ESD5431N是一款雙向瞬態(tài)電壓抑制器（TVS）,，專為保護連接到電源線,、低速數(shù)據(jù)線和控制線的敏感電子元件免受靜電放電（ESD）、電氣快速瞬變（EFT）和雷電等過應(yīng)力影響而設(shè)計,。封裝與環(huán)保特性：DFN1006-2L封裝：緊湊的尺寸使得它易于集成到各種電路板中,。無鉛和無鹵素：符合環(huán)保要求，適用于對無鉛和無鹵素有需求的場合,。

特性：

· 截止電壓：±3.3V

· 根據(jù)IEC61000-4-2標(biāo)準(zhǔn),，提供±30kV（接觸放電）的ESD保護

· 根據(jù)IEC61000-4-4標(biāo)準(zhǔn),，提供40A（5/50ns）的EFT保護

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)，提供10A（8/20μs）的浪涌保護

· 電容：典型值為17.5pF

· 低泄漏電流：典型值為1nA

· 低鉗位電壓：在脈沖電流為16A（TLP）時,，典型值為8V,。

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用：

· 手機

· 計算機和外設(shè)：為計算機主板、顯示器,、鍵盤等

· 微處理器

· 電源線

· 便攜式電子設(shè)備

· 筆記本電腦

    ESD5431N是專為保護電子元件免受靜電,、電氣瞬變等過應(yīng)力而設(shè)計的高性能雙向瞬態(tài)電壓抑制器。其瞬態(tài)保護出色,，封裝緊湊,，環(huán)保特性強，廣泛應(yīng)用于手機,、計算機和便攜式設(shè)備,，確保設(shè)備穩(wěn)定運行和數(shù)據(jù)安全。如需詳細(xì)信息,，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WPM2080-3/TR 場效應(yīng)管(MOSFET) 封裝：SOT-23-3L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5549N

WL2805N33-3/TR：高效且可靠的瞬態(tài)電壓抑制器 

      WL2805N33-3/TR是一款高性能的瞬態(tài)電壓抑制器,，專為保護電子設(shè)備免受瞬態(tài)電壓的侵害而設(shè)計,。在現(xiàn)代電子設(shè)備中，由于雷電,、靜電放電和其他電氣瞬態(tài)事件，電路中的敏感組件經(jīng)常面臨損壞的風(fēng)險,。而WL2805N33-3/TR的出現(xiàn),，為這些設(shè)備提供了可靠的防護。  

      這款抑制器具有出色的瞬態(tài)抑制能力和低漏電流特性,，能夠在瞬態(tài)事件發(fā)生時迅速響應(yīng),，將電壓限制在安全范圍內(nèi)，從而保護電路中的敏感組件免受損壞,。

      此外,，WL2805N33-3/TR還具有低鉗位電壓和低電容值，確保了信號傳輸?shù)臏?zhǔn)確性和穩(wěn)定性,。 其緊湊的封裝設(shè)計使得它非常適合用于各種電子設(shè)備中,，如通信設(shè)備、計算機,、醫(yī)療設(shè)備和消費電子產(chǎn)品等,。無論是對于工業(yè)應(yīng)用還是日常消費應(yīng)用，WL2805N33-3/TR都能提供優(yōu)異的瞬態(tài)電壓保護,，確保設(shè)備的穩(wěn)定運行和延長使用壽命,。 

      安美斯科技作為專業(yè)的電子元器件代理分銷商,，致力于為客戶提供優(yōu)異的產(chǎn)品和服務(wù),。我們非常榮幸能為您推薦WL2805N33-3/TR這款瞬態(tài)電壓抑制器,，并愿意提供樣品供您測試。如需了解更多信息或支持,，請隨時聯(lián)系我們,。 中文資料WILLSEMI韋爾WL2834CAESD5B5VL-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：SOD-523,。

ESDA6V8AV6靜電放電（ESD）保護的瞬態(tài)電壓抑制器

產(chǎn)品描述：

    ESDA6V8AV6是一款五線路的ESD瞬態(tài)電壓抑制器，為可能受到靜電放電（ESD）影響的敏感電子組件提供了極高的保護水平,。對于正瞬態(tài),，這些設(shè)備將電壓鉗制在邏輯電平供電之上,；對于負(fù)瞬態(tài),，則鉗制在低于地的二極管壓降。ESDA6V8AV6能夠安全地消散±20kV的ESD沖擊,，超過了IEC61000-4-2國際標(biāo)準(zhǔn)的至高上限要求,。使用MILSTD-883（方法3015）中的人體模型（HBM）ESD規(guī)格,，該設(shè)備為大于±16kV的接觸放電提供了保護。ESDA6V8AV6采用SOT-563SMT封裝,，工作電壓為5伏特,。

規(guī)格特性：

· 工作峰值反向電壓：5V

· 低漏電流：<1uA@3V

· 高ESD保護水平：每HBM>20kV

· IEC61000-4-2四級ESD保護

· IEC61000-4-4四級EFT保護

· 五種單獨的單向配置

機械特性：

· 無空洞、轉(zhuǎn)移模制,、熱固性塑料外殼

· 耐腐蝕表面,，易于焊接

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 手機和配件

· 個人數(shù)字助理（PDA）

· 筆記本電腦,、臺式機和服務(wù)器

· 便攜式儀器

· 數(shù)碼相機

· 外設(shè)MP3播放器

     ESDA6V8AV6是五線路ESD保護器，保護電子組件免受靜電放電影響,。具有強ESD保護和低漏電流,，能承受±20kV沖擊。符合電磁兼容性標(biāo)準(zhǔn),，適用于手機,、筆記本等便攜式設(shè)備,。詳情查閱手冊或聯(lián)系我們。

