ESD9X5VU是一種單向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS），專為可能遭受靜電放電（ESD）的敏感電子組件提供高水平的保護(hù),。它被設(shè)計用于替代多層變阻器（MLV）,，并廣泛應(yīng)用于消費設(shè)備,，如手機(jī)、筆記本電腦,、平板電腦、機(jī)頂盒、LCD電視等,。

特性：

· 極低電容：CJ=0.5pFtyp

· 極低漏電流：IR<1nAtyp

· 低箝位電壓：VCL=18Vtyp.@IPP=16A(TLP)

· 固態(tài)硅技術(shù)

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn)，每條線提供±20kV（接觸和空氣放電）的瞬態(tài)保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),，提供40A（5/50ns）的EFT保護(hù)

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn),，可承受4A（8/20μs）的浪涌電流

應(yīng)用：

· USB2.0和USB3.0

· HDMI1.3和HDMI1.4

· SATA和eSATA

· DVI

· IEEE 1394

· PCI Express

· 便攜式電子產(chǎn)品

· 筆記本電腦

     ESD9X5VU采用了一對極低電容的轉(zhuǎn)向二極管和一個TVS二極管。它為敏感電子組件提供了高水平的ESD保護(hù),，使其免受靜電放電的損害,。與傳統(tǒng)的多層變阻器相比，ESD9X5VU具有更低的電容和漏電流,，以及更低的箝位電壓,，從而提供了更好的性能。此外,，其固態(tài)硅技術(shù)確保了高效,、可靠的電源保護(hù),。無論是用于USB、HDMI,、SATA還是其他接口,，ESD9X5VU都能為現(xiàn)代電子設(shè)備提供堅實的ESD防護(hù)屏障。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WS4603E-5/TR 功率電子開關(guān) 封裝：TSOT-25。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

    WNM2020是一款N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換,、電源開關(guān)和充電電路,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管,，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計,。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率,。同時,，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度,。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,，其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外,，它還可以用于各種充電電路,，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用,。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求,，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì),。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有廣的適用性?？傊?，WNM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管,，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 中文資料WILLSEMI韋爾WS3240CWL2811EA-5/TR 線性穩(wěn)壓器(LDO) 封裝:SOT-23-5L,。

WL2815低功耗CMOSLDO（低壓差線性穩(wěn)壓器）

產(chǎn)品描述：

     WL2815系列是一款低壓差線性穩(wěn)壓器,，專為電池供電系統(tǒng)提供高性能解決方案，以實現(xiàn)低靜態(tài)電流,。這些器件為手機(jī),、筆記本電腦和其他便攜式設(shè)備提供了新的成本效益性能水平。WL2815系列設(shè)計用于使用低成本陶瓷電容器,，確保輸出電流的穩(wěn)定性,，提高效率，從而延長這些便攜式設(shè)備的電池壽命,。WL2815穩(wěn)壓器采用DFN1x1-4L封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛且無鹵素。

產(chǎn)品特性：

靜態(tài)電流：1.5μA（典型值）

輸入電壓：2.1V~5.5V

輸出電壓：1.1V~3.3V

輸出電流：@VOUT=3.3V時為300mA

輸出電流：@VOUT=2.0V時為200mA

輸出電流：@VOUT=1.5V時為150mA

壓差電壓：@100mA時為100mV

推薦電容器：1uF或更大

工作溫度：-40°C至+85°C

輸出短路保護(hù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

MP3/MP4播放器

手機(jī)

藍(lán)牙耳機(jī)

無線鼠標(biāo)

其他電子設(shè)備

    WL2815是專為便攜式設(shè)備設(shè)計的低功耗CMOS穩(wěn)壓器,，性能優(yōu)異,，低靜態(tài)電流，高效能,，延長電池壽命,。優(yōu)化設(shè)計，使用低成本陶瓷電容器,，在多種應(yīng)用中提供穩(wěn)定輸出,。適用于MP3/MP4播放器、手機(jī),、藍(lán)牙耳機(jī)等,。緊湊封裝，符合環(huán)保標(biāo)準(zhǔn),，是現(xiàn)代電子設(shè)備的理想選擇。詳情查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。

     ESD5451X是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）,。它特別設(shè)計用于保護(hù)連接到低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬態(tài)（EFT）和雷電引起的過應(yīng)力影響,。根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),，ESD5451X可提供高達(dá)±30kV（接觸和空氣放電）的ESD保護(hù)，并可根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)承受高達(dá)8A（8/20μs）的峰值脈沖電流,。ESD5451X采用FBP-02C封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛、無鹵素,。

