WSB5546N-肖特基勢壘二極管

特性：

· 低反向電流

· 0.2A平均整流正向電流

· 無鉛和無鹵素：WSB5546N是一款環(huán)保產(chǎn)品,，不含鉛和鹵素。

· 快速開關(guān)和低正向電壓降

· 反向阻斷

應(yīng)用：

· 電源管理

· 信號處理

· 電子設(shè)備保護(hù)

    總之,，WSB5546N是一款具有低反向電流,、0.2A平均整流正向電流以及無鉛無鹵素環(huán)保特性的肖特基勢壘二極管,。它為各種應(yīng)用提供了高效、可靠且環(huán)保的解決方案WSB5546N是一款肖特基勢壘二極管,，具有一些明顯的特點和優(yōu)勢,。肖特基勢壘二極管是一種特殊的二極管類型，它結(jié)合了肖特基二極管和勢壘二極管的優(yōu)點,。肖特基二極管具有快速開關(guān)能力和低正向電壓降,，而勢壘二極管則具有出色的反向阻斷能力。因此,，WSB5546N結(jié)合了這些特點,，提供了一種高效、可靠且環(huán)保的解決方案,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS72551EA-5/TR 運算放大器 封裝：SOT-23-5L。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM2005B

WD3133高效率,、1.2-MHzDC-DC升壓轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品描述：

     WD3133是一款高效率,、高功率的峰值電流模式升壓轉(zhuǎn)換器。內(nèi)部集成了0.35Ω的HV功率MOSFET,，至小電流限制為1A,。對于使用鋰離子電池的便攜式設(shè)備，WD3133可以從3.3V~5V的輸入電壓輸出典型的12V/200mA~300mA,。這款升壓轉(zhuǎn)換器WD3133采用脈沖寬度調(diào)制（PWM）模式,，固定開關(guān)頻率為1.2MHz，以減少輸出紋波并提高轉(zhuǎn)換效率,。它還允許使用小型外部組件,。在輕負(fù)載電流下，轉(zhuǎn)換器進(jìn)入跳過模式,，以在絕大部分的負(fù)載電流范圍內(nèi)保持高效率,。內(nèi)置的軟啟動電路可以至小化啟動時的涌入電流。WD3133采用SOT-23-5L封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素,。

產(chǎn)品特性：

寬輸入電壓范圍：2.7V至5.5V1.25V（±2%）

高精度參考電壓1.2MHz開關(guān)頻率

高達(dá)93%的效率

超過1A（至小值）的功率開關(guān)電流限制

從3.3V~5V的輸入提供典型的12V/200mA~300mA輸出

內(nèi)置軟啟動

應(yīng)用領(lǐng)域：

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

平板電腦（PADs）

      WD3133是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的高效升壓轉(zhuǎn)換器，1.2MHz開關(guān)頻率和寬輸入電壓范圍使其適用于多種場景,，如智能手機(jī),、平板電腦和游戲機(jī)等。其軟啟動電路和電流限制功能增強(qiáng)了安全性和可靠性,，是電源管理的理想選擇,。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WNMD2171SPD9811B-2/TR 半導(dǎo)體放電管（TSS）封裝：SMB。

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換,、電源開關(guān)和充電電路,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管,，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計,。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率,。同時,，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度,。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,，其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的,。

    此外，它還可以用于各種充電電路,，如電池充電器和太陽能充電器,，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,，WNM2020不僅具有出色的電性能,，還符合環(huán)保要求，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì),。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有廣的適用性,。總之,，WNM2020是一款高性能,、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。

ESD5471X1線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

     ESD5471X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）,。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到電源線,、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子組件，免受由靜電放電（ESD）,、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響,。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，ESD5471X可用于提供高達(dá)±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù),，并根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)6A的峰值脈沖電流（8/20μs）,。ESD5471X采用FBP-02C封裝。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素,。