    ESD5641DXX是一款專為保護電源接口設(shè)計的瞬態(tài)電壓抑制器,。它非常適合用于替代便攜式電子產(chǎn)品中的多個離散組件,。ESD5641DXX特別為USB端口設(shè)計，采用了具有更高浪涌能力的TVS二極管來保護USB電壓總線引腳,。封裝與環(huán)保：ESD5641DXX采用DFN2×2-3L封裝,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品為無鉛和無鹵素。

技術(shù)特性：

· 反向截止電壓：7.5V~15V

· 根據(jù)IEC61000-4-5標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護8/20μs

· 根據(jù)IEC61643-321標(biāo)準(zhǔn)的浪涌保護10/1000μs

· 低鉗位電壓

· 固態(tài)硅技術(shù)

應(yīng)用領(lǐng)域：

· 電源保護

· 電源管理

    ESD5641DXX瞬態(tài)電壓抑制器以其出色的浪涌保護能力和低鉗位電壓,，為電源接口提供了可靠的防護,。特別適合用于USB端口保護，其緊湊的封裝和環(huán)保特性使其成為便攜式電子產(chǎn)品的理想選擇,。無論是在電源保護還是電源管理方面,，ESD5641DXX都能提供出色的性能和可靠性。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格,，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 ESD56201D12-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD） 封裝：DFN1610-2,。

    WS72551和WS72552系列放大器具有極低的偏移、漂移和偏置電流,。其中,，WS72551是單放大器，WS72552是雙放大器,，分別具有軌到軌的輸入和輸出擺動,。所有放大器都保證在2.5V至5V的單電源下工作。72551/72552提供了之前只在昂貴的自動調(diào)零或斬波穩(wěn)定放大器中才能找到的優(yōu)勢,。這些新型零漂移放大器結(jié)合了低成本和高精度,，并且不需要外部電容器。規(guī)格72551/72552適用于擴展的工業(yè)/汽車溫度范圍（-40°C至+125°C）,。封裝72551：MSOP-8  SOIC8和SOT23-5L,。72552：MSOP-8  SOIC8。

    技術(shù)特性：偏移電壓只有3μV,，漂移為0.008μV/°C,，使WS72551/WS72552非常適合于無法容忍誤差源的應(yīng)用。溫度,、位置和壓力傳感器,、醫(yī)療設(shè)備和應(yīng)變計放大器在其工作溫度范圍內(nèi)幾乎無漂移，因此受益匪淺。WS72551/WS72552提供的軌到軌輸入和輸出擺動使得高側(cè)和低側(cè)感測都變得容易,。

應(yīng)用領(lǐng)域：

溫度傳感器

壓力傳感器

精密電流感測

應(yīng)變計放大器

醫(yī)療儀器

熱電偶放大器

   WS72551/WS72552系列零漂移放大器具備極低偏移和漂移,、高精度以及軌到軌輸入輸出擺動等特性，適用于溫度,、壓力,、電流感測等多種應(yīng)用，為工程師提供高精度測量解決方案,。緊湊封裝使其成為空間受限應(yīng)用的理想選擇,。如需更多信息，請查閱數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 WS4665D-8/TR 功率電子開關(guān) 封裝：WDFN-8(2x2),。中文資料WILLSEMI韋爾WPM03138E

ESD56031N-2/TR 靜電和浪涌保護（TVS/ESD）封裝：DFN1006-2L。代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5549N

    WNM2020是一款N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管,。它采用了先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計,，以在低柵極電荷下提供出色的RDS（ON）。這款器件非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換,、電源開關(guān)和充電電路,。標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品WNM2020是無鉛且無鹵素的。

    WNM2020是一款高性能的N溝道MOS場效應(yīng)晶體管,，專為高效率的電源管理應(yīng)用而設(shè)計,。其采用的先進(jìn)溝槽技術(shù)使得該晶體管在導(dǎo)通狀態(tài)下具有很低的電阻（RDS（ON）），從而減少了功率損耗并提高了整體效率,。同時,，低柵極電荷使得該晶體管能夠快速響應(yīng)柵極驅(qū)動信號，進(jìn)一步提高了開關(guān)速度,。這款晶體管非常適合用于DC-DC轉(zhuǎn)換器,，其中高效率的電源開關(guān)是至關(guān)重要的。

    此外,，它還可以用于各種充電電路,，如電池充電器和太陽能充電器，以確保能量的有效轉(zhuǎn)換和利用,。作為一款標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品,，WNM2020不僅具有出色的電性能，還符合環(huán)保要求,，不含有鉛和鹵素等有害物質(zhì),。這使得它在各種環(huán)保法規(guī)日益嚴(yán)格的市場中具有廣的適用性,?？傊琖NM2020是一款高性能、高效率且環(huán)保的N溝道增強型MOS場效應(yīng)晶體管,，非常適合用于各種電源管理和充電應(yīng)用,。如需更詳細(xì)的信息或技術(shù)規(guī)格，請查閱相關(guān)的數(shù)據(jù)手冊或聯(lián)系我們,。 代理分銷商WILLSEMI韋爾WSB5549N