特點：

· 反向截止電壓：±5V

· 根據(jù)IEC61000-4-2（ESD）的每條線瞬態(tài)保護(hù)：±30kV（接觸和空氣放電）

· IEC61000-4-4（EFT）：40A（5/50ns）

· IEC61000-4-5（浪涌）：8A（8/20μs）

· 電容：CJ=17.5pFtyp

· 低漏電流：IR<1nAtyp

· 低鉗位電壓：VCL=9Vtyp.@IPP=16A（TLP）

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· 手機(jī)

· 平板

· 電腦

· 筆記本電腦

· 其他便攜式設(shè)備

· 網(wǎng)絡(luò)通信設(shè)備

     ESD5451X是高性能瞬態(tài)電壓抑制器,，保護(hù)電子設(shè)備免受靜電放電、電氣快速瞬態(tài)和雷電等過應(yīng)力影響,。適用于手機(jī),、平板,、筆記本等便攜式設(shè)備，雙向保護(hù),，應(yīng)對極端電氣環(huán)境,。低漏電流、低鉗位電壓,，不影響設(shè)備正常工作,。固態(tài)硅技術(shù)，穩(wěn)定可靠,。各方面保護(hù)現(xiàn)代電子設(shè)備,，消費者和制造商的理想選擇。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們,。 WPM2019-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-523-3,。

     WNM6002是一種N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管，利用先進(jìn)的溝槽和電荷控制設(shè)計,，提供出色的RDS(ON)和低柵極電荷,。這款器件適用于電源開關(guān)、負(fù)載開關(guān)和充電電路,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM6002為無鉛且不含鹵素,。小型SOT-323封裝。

主要特性：

· 溝槽技術(shù)

· 超高密度單元設(shè)計

· 適用于高直流電流的優(yōu)異導(dǎo)通電阻

· 極低的閾值電壓

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 繼電器,、電磁鐵,、電機(jī)、LED等的驅(qū)動

· DC-DC轉(zhuǎn)換器電路

· 電源開關(guān)

· 負(fù)載開關(guān)

· 充電電路

    WNM6002N型增強(qiáng)型MOS場效應(yīng)晶體管是一種高性能,、高效能的半導(dǎo)體器件,，專為現(xiàn)代電子設(shè)備中的電源管理和開關(guān)應(yīng)用而設(shè)計。其采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和電荷控制設(shè)計,，確保了出色的RDS(ON)和低柵極電荷,，從而提供了高效的電流控制和低功耗操作。WNM6002的超高密度單元設(shè)計使其在高直流電流下仍能保持優(yōu)異的導(dǎo)通電阻,，確保了高效的能量轉(zhuǎn)換和散熱,。同時，極低的閾值電壓保證了快速的開關(guān)響應(yīng)和穩(wěn)定的性能,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們。 WS72552M-8/TR 運算放大器 封裝：MSOP-8,。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

ESD9D5U-2/TR 靜電和浪涌保護(hù)（TVS/ESD）封裝：SOD-923,。規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN

    RB521S30肖特基勢壘二極管

特性：小型表面貼裝類型、高可靠性低正向電壓,、,、無鉛器件

應(yīng)用：低電流整流

介紹：

    RB521S30是一款肖特基勢壘二極管,，它具有一系列出色的特性，使其在各種應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異,。首先,，其小型表面貼裝類型使得它在空間受限的環(huán)境中也能輕松安裝，同時確保了高效的熱量散發(fā),。其次,，高可靠性確保了器件在長時間使用下仍能保持穩(wěn)定的性能，減少了維護(hù)和更換的頻率,。

    此外,，低正向電壓是肖特基勢壘二極管的一個關(guān)鍵特性，它允許在較低的電壓下實現(xiàn)高效的整流功能,。這一特性使得RB521S30在需要低電流整流的場合中表現(xiàn)出色,，如某些電子設(shè)備中的電源管理部分。

    值得注意的是,，RB521S30是無鉛器件,，符合現(xiàn)代環(huán)保標(biāo)準(zhǔn)。隨著全球?qū)Νh(huán)保意識的日益增強(qiáng),，無鉛器件已成為許多行業(yè)的首要選擇,。這使得RB521S30在追求高性能的同時，也符合了環(huán)保要求,。

    總的來說,，RB521S30肖特基勢壘二極管以其小型化、高可靠性,、低正向電壓和無鉛環(huán)保等特性,，成為低電流整流應(yīng)用中的理想選擇。無論是電子設(shè)備制造商還是電路設(shè)計工程師,，都能從中受益,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 規(guī)格書WILLSEMI韋爾WCL058N10DN