產(chǎn)品特性：

反向截止電壓：±5V

根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）標(biāo)準(zhǔn),，每條線路的瞬態(tài)保護(hù)：±30kV（接觸和空氣放電）

IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

IEC61000-4-5（浪涌）：6A（8/20μs）

電容：CJ=9pF（典型值）

低漏電流

低鉗位電壓：VCL=12V（典型值）@IPP=16A（TLP）

固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

手機(jī)

平板電腦

筆記本電腦

其他便攜式設(shè)備

網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5471X是專為保護(hù)敏感電子組件設(shè)計的雙向瞬態(tài)電壓抑制器，能抵御靜電放電,、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力,。其優(yōu)越的保護(hù)能力和低漏電流特性使其成為手機(jī)、平板,、筆記本等便攜式設(shè)備及網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備的理想保護(hù)元件,。采用固態(tài)硅技術(shù)，既高性能又緊湊,，方便集成,。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WNMD2171-4/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：CSP-4L。

ESD9B5VL：單線雙向瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述

     ESD9B5VL是一個雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）,。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件,，免受由靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響,。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),，ESD9B5VL可用于提供高達(dá)±20kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)3A（8/20μs）的峰值脈沖電流,。ESD9B5VL采用FBP-02C封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

產(chǎn)品特性

· 反向截止電壓：±5VMax

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線路

· 瞬態(tài)保護(hù)：±20kV（接觸和空氣放電）

· 根據(jù)IEC61000-4-4（EFT）的瞬態(tài)保護(hù)：20A（5/50ns）

· 根據(jù)IEC61000-4-5（浪涌）的瞬態(tài)保護(hù)：3A（8/20μs）

· 電容：CJ=5.0pFtyp

· 低泄漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=13Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域

· 手機(jī)

· 平板電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備    

    ESD9B5VL是高效的瞬態(tài)電壓抑制器,，保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電等瞬態(tài)事件影響,。適用于手機(jī)、平板等便攜式設(shè)備,，保護(hù)敏感電子組件,。高保護(hù)能力、低泄漏和低箝位電壓,，穩(wěn)定可靠,。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 ESD9X12VD-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-923,。中文資料WILLSEMI韋爾ESD56431N

WPM1483-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23,。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM2005B

WD3139：高效38V升壓型白色LED驅(qū)動器

產(chǎn)品描述

     WD3139是一款恒定電流、高效率的LED驅(qū)動器,。其內(nèi)部MOSFET可以驅(qū)動高達(dá)10個串聯(lián)的白色LED,，電流限制為1.2A，過壓保護(hù)為38V,?？梢詫⒚}沖寬度調(diào)制（PWM）信號應(yīng)用于EN引腳以實現(xiàn)LED調(diào)光。該設(shè)備以1MHz的固定開關(guān)頻率運行,，以減少輸出紋波,、提高轉(zhuǎn)換效率，并允許使用小型外部組件,。

   封裝與環(huán)保信息：WD3139采用TSOT-23-6L封裝，標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素,。

產(chǎn)品特性：

輸入電壓范圍：2.7~5.5V

開路LED保護(hù)：38V（典型值）

參考電壓：200mV（±5%）

開關(guān)頻率：1MHz（典型值）

效率：高達(dá)92%

主開關(guān)電流限制：1.2A（典型值）

PWM調(diào)光頻率：5KHz至200KHzPWM

調(diào)光占空比：0.5%~100%

應(yīng)用領(lǐng)域：

智能手機(jī)

平板電腦

便攜式游戲機(jī)

    WD3139是一款專為串聯(lián)白色LED設(shè)計的高效驅(qū)動器,。提供1.2A電流限制和38V過壓保護(hù)，確保LED穩(wěn)定安全,。支持PWM調(diào)光,，1MHz開關(guān)頻率提升轉(zhuǎn)換效率并減少輸出紋波。適用于智能手機(jī)、平板等便攜設(shè)備的LED背光或指示燈,。小巧封裝且環(huán)保,，是理想選擇。詳情請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WPM2005B