上海）有限公司專注技術(shù)創(chuàng)新和產(chǎn)品研發(fā)，發(fā)展規(guī)模團(tuán)隊(duì)不斷壯大,。一批專業(yè)的技術(shù)團(tuán)隊(duì),，是實(shí)現(xiàn)企業(yè)戰(zhàn)略目標(biāo)的基礎(chǔ)，是企業(yè)持續(xù)發(fā)展的動(dòng)力,。公司以誠(chéng)信為本,，業(yè)務(wù)領(lǐng)域涵蓋磁記錄,，半導(dǎo)體，光通訊生產(chǎn),，測(cè)試儀器的批發(fā),，我們本著對(duì)客戶負(fù)責(zé)，對(duì)員工負(fù)責(zé),，更是對(duì)公司發(fā)展負(fù)責(zé)的態(tài)度,，爭(zhēng)取做到讓每位客戶滿意。公司深耕磁記錄,，半導(dǎo)體,，光通訊生產(chǎn)，測(cè)試儀器的批發(fā),，正積蓄著更大的能量,，向更廣闊的空間、更寬泛的領(lǐng)域拓展